Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
63081 | 2SK4019 | Leistungs-MOSFET (N-ch einzigen 60V | TOSHIBA |
63082 | 2SK4020 | Leistungs-MOSFET (N-CH 150V | TOSHIBA |
63083 | 2SK4021 | Leistungs-MOSFET (N-CH 150V | TOSHIBA |
63084 | 2SK4022 | Leistungs-MOSFET (N-CH 150V | TOSHIBA |
63085 | 2SK4027 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
63086 | 2SK4027 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
63087 | 2SK4028 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
63088 | 2SK4028 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
63089 | 2SK4029 | Silikon-N-Kanal-MOSFET | Panasonic |
63090 | 2SK4033 | Leistungs-MOSFET (N-ch einzigen 30V | TOSHIBA |
63091 | 2SK4034 | Leistungs-MOSFET (N-ch einzigen 30V | TOSHIBA |
63092 | 2SK4035 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | NEC |
63093 | 2SK4035 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | NEC |
63094 | 2SK4035-A | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | NEC |
63095 | 2SK4035-A | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | NEC |
63096 | 2SK4037 | Hochfrequenz-Leistungs-MOSFET | TOSHIBA |
63097 | 2SK404 | N-Führung Verzweigung Silikon Fet N-Führung Verzweigung Silikon Fet | SANYO |
63098 | 2SK4043LS | Power MOSFET 30 V, 20 A, 21 mOhm Single N-Kanal | ON Semiconductor |
63099 | 2SK405 | Führung MOS Art des Silikon-N | TOSHIBA |
63100 | 2SK4065 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 75V, 100A, 6mOhm, TO-263-2L | ON Semiconductor |
63101 | 2SK4066 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60V, 100A, 4.7mOhm, TO-262-3L/TO-263-2L | ON Semiconductor |
63102 | 2SK4072 | Silikon-N-Kanal-MOSFET | Panasonic |
63103 | 2SK408 | FÜHRUNG MOS Fet Des SILIKON-N | Hitachi Semiconductor |
63104 | 2SK4083 | Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FET | Panasonic |
63105 | 2SK4083G | Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FET | Panasonic |
63106 | 2SK4085LS | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 500V, 16A, 430mOhm, TO-220F-3FS | ON Semiconductor |
63107 | 2SK4088LS | Power MOSFET 650V 11A 0,85 Ohm Nch Einzel TO-220F-3FS | ON Semiconductor |
63108 | 2SK4089LS | Power MOSFET 650 V, 12 A, 720 mOhm Single N-Kanal-TO-220FL (LS) | ON Semiconductor |
63109 | 2SK409 | FÜHRUNG MOS Fet Des SILIKON-N | Hitachi Semiconductor |
63110 | 2SK4099LS | Power MOSFET 600V 8.5A 0,94 Ohm Nch Einzel TO-220F-3FS | ON Semiconductor |
63111 | 2SK410 | Silikon N-Führung MOS FET (HF/VHF Endverstärker) | Hitachi Semiconductor |
63112 | 2SK4107 | Leistungs-MOSFET (N-CH 250V | TOSHIBA |
63113 | 2SK4115 | Leistungs-MOSFET (N-ch 700V | TOSHIBA |
63114 | 2SK4116LS | Power MOSFET 400V 12A 540mOhm Single N-Kanal-TO-220FI (LS) | ON Semiconductor |
63115 | 2SK4117LS | Power MOSFET 400V 15A 420mOhm Single N-Kanal-TO-220FI (LS) | ON Semiconductor |
63116 | 2SK4124 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 500V, 20A, 430mOhm, TO-3P-3L | ON Semiconductor |
63117 | 2SK4125 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 600V, 17A, 610mOhm, TO-3P-3L | ON Semiconductor |
63118 | 2SK4126 | Power MOSFET 650 V, 15 A, 720 mOhm Single N-Kanal-TO-3PB | ON Semiconductor |
63119 | 2SK415 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
63120 | 2SK415 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
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