Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
688881 | M29W160ET90ZA6T | BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3V | ST Microelectronics |
688882 | M29W160ET90ZA6T | 90ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-Speicher | SGS Thomson Microelectronics |
688883 | M29W200 | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688884 | M29W200BB | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688885 | M29W200BB | 2 Mbit (256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block) Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | SGS Thomson Microelectronics |
688886 | M29W200BB120M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688887 | M29W200BB120M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688888 | M29W200BB120N1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688889 | M29W200BB120N6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688890 | M29W200BB55M1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688891 | M29W200BB55M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688892 | M29W200BB55M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688893 | M29W200BB55N1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688894 | M29W200BB55N1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688895 | M29W200BB55N6T | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688896 | M29W200BB70M1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688897 | M29W200BB70M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688898 | M29W200BB70M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688899 | M29W200BB70N1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688900 | M29W200BB70N1T | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688901 | M29W200BB70N6 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688902 | M29W200BB70N6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688903 | M29W200BB90M1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688904 | M29W200BB90M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688905 | M29W200BB90M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688906 | M29W200BB90N1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688907 | M29W200BB90N1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688908 | M29W200BB90N3T | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688909 | M29W200BB90N6 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688910 | M29W200BB90N6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688911 | M29W200BT | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688912 | M29W200BT | 2 Mbit (256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block) Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | SGS Thomson Microelectronics |
688913 | M29W200BT120M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688914 | M29W200BT120M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688915 | M29W200BT120N1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688916 | M29W200BT120N6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688917 | M29W200BT55M1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688918 | M29W200BT55M6T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
688919 | M29W200BT55N1 | 2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
688920 | M29W200BT55N1T | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
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