Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
822761 | MG600Q1US65H | Führung IGBT des IGBT Modul-Silikon-N Hohe Energie U. Schnellschaltung Anwendungen | TOSHIBA |
822762 | MG600Q2YS60A | Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen des IGBT Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822763 | MG61D | LED LAMPEN | Micro Electronics |
822764 | MG63DA | FLANGELESS RECHTECKIGE LAMPE DES STAB-LED | Micro Electronics |
822765 | MG63P | DRAM/ 0.25.?Embedded Kunde Strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822766 | MG63P | 0.25m Betteten DRAM/ Kunde Strukturierte Reihen Ein | OKI electronic eomponets |
822767 | MG64P | DRAM/ 0.25.?Embedded Kunde Strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822768 | MG64P | 0.25m Betteten DRAM/ Kunde Strukturierte Reihen Ein | OKI electronic eomponets |
822769 | MG65P | DRAM/ 0.25.?Embedded Kunde Strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822770 | MG65P | 0.25m Betteten DRAM/ Kunde Strukturierte Reihen Ein | OKI electronic eomponets |
822771 | MG73D | LED LAMPEN | Micro Electronics |
822772 | MG73P | 0.25.?Sea der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822773 | MG73P | das 0.25m Meer der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic eomponets |
822774 | MG74P | 0.25.?Sea der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822775 | MG74P | das 0.25m Meer der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic eomponets |
822776 | MG75G2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822777 | MG75G2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822778 | MG75J1BS11 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
822779 | MG75J1ZS40 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
822780 | MG75J1ZS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822781 | MG75J2YS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822782 | MG75J6ES50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822783 | MG75M2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822784 | MG75M2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822785 | MG75N2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822786 | MG75N2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822787 | MG75P | 0.25.?Sea der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic components |
822788 | MG75P | das 0.25m Meer der Gatter und des Kunden strukturierte Reihen | OKI electronic eomponets |
822789 | MG75Q1BS11 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
822790 | MG75Q1JS40 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Zerhacker-Anwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822791 | MG75Q1ZS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822792 | MG75Q2YK1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822793 | MG75Q2YL1 | TRANSISTOR-MODULE | etc |
822794 | MG75Q2YS40 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822795 | MG75Q2YS42 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822796 | MG75Q2YS50 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822797 | MG75Q2YS51 | GTR Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen Des Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
822798 | MG75Q2YS52 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
822799 | MG800J1US51 | N FÜHRUNG IGBT (HOHE ENERGIE SCHALTUNG/BEWEGUNGSSTEUERANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
822800 | MG800J2YS50A | Führung IGBT Hohe Energie Schaltung Anwendungen Bewegungssteueranwendungen des IGBT Modul-Silikon-N | TOSHIBA |
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