| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 721121 | M39208-15WNB5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721122 | M39208-15WNB6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721123 | M39208NA | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721124 | M39208NB | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721125 | M393T2950BG0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721126 | M393T2950BG3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721127 | M393T2950BZ0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721128 | M393T2950BZ3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721129 | M393T2953BG0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721130 | M393T2953BG3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721131 | M393T2953BZ0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721132 | M393T2953BZ3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721133 | M393T5750BS0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721134 | M393T5750BS3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721135 | M393T5750BY0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721136 | M393T5750BY3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721137 | M393T6553BG | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721138 | M393T6553BG0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721139 | M393T6553BG3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721140 | M393T6553BZ0-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721141 | M393T6553BZ3-CD5/CC | DDR2 registrierte SDRAM MODUL 240pin das eingetragene Modul, das auf 512Mb basierte, B-sterben 72-bit ECC | Samsung Electronic |
| 721142 | M39432 | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 721143 | M39432-10VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721144 | M39432-10WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721145 | M39432-12VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721146 | M39432-12WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721147 | M39432-15VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721148 | M39432-15WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721149 | M39432NC | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
| 721150 | M39832 | Einzelnes Span 8 Mbit (1Mb x8 oder 512Kb x16) Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | SGS Thomson Microelectronics |
| 721151 | M39832 | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721152 | M39832-B12WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721153 | M39832-B12WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721154 | M39832-B15WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721155 | M39832-B15WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721156 | M39832-T12WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721157 | M39832-T12WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721158 | M39832-T15WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721159 | M39832-T15WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 721160 | M39832NE | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
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