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| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 63201 | 2SK56 | Verzweigung 8Ii-N-HANNEL Fet | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | Verzweigung 8Ii-N-HANNEL Fet | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | Silikon N-Führung MOS Fet | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | AUS LINIE BQUIVALRN STROMKREIS | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | AUS LINIE BQUIVALRN STROMKREIS | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Silikon N-Führung Verzweigung Art Doppel-Fet (GebrauchDC-ZU-VHF, Niedrige Geräusche) | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Silikon N-Führung Verzweigung Art Doppel-Fet (GebrauchDC-ZU-VHF, Niedrige Geräusche) | SONY |
| 63214 | 2SK580 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | SCHNELLENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | N-Führung Verbesserung Silikon Mosfet Analoge Schalter-Anwendungen | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-ENERGIE TRANSISTOR auf | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | KONDENSATOR-MIKROPHON-ANWENDUNGEN | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | KONDENSATOR-MIKROPHON-ANWENDUNGEN | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (GDO): -20 V; I (g): 10 mA; 100mW; Kondensatormikrofon Anwendung | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (GDO): -20 V; I (g): 10 mA; 100mW; Kondensatormikrofon Anwendung | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (GDO): -20 V; I (g): 10 mA; 100mW; Kondensatormikrofon Anwendung | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (GDO): -20 V; I (g): 10 mA; 100mW; Kondensatormikrofon Anwendung | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (GDO): -20 V; I (g): 10 mA; 100mW; Kondensatormikrofon Anwendung | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Silikon-N-Kanal-Übergangstyp | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Silikon-N-Kanal-Übergangstyp | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | MOS FANGEN EFFEKT-ENERGIE TRANSISTOR auf | NEC |
| 63235 | 2SK611 | MOS FANGEN EFFEKT-ENERGIE TRANSISTOR auf | NEC |
| 63236 | 2SK612 | MOS Fangen Effekt-Energie Transistoren auf | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | MOS Fangen Effekt-Energie Transistoren auf | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; schnelle Schalt N-Kanal-Silicon Power-MOS-FETs. Für den industriellen Einsatz | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | MOS Fangen Effekt-Energie Transistoren auf | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | MOS Fangen Effekt-Energie Transistoren auf | Unknow |
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