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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
686281M29DW323DB70ZA6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686282M29DW323DB70ZA6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686283M29DW323DB70ZA6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686284M29DW323DB70ZA6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686285M29DW323DB70ZA6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686286M29DW323DB70ZA6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686287M29DW323DB70ZE132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686288M29DW323DB70ZE132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686289M29DW323DB70ZE1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686290M29DW323DB70ZE1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686291M29DW323DB70ZE1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686292M29DW323DB70ZE1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686293M29DW323DB70ZE1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686294M29DW323DB70ZE1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686295M29DW323DB70ZE6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686296M29DW323DB70ZE632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686297M29DW323DB70ZE6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686298M29DW323DB70ZE6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686299M29DW323DB70ZE6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics



686300M29DW323DB70ZE6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686301M29DW323DB70ZE6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686302M29DW323DB70ZE6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686303M29DW323DB90N132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686304M29DW323DB90N132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686305M29DW323DB90N1E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686306M29DW323DB90N1E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686307M29DW323DB90N1F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686308M29DW323DB90N1F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686309M29DW323DB90N1T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686310M29DW323DB90N1T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686311M29DW323DB90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-32 MBIT (4MB X8 ODER 2MB X16, DOPPELBANK 8:24, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
686312M29DW323DB90N632 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686313M29DW323DB90N6E32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686314M29DW323DB90N6E32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686315M29DW323DB90N6F32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686316M29DW323DB90N6F32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686317M29DW323DB90N6T32 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686318M29DW323DB90N6T32 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
686319M29DW323DB90ZA132 Mbit 4Mb x8 oder 2Mb x16/DoppelVersorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis der bank-8:24/Aufladung des Block-3VST Microelectronics
686320M29DW323DB90ZA132 Mbit 4MB x8 oder 2 MB x16, Dual-Banküber 08.24, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
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