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| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 60881 | 2SK1937-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60882 | 2SK1938 | Energie Mosfet | Fuji Electric |
| 60883 | 2SK1938 | Energie Mosfet | Fuji Electric |
| 60884 | 2SK1938-01R | Energie Mosfet | Fuji Electric |
| 60885 | 2SK1939-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60886 | 2SK1940 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60887 | 2SK1940-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60888 | 2SK1941 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60889 | 2SK1941-01R | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60890 | 2SK1942-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60891 | 2SK1943-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60892 | 2SK1944-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60893 | 2SK1945-01L | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60894 | 2SK1945-01LS | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60895 | 2SK1945-01S | N-Kanal-MOSFET | Fuji Electric |
| 60896 | 2SK1946-01MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 60897 | 2SK1947 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60898 | 2SK1947 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60899 | 2SK1947 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60900 | 2SK1948 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60901 | 2SK1948 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60902 | 2SK1948 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60903 | 2SK1954 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60904 | 2SK1954-Z | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 60905 | 2SK1957 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60906 | 2SK1957 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60907 | 2SK1957 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60908 | 2SK1958 | N-CHANNEL MOS FET FÜR SCHNELLSCHALTUNG | NEC |
| 60909 | 2SK1958-T1 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60910 | 2SK1958-T2 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60911 | 2SK1959 | N-CHANNEL MOS FET FÜR SCHNELLSCHALTUNG | NEC |
| 60912 | 2SK1959-T1 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60913 | 2SK1959-T2 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60914 | 2SK1960 | N-CHANNEL MOS FET FÜR SCHNELLSCHALTUNG | NEC |
| 60915 | 2SK1960-T1 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60916 | 2SK1960-T2 | N Führung Verbesserung MOS FET | NEC |
| 60917 | 2SK1961 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Hoch-Frequenz Niedrig-Geräusche Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 60918 | 2SK1967 | Silikon-N-Kanal-Power-F-MOS | Panasonic |
| 60919 | 2SK1968 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60920 | 2SK1968 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
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