| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 61081 | 2SK2117 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61082 | 2SK2117 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61083 | 2SK2117 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61084 | 2SK2118 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61085 | 2SK2118 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61086 | 2SK2118 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61087 | 2SK212 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet FM Tuner-Anwendungen | SANYO |
| 61088 | 2SK2123 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61089 | 2SK2124 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61090 | 2SK2125 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61091 | 2SK2126 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61092 | 2SK2127 | Silikon-N-Kanal-Leistungs-F-MOS-FET | Panasonic |
| 61093 | 2SK2128 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61094 | 2SK2129 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61095 | 2SK213 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61096 | 2SK213 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61097 | 2SK213 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61098 | 2SK2130 | Silikon N-Führung Energie F-MOS Fet | Panasonic |
| 61099 | 2SK2131 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61100 | 2SK2132 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61101 | 2SK2132-T | Hochspannungsenergie MOS FET 180V/4A | NEC |
| 61102 | 2SK2133 | N-Führung Verbesserung Art DMOS FET | NEC |
| 61103 | 2SK2133-Z | N-Führung Verbesserung Art DMOS FET | NEC |
| 61104 | 2SK2133-Z-E1 | N-Führung Verbesserung Art DMOS FET | NEC |
| 61105 | 2SK2134 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61106 | 2SK2134-Z | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61107 | 2SK2135 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61108 | 2SK2135(JM) | N-Kanal-Anreicherungstyp-DMOS-FET | NEC |
| 61109 | 2SK2137 | V (DSS): 600V; V (GSS): 30V; I (d): 4A; 30W; Schalt N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Für den industriellen Einsatz | NEC |
| 61110 | 2SK2139 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61111 | 2SK214 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61112 | 2SK214 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61113 | 2SK214 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61114 | 2SK2141 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 61115 | 2SK2141(JM) | N-Kanal-Anreicherungstyp-DMOS-FET | NEC |
| 61116 | 2SK2144 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61117 | 2SK2144 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61118 | 2SK2144 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61119 | 2SK2145 | Fangen Sie Führung Verzweigung Art Tonfrequenz-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Effekt-Transistor-Silikon-N auf | TOSHIBA |
| 61120 | 2SK2147-01R | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
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