| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 63241 | 2SK614 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63242 | 2SK615 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63243 | 2SK619 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63244 | 2SK619 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63245 | 2SK620 | Silikon N-Führung MOS Fet | Panasonic |
| 63246 | 2SK624 | Silikon N-Führung Verzweigung | National Semiconductor |
| 63247 | 2SK624 | Silikon N-Führung Verzweigung | National Semiconductor |
| 63248 | 2SK641 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Unknow |
| 63249 | 2SK641 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Unknow |
| 63250 | 2SK642 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Unknow |
| 63251 | 2SK642 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Unknow |
| 63252 | 2SK643 | 2SK643 | TOSHIBA |
| 63253 | 2SK643 | 2SK643 | TOSHIBA |
| 63254 | 2SK646 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63255 | 2SK646 | MOS FET DES SILIKON-N-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 63256 | 2SK649 | Gallium-Arsenid-Geräte | Panasonic |
| 63257 | 2SK65 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 63258 | 2SK653 | Gallium-Arsenid-Geräte | Panasonic |
| 63259 | 2SK654 | SCHNELLER SCHALTUNG N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | NEC |
| 63260 | 2SK654 | SCHNELLER SCHALTUNG N-CHANNEL SILIKON-ENERGIE MOSFET | NEC |
| 63261 | 2SK655 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63262 | 2SK656 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63263 | 2SK657 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63264 | 2SK659 | N FÜHRUNG MOS FANGEN EFECT ENERGIE TRANSISTORauf | NEC |
| 63265 | 2SK659 | N FÜHRUNG MOS FANGEN EFECT ENERGIE TRANSISTORauf | NEC |
| 63266 | 2SK660 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
| 63267 | 2SK660 | N-CHANNEL SILIKON-VERZWEIGUNG FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR WIDERSTAND-KONVERTER VON ELEKTR. STEUERMODUL auf | NEC |
| 63268 | 2SK662 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 63269 | 2SK663 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - Verzweigung FETs | Panasonic |
| 63270 | 2SK664 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63271 | 2SK665 | Differentielle Vorrichtung - differentielle FETs - MOS FETs | Panasonic |
| 63272 | 2SK669 | N-Führung Verbesserung Silikon Mosfet Sehr Schnellschalter, Analoge Schalter-Anwendungen | SANYO |
| 63273 | 2SK678 | 2SK678 | TOSHIBA |
| 63274 | 2SK678 | 2SK678 | TOSHIBA |
| 63275 | 2SK679 | N-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 63276 | 2SK679A | N-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNG | NEC |
| 63277 | 2SK679A-T | MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
| 63278 | 2SK679A-T/JD | MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
| 63279 | 2SK679A-T/JM | MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
| 63280 | 2SK679A/JD | MOS Art fangen Effekttransistor auf | NEC |
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