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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
631212SK416HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631222SK416HOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631232SK416LHOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631242SK416LHOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631252SK416SHOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631262SK416SHOHE SPPED ENERGIE, die ergänzendes Paar mit 2SJ120L, 2sj120s SCHALTETHitachi Semiconductor
631272SK4172SK417TOSHIBA
631282SK4172SK417TOSHIBA
631292SK4171Power MOSFET 60 V, 100 A, 7,2 mOhm Single N-KanalON Semiconductor
631302SK4174Silicon N-Kanal-Enhancement-MOSFETPanasonic
631312SK4206Silikon-N-Kanal-Sperrschicht-FETPanasonic
631322SK4206GSilikon-N-Kanal-Sperrschicht-FETPanasonic
631332SK4207Leistungs-MOSFET (N-ch 700V TOSHIBA
631342SK4208Silicon N-Kanal-Enhancement-MOSFETPanasonic
631352SK427N-Führung Verzweigung Silikon Fet Morgens Tuner Rf Verstärker-AnwendungenSANYO
631362SK429SCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631372SK429SCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631382SK429LSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor



631392SK429LSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631402SK429SSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631412SK429SSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631422SK430SCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631432SK430SCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631442SK430LSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631452SK430LSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631462SK430SSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631472SK430SSCHNELLENERGIE SCHALTUNGHitachi Semiconductor
631482SK433150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: -50 V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss.Isahaya Electronics Corporation
631492SK435Führung MOS Fet Des Silikon-NHitachi Semiconductor
631502SK435Silikon N-Führung Verzweigung FetHitachi Semiconductor
631512SK435Transistors>Amplifiers/MOSFETsRenesas
631522SK436Hoch-Frequenz, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Ampere AnwendungenSANYO
631532SK439Führung MOS Fet Des Silikon-NHitachi Semiconductor
631542SK439Silikon N-Führung MOS FetHitachi Semiconductor
631552SK443Videokamera Erst-Stadium AnwendungenSANYO
631562SK444N-Führung Verzweigung Silikon Fet Videokamera-AnwendungenSANYO
631572SK445N-Führung Verzweigung Silikon Fet Videokamera-1. Stadium AnwendungenSANYO
631582SK4472SK447Unknow
631592SK4472SK447Unknow
631602SK492150mW SMD J-FET (Feldeffekttransistor), die maximale Bewertung: -50 V Vgdo, 10mA Ig, 1 bis 12 mA Idss.Isahaya Electronics Corporation
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