Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
60081 | 2SK1274 | N-CHANNEL MOS FET FÜR SCHNELLSCHALTUNG | NEC |
60082 | 2SK1274-T | N-Führung Energie MOS FET | NEC |
60083 | 2SK1276A | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
60084 | 2SK1277 | N-Führung MOS-FET(250V, 0.12Ohm, 30A, 150W) | Fuji Electric |
60085 | 2SK1278 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
60086 | 2SK1279 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
60087 | 2SK128 | Si N FÜHRUNG VERZWEIGUNG | Panasonic |
60088 | 2SK1280 | N-Führung MOS-FET(500V, 0.5Ohm, 18A, 150W) | Fuji Electric |
60089 | 2SK1283 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60090 | 2SK1284 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60091 | 2SK1284(JM) | N Führung Energie MOS FET | NEC |
60092 | 2SK1284-Z | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60093 | 2SK1285 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60094 | 2SK1286 | MOS FANGEN EFFEKT-ENERGIE TRANSISTOR auf | NEC |
60095 | 2SK1286 | MOS FANGEN EFFEKT-ENERGIE TRANSISTOR auf | NEC |
60096 | 2SK1288 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60097 | 2SK1290 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60098 | 2SK1290 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60099 | 2SK1292 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
60100 | 2SK1295 | N Führung Energie MOS FET | NEC |
60101 | 2SK1296 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60102 | 2SK1296 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60103 | 2SK1297 | V (DSS): 60V; I (d): 40A; 100W; Silizium N-Kanal-MOS-FET. Für Hochgeschwindigkeitsleistungsschalt | Hitachi Semiconductor |
60104 | 2SK1298 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
60105 | 2SK1298 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60106 | 2SK1298 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
60107 | 2SK1299 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60108 | 2SK1299(L) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
60109 | 2SK1299(S) | Leistungsschalter-MOSFET | Hitachi Semiconductor |
60110 | 2SK12996 | N FÜHRUNG MOS ART (KONVERTER-UND BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN Des HOHE GESCHWINDIGKEIT HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ZERHACKER-REGLER-DC-DC) | TOSHIBA |
60111 | 2SK1299L | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60112 | 2SK1299S | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60113 | 2SK1300 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
60114 | 2SK1300 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60115 | 2SK1300 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
60116 | 2SK1301 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
60117 | 2SK1301 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
60118 | 2SK1301 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
60119 | 2SK1302 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
60120 | 2SK1302 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
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