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| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 60921 | 2SK1968 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60922 | 2SK1969-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60923 | 2SK1971 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60924 | 2SK1971 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60925 | 2SK1971 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60926 | 2SK198 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 60927 | 2SK1980 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 60928 | 2SK1981-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60929 | 2SK1982-01MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 60930 | 2SK1983-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60931 | 2SK1984-01MR | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60932 | 2SK1985-01MR | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | Fuji Electric |
| 60933 | 2SK1986 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60934 | 2SK1986-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60935 | 2SK2000 | Energie Mosfet | Fuji Electric |
| 60936 | 2SK2000-R | Energie Mosfet | Fuji Electric |
| 60937 | 2SK2002-01MR | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60938 | 2SK2003-01MR | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60939 | 2SK2004-01L | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60940 | 2SK2004-01S | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60941 | 2SK2007 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60942 | 2SK2007 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60943 | 2SK2007 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60944 | 2SK2008 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 60945 | 2SK2008 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 60946 | 2SK2008 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 60947 | 2SK2009 | Fangen Sie Führung MOS Art Schnellschaltung Anwendungen Analoge Schalter-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 60948 | 2SK2010 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 60949 | 2SK2011 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 60950 | 2SK2012 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 60951 | 2SK2013 | Fangen Sie Führung MOS Art Tonfrequenz-Endverstärker-Anwendung Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 60952 | 2SK2015 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS | Panasonic |
| 60953 | 2SK2018 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60954 | 2SK2018-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60955 | 2SK2018-01L | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60956 | 2SK2018-01S | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60957 | 2SK2019-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60958 | 2SK2020-01MR | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60959 | 2SK2021-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 60960 | 2SK2022-01M | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
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