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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
882121MJE802Energie 4A 80V NPNDON Semiconductor
882122MJE80260 V, 5 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-TransistorSamsung Electronic
882123MJE802STUNPN Epitaxial- Silikon Darlington TransistorFairchild Semiconductor
882124MJE802TENERGIE TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882125MJE802TVerbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
882126MJE803NPN Epitaxial- Silikon Darlington TransistorFairchild Semiconductor
882127MJE803ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
882128MJE8034.0 ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON DES AMPERE-DARLINGTON 40 WATT 50 WATTMotorola
882129MJE803Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
882130MJE803ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORENST Microelectronics
882131MJE80360 V, 5 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-TransistorSamsung Electronic
882132MJE803STUNPN Epitaxial- Silikon Darlington TransistorFairchild Semiconductor
882133MJE803TENERGIE TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882134MJE803TVerbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
882135MJE8503ENERGIE TRANSISTOREN 5.0 AMPERE 1500 VOLT - BVCES 80 WATTMotorola
882136MJE8503AENERGIE TRANSISTOREN 5.0 AMPERE 1500 VOLT - BVCES 80 WATTMotorola
882137MJE9780PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR 3.0 AMPERE 150 VOLTMotorola
882138MJE9780PNP Silicon Power TransistorON Semiconductor



882139MJE9780-DPNP Silikon-Energie TransistorON Semiconductor
882140MJF122ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTONSMotorola
882141MJF122Energie 5A 100V Darlington NPNON Semiconductor
882142MJF122-DErgänzende Energie Darlingtons Für Lokalisierte Paket-AnwendungenON Semiconductor
882143MJF127ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTONSMotorola
882144MJF127Energie 5A 100V PNPON Semiconductor
882145MJF13007ENERGIE TRANSISTOR 8.0 AMPERE 400 VOLT 80/40 WATTMotorola
882146MJF15030ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 150 VOLT 6 WATTMotorola
882147MJF15030Energie 8A 150V NPNON Semiconductor
882148MJF15030-DErgänzende Energie Transistoren Für Lokalisierte Paket-AnwendungenON Semiconductor
882149MJF15031ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 150 VOLT 6 WATTMotorola
882150MJF15031Energie 8A 150V PNPON Semiconductor
882151MJF18002ENERGIE TRANSISTOR 2.0 AMPERE 1000 VOLT 25 und 50 WATTMotorola
882152MJF18002SWITCH ™ON Semiconductor
882153MJF18004ENERGIE TRANSISTOR 5.0 AMPERE 1000 VOLT 35 und 75 WATTMotorola
882154MJF18004Switchmode™ON Semiconductor
882155MJF18006ENERGIE TRANSISTOR 6.0 AMPERE 1000 VOLT 40 und 100 WATTMotorola
882156MJF18008ENERGIE TRANSISTOR 8.0 AMPERE 1000 VOLT 45 und 125 WATTMotorola
882157MJF18008SWITCHMODE™ON Semiconductor
882158MJF18009ENERGIE TRANSISTOREN 10 AMPERE 1000 VOLT 50 und 150 WATTMotorola
882159MJF18204ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 1200 VOLT 35 und 75 WATTMotorola
882160MJF18204SWITCH ™ NPN bipolaren Leistungstransistor für Electronic Light Ballast und Schaltnetzteil-AnwendungenON Semiconductor
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