| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 61121 | 2SK2147-01R | N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOS-FET | Fuji Electric |
| 61122 | 2SK2148-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 61123 | 2SK2148-01R | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 61124 | 2SK215 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61125 | 2SK215 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61126 | 2SK215 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61127 | 2SK2151 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 61128 | 2SK2152 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 61129 | 2SK2154 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 61130 | 2SK2157 | N-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 61131 | 2SK2157-T1 | N-Führung MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
| 61132 | 2SK2157-T2 | N-Führung MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
| 61133 | 2SK2158 | N-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 61134 | 2SK2158(M) | 50 V, 0,1 A, 1,5 V-Antrieb Hochgeschwindigkeits-Schaltnetz MOS | NEC |
| 61135 | 2SK2159 | N-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 61136 | 2SK216 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61137 | 2SK216 | Silikon N-Führung MOS Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61138 | 2SK216 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61139 | 2SK2160 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 61140 | 2SK2161 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 61141 | 2SK2162 | FANGEN Sie FÜHRUNG MOS ART TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNG Des EFFEKT-TRANSISTOR-SILIKON-N auf | TOSHIBA |
| 61142 | 2SK2165-01 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 61143 | 2SK2166-01R | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 61144 | 2SK2167 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 61145 | 2SK2168 | N-Führung Silikon Mosfet Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 61146 | 2SK2169 | Sehr Schnellschaltung Anwendungen | SANYO |
| 61147 | 2SK217 | Führung MOS Fet Des Silikon-N | Hitachi Semiconductor |
| 61148 | 2SK217 | Silikon N-Führung Verzweigung Fet | Hitachi Semiconductor |
| 61149 | 2SK2170 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet Widerstand-Konverter-Anwendungen | SANYO |
| 61150 | 2SK2171 | Hoch-Frequenz, Niedrig-Frequenz Verstärker-Analoge Schalter-Anwendungen | SANYO |
| 61151 | 2SK2173 | TOSHIBA FANGEN FÜHRUNG MOS ART DES EFFEKT-TRANSISTOR-SILIKON-N (L2-PI-MOSV) ZERHACKER Regler, DC-DC KONVERTER UND BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN auf | TOSHIBA |
| 61152 | 2SK2177 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
| 61153 | 2SK2178 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
| 61154 | 2SK2179 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
| 61155 | 2SK218 | Si-N-Kanal-Sperrschicht. Videokamera. | Panasonic |
| 61156 | 2SK2180 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
| 61157 | 2SK2181 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
| 61158 | 2SK2182 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
| 61159 | 2SK2183 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Drei Anschluss-Art) | Shindengen |
| 61160 | 2SK2184 | Reihe Der Energie MOSFETs-/ VX-II (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
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