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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
688641M29W040B90K1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688642M29W040B90K64 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688643M29W040B90K64 MBit (512KB X8, UNIFORM BLOCK) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688644M29W040B90K6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688645M29W040B90N14 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688646M29W040B90N1T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688647M29W040B90N1T4 MBit (512KB X8, UNIFORM BLOCK) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688648M29W040B90N64 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688649M29W040B90N64 MBit (512KB X8, UNIFORM BLOCK) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688650M29W040B90N6T4 MBIT (512KB X8, KONSTANTER BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688651M29W040B90NZ1T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688652M29W040B90NZ6T4 Mbit 512Kb x8, Konstantes Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688653M29W1021 Mbit 64Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688654M29W102BB1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688655M29W102BB1 Mbit (64KB X16, Boot-Block) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688656M29W102BB50N11 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688657M29W102BB50N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688658M29W102BB50N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688659M29W102BB50NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 50nsSGS Thomson Microelectronics



688660M29W102BB50NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 50nsSGS Thomson Microelectronics
688661M29W102BB70N11 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688662M29W102BB70N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688663M29W102BB70N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688664M29W102BB70NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 70 nsSGS Thomson Microelectronics
688665M29W102BB70NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 70 nsSGS Thomson Microelectronics
688666M29W102BB90N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688667M29W102BB90N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688668M29W102BB90NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 90nsSGS Thomson Microelectronics
688669M29W102BB90NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 90nsSGS Thomson Microelectronics
688670M29W102BT1 MBIT (64KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688671M29W102BT1 Mbit (64Kb x16, Aufladung Block) Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisSGS Thomson Microelectronics
688672M29W102BT50N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688673M29W102BT50N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688674M29W102BT50NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 50nsSGS Thomson Microelectronics
688675M29W102BT50NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 50nsSGS Thomson Microelectronics
688676M29W102BT70N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688677M29W102BT70N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688678M29W102BT70NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 70 nsSGS Thomson Microelectronics
688679M29W102BT70NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 70 nsSGS Thomson Microelectronics
688680M29W102BT90N1T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
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