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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
722041M45PE80-VMP6T8 Mbit, Niederspannung, Seite-Löschbares grelles serienmäßiggedächtnis mit Byte-Alterability und eine 25 MHZ SPI Bus-SchnittstelleST Microelectronics
722042M45PE80-VMP6TG8 Mbit, Niederspannung, Seite-Löschbares grelles serienmäßiggedächtnis mit Byte-Alterability und eine 25 MHZ SPI Bus-SchnittstelleST Microelectronics
722043M45PE80-VMP6TP8 Mbit, Niederspannung, Seite-Löschbares grelles serienmäßiggedächtnis mit Byte-Alterability und eine 25 MHZ SPI Bus-SchnittstelleST Microelectronics
722044M45PE80-VMP6TP8 Mbit, Niederspannung, Seite-Löschbares grelles serienmäßiggedächtnis mit Byte-Alterability und eine 25 MHZ SPI Bus-SchnittstelleST Microelectronics
722045M46Basisband-Prozessor für G/M AnwendungenConexant
722046M463S1654DT116Mx64 SDRAM DAS SODIMM, das auf 16Mx16, 4Banks basiert, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722047M463S1724DN116Mx64 SDRAM das mSODIMM, das auf 8Mx16,4Banks,4K basiert, erneuern, 3.3V Synch. DRAMs mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722048M463S3254CK132Mx64 SDRAM das mSODIMM, das auf 32Mx16, 4Banks basiert, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722049M463S3254DK132Mx64 SDRAM DAS SODIMM, das auf 32Mx16, 4Banks basiert, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722050M4640-19Basisband-Prozessor für GSM-AnwendungConexant
722051M4641-19Basisband-Prozessor für GSM-AnwendungConexant
722052M4641-20Basisband-Prozessor für GSM-AnwendungConexant
722053M464S0424DT14Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermittelnSamsung Electronic
722054M464S0424DT14Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722055M464S0424ETS4Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722056M464S0424FTS4Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722057M464S0824ETS8Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722058M464S0824FTS8Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic



722059M464S0924BT18M x 64 SDRAM SODIMM, die auf 8M x 16, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermittelnSamsung Electronic
722060M464S0924CT18M x 64 SDRAM SODIMM, die auf 8M x 16, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722061M464S0924CT28M x 64 SDRAM SODIMM, die auf 8M x 16, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD DatasheetSamsung Electronic
722062M464S0924CT28M x 64 SDRAM SODIMM, die auf 8M x 16, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermittelnSamsung Electronic
722063M464S0924DTS8Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 8Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722064M464S0924ETS64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722065M464S0924ETS64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722066M464S0924ETS-C7A64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722067M464S0924ETS-C7A64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722068M464S0924ETS-CL7A64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722069M464S0924ETS-CL7A64MB, 128MB Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722070M464S0924FTS144pin ungepuffertes SODIMM basiert auf 128Mb F-sterben64-bit nicht ECCSamsung Electronic
722071M464S0924FTS144pin ungepuffertes SODIMM basiert auf 128Mb F-sterben64-bit nicht ECCSamsung Electronic
722072M464S0924FTS-C(L)7A144pin ungepuffertes SODIMM basiert auf 128Mb F-sterben64-bit nicht ECCSamsung Electronic
722073M464S0924FTS-C(L)7A144pin ungepuffertes SODIMM basiert auf 128Mb F-sterben64-bit nicht ECCSamsung Electronic
722074M464S1654BT116Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 16Mx16, 4Banks, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722075M464S1654BT116Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 16Mx16, 4Banks, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722076M464S1654CTS16Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 16Mx16, 4Banks, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722077M464S1654DTS16Mx64 SDRAM SODIMM basiert auf 16Mx16, 4Banks, 8K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
722078M464S1654ETSSDRAM Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722079M464S1654ETSSDRAM Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
722080M464S1654ETS-C7ASDRAM Ungepuffertes SODIMMSamsung Electronic
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