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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
888481SSUR3160RUltra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888482SSUR70120Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888483SSUR70120RUltra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888484SSUR7140Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888485SSUR7140RUltra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888486SSUR7160Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888487SSUR7160RUltra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns)Microsemi
888488SSW10N60BN-Führung 600V MosfetFairchild Semiconductor
888489SSW10N60BTM600V N-Führung B-FETFairchild Semiconductor
888490SSW1N50BN-Führung 520V MosfetFairchild Semiconductor
888491SSW1N50BTM500V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW1N50AFairchild Semiconductor
888492SSW1N60BN-Führung 600V MosfetFairchild Semiconductor
888493SSW1N60BTM600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW1N60AFairchild Semiconductor
888494SSW2N60BN-Führung 600V MosfetFairchild Semiconductor
888495SSW2N60BTM600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW2N60AFairchild Semiconductor
888496SSW4N60BN-Führung 600V MosfetFairchild Semiconductor
888497SSW4N60BTM600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW4N60AFairchild Semiconductor
888498SSW7N60BN-Führung 600V MosfetFairchild Semiconductor
888499SSW7N60BTM600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW7N60AFairchild Semiconductor



888500STSuperTan® nasse Tantal-Kondensatoren mit hermetischer Dichtung, EIGENSCHAFTEN: Sehr hohe Kapazitanz, 10 zu 1800µF, 25 zu 125VDC, -55°C zu + 125°C, sehr niedriger ESR und hoher Kräuselung-StromVishay
888501ST-1CL3HFoto transistors(high Empfindlichkeit NPN Silikonfototransistor angebracht)Kondenshi Corp
888502ST-1KAFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) anKondenshi Corp
888503ST-1KBFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) anKondenshi Corp
888504ST-1KL3AFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) anKondenshi Corp
888505ST-1KL3BFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) anKondenshi Corp
888506ST-1KLAFoto-TransistorenKondenshi Corp
888507ST-1MLAFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht)Kondenshi Corp
888508ST-1MLAR2Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht)Kondenshi Corp
888509ST-1MLBFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht)Kondenshi Corp
888510ST-23GFoto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistor brachte in einen sidelooking freien Raum) anKondenshi Corp
888511ST-23GFOTO-TRANSISTORENKondenshi Corp
888512ST-305Foto transistors(a Hochempfindlichkeit NPN Silikonfototransistor brachte in einen sidelooking freien Raum) anKondenshi Corp
888513ST-309Foto Transistors(highempfindlichkeit Silikonfototransistor)Kondenshi Corp
888514ST-313R4Foto Transistors(highempfindlichkeit Silikonfototransistor mit two-phaseoutput)Kondenshi Corp
888515ST-325Foto transistors(high Empfindlichkeit NPN Silikonfototransistor angebracht)Kondenshi Corp
888516ST-REALIZER/PCST-REALIZER V2.2 DATASHEET (FÜR ST62 U. ST7 8-BIT MCUS)ST Microelectronics
888517ST-REALIZER/PCST-REALIZER V2.2 DATASHEET (FÜR ST62 U. ST7 8-BIT MCUS)SGS Thomson Microelectronics
888518ST02D-170Überspannungsableiter/Trankillers (Axial)Shindengen
888519ST02D-17F2Überspannungsableiter/Trankillers (Oberflächeneinfassung)Shindengen
888520ST02D-200Überspannungsableiter/Trankillers (Axial)Shindengen
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