| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 881801 | MJE172 | Energie 3A 80V PNP | ON Semiconductor |
| 881802 | MJE172 | 12.500W Medium Power PNP Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881803 | MJE172 | -100 V, -1 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Transistor | Samsung Electronic |
| 881804 | MJE172STU | PNP Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881805 | MJE180 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881806 | MJE180 | ENERGIE TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881807 | MJE180 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 881808 | MJE180 | 12.500W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881809 | MJE180 | 60 V, 3 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 881810 | MJE18002 | ENERGIE TRANSISTOR 2.0 AMPERE 1000 VOLT 25 und 50 WATT | Motorola |
| 881811 | MJE18002 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881812 | MJE18002-D | SWITCHMODE NPN Zweipoliger Energie Transistor Für Schaltung Spg.Versorgungsteil-Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881813 | MJE18002D2 | ENERGIE TRANSISTOREN 2 AMPERE 1000 VOLT 50 WATT | Motorola |
| 881814 | MJE18002D2 | High Speed, High Gain Bipolar NPN-Leistungstransistors mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebaute Effiziente Antisättigungs Netzwerk | ON Semiconductor |
| 881815 | MJE18002D2-D | Zweipoliger NPN Energie Transistor des Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebaute leistungsfähige Antisaturation Netz ENERGIE TRANSISTOREN 2 AMPERE 1000 VOLT 50 WATT | ON Semiconductor |
| 881816 | MJE18004 | ENERGIE TRANSISTOR 5.0 AMPERE 1000 VOLT 35 und 75 WATT | Motorola |
| 881817 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881818 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881819 | MJE18004-D | SWITCHMODE NPN Zweipoliger Energie Transistor Für Schaltung Spg.Versorgungsteil-Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881820 | MJE18004D2 | ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 1000 VOLT 75 WATT | Motorola |
| 881821 | MJE18004D2 | Zweipoliger NPN Energie Transistor des Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebautes leistungsfähiges Antisaturation... | ON Semiconductor |
| 881822 | MJE18004D2 | Zweipoliger NPN Energie Transistor des Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebautes leistungsfähiges Antisaturation... | ON Semiconductor |
| 881823 | MJE18004D2-D | Zweipoliger NPN Energie Transistor des Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebaute leistungsfähige Antisaturation Netz ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 1000 VOLT 75 WATT | ON Semiconductor |
| 881824 | MJE18006 | ENERGIE TRANSISTOR 6.0 AMPERE 1000 VOLT 40 und 100 WATT | Motorola |
| 881825 | MJE18006 | Energie 8A 450V NPN | ON Semiconductor |
| 881826 | MJE18006-D | SWITCHMODE NPN Zweipoliger Energie Transistor Für Schaltung Spg.Versorgungsteil-Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881827 | MJE18008 | ENERGIE TRANSISTOR 8.0 AMPERE 1000 VOLT 45 und 125 WATT | Motorola |
| 881828 | MJE18008 | SWITCHMODE™ NPN Zweipoliger Energie Transistor Für Schaltung Spg.Versorgungsteil-Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881829 | MJE18008-D | SWITCHMODE NPN Zweipoliger Energie Transistor Für Schaltung Spg.Versorgungsteil-Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881830 | MJE18009 | ENERGIE TRANSISTOREN 10 AMPERE 1000 VOLT 50 und 150 WATT | Motorola |
| 881831 | MJE18009-D | SWITCHMODE NPN Silikon-Planarer Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 881832 | MJE180STU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881833 | MJE181 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881834 | MJE181 | ENERGIE TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881835 | MJE181 | 3 AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON 60-80 VOLT 12.5 WATT | Motorola |
| 881836 | MJE181 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 881837 | MJE181 | Energie 3A 60V NPN | ON Semiconductor |
| 881838 | MJE181 | 12.500W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881839 | MJE181 | 60 V, 3 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 881840 | MJE181STU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
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