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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
688681M29W102BT90N6T1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688682M29W102BT90NZ1T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 90nsSGS Thomson Microelectronics
688683M29W102BT90NZ6T1 Mbit (64Kb x16, Bootblock) Niederspannungs einzigen Versorgungs Flash-Speicher, VCC = 2,7 V bis 3,6 V, 90nsSGS Thomson Microelectronics
688684M29W16016 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688685M29W160BBNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688686M29W160BB16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisSGS Thomson Microelectronics
688687M29W160BBNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISSGS Thomson Microelectronics
688688M29W160BB120M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688689M29W160BB120M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688690M29W160BB120N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688691M29W160BB120N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688692M29W160BB120ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688693M29W160BB120ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688694M29W160BB70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688695M29W160BB70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688696M29W160BB70N116 Mbit (2MB X8 ODER 1MB X16, Boot-Block) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688697M29W160BB70N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688698M29W160BB70N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688699M29W160BB70ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics



688700M29W160BB70ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688701M29W160BB90M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688702M29W160BB90M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688703M29W160BB90N116 Mbit (2MB X8 ODER 1MB X16, Boot-Block) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688704M29W160BB90N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688705M29W160BB90N616 Mbit (2MB X8 ODER 1MB X16, Boot-Block) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688706M29W160BB90N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688707M29W160BB90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688708M29W160BB90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688709M29W160BTNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
688710M29W160BTNICHT FÜR NEUES DESIGN - 16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISSGS Thomson Microelectronics
688711M29W160BT120M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688712M29W160BT120M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688713M29W160BT120N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688714M29W160BT120N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688715M29W160BT120ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688716M29W160BT120ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688717M29W160BT70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688718M29W160BT70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
688719M29W160BT70N116 Mbit (2MB X8 ODER 1MB X16, Boot-Block) LOW VOLTAGE Einzelversorgung FLASH-SPEICHERSGS Thomson Microelectronics
688720M29W160BT70N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
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