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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
822601MG15M2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822602MG15M2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822603MG15N2CK1TECHENICAL DATENTOSHIBA
822604MG15N2YTRANSISTOR-MODULEetc
822605MG15N2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822606MG15N2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822607MG15N6EK1TECHENICAL DATENTOSHIBA
822608MG15Q2YK1TRANSISTOR-MODULEetc
822609MG15Q2YL1TRANSISTOR-MODULEetc
822610MG15Q6ES42N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822611MG15Q6ES50N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822612MG15Q6ES50AN FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822613MG15Q6ES51N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822614MG15Q6ES51AN FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822615MG180V2YS40N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822616MG2verwendetes 350K versieht 0.5 Mikron CMOS Meer der Gatter mit einem GatterAtmel
822617MG200EnFlex MG-200 Steuerbediener-Einfahrtetc
822618MG2002400 MHZ Mobile-Antenneetc
822619MG200H1AL2(DISCRETE/OPTO)TOSHIBA



822620MG200H1FL1AV (CBO): 600V; V (CEO): 600V; V (EBO): 6V; 800W; IGBT-ModulTOSHIBA
822621MG200J2YS50GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822622MG200J6ES60GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822623MG200M1UK1NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1000V, 200AWestcode Semiconductors
822624MG200Q1JS40GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Zerhacker-Anwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822625MG200Q1UK1NPN-Transistor für Hochleistungsschalt und Notor Steuerungsanwendungen, 1200V, 200AWestcode Semiconductors
822626MG200Q1US41GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822627MG200Q1US51GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822628MG200Q1ZS11N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN)TOSHIBA
822629MG200Q1ZS40GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822630MG200Q2YS40GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822631MG200Q2YS50GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822632MG200Q2YS60AGTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-NTOSHIBA
822633MG200Q2YS65HFührung IGBT des IGBT Modul-Silikon-N Hohe Energie U. Schnellschaltung AnwendungenTOSHIBA
822634MG200_12400 MHZ Mobile-Antenneetc
822635MG2040ESD-Schutzdiode, niedriger Kapazität, High-Speed-Video-SchnittstelleON Semiconductor
822636MG20G4GL1Hohe Energie Schaltung AnwendungenTOSHIBA
822637MG20G6EL1Hohe Energie Schaltung AnwendungenTOSHIBA
822638MG2157ALED PUNKTEMATRIX-ANZEIGEMicro Electronics
822639MG2157CLED PUNKTEMATRIX-ANZEIGEMicro Electronics
822640MG231ADOPPELSTELLE NUMERISCHE ANZEIGENMicro Electronics
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