| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 888481 | SSUR3160R | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888482 | SSUR70120 | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888483 | SSUR70120R | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888484 | SSUR7140 | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888485 | SSUR7140R | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888486 | SSUR7160 | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888487 | SSUR7160R | Ultra schneller Gleichrichter (kleiner als 100ns) | Microsemi |
| 888488 | SSW10N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888489 | SSW10N60BTM | 600V N-Führung B-FET | Fairchild Semiconductor |
| 888490 | SSW1N50B | N-Führung 520V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888491 | SSW1N50BTM | 500V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW1N50A | Fairchild Semiconductor |
| 888492 | SSW1N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888493 | SSW1N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW1N60A | Fairchild Semiconductor |
| 888494 | SSW2N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888495 | SSW2N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW2N60A | Fairchild Semiconductor |
| 888496 | SSW4N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888497 | SSW4N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW4N60A | Fairchild Semiconductor |
| 888498 | SSW7N60B | N-Führung 600V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 888499 | SSW7N60BTM | 600V N-Führung B-FET/Ersatz von SSW7N60A | Fairchild Semiconductor |
| 888500 | ST | SuperTan® nasse Tantal-Kondensatoren mit hermetischer Dichtung, EIGENSCHAFTEN: Sehr hohe Kapazitanz, 10 zu 1800µF, 25 zu 125VDC, -55°C zu + 125°C, sehr niedriger ESR und hoher Kräuselung-Strom | Vishay |
| 888501 | ST-1CL3H | Foto transistors(high Empfindlichkeit NPN Silikonfototransistor angebracht) | Kondenshi Corp |
| 888502 | ST-1KA | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) an | Kondenshi Corp |
| 888503 | ST-1KB | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) an | Kondenshi Corp |
| 888504 | ST-1KL3A | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) an | Kondenshi Corp |
| 888505 | ST-1KL3B | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren brachten in langlebiges Gut) an | Kondenshi Corp |
| 888506 | ST-1KLA | Foto-Transistoren | Kondenshi Corp |
| 888507 | ST-1MLA | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht) | Kondenshi Corp |
| 888508 | ST-1MLAR2 | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht) | Kondenshi Corp |
| 888509 | ST-1MLB | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistoren angebracht) | Kondenshi Corp |
| 888510 | ST-23G | Foto Transistors(highempfindlichkeit NPN Silikonfototransistor brachte in einen sidelooking freien Raum) an | Kondenshi Corp |
| 888511 | ST-23G | FOTO-TRANSISTOREN | Kondenshi Corp |
| 888512 | ST-305 | Foto transistors(a Hochempfindlichkeit NPN Silikonfototransistor brachte in einen sidelooking freien Raum) an | Kondenshi Corp |
| 888513 | ST-309 | Foto Transistors(highempfindlichkeit Silikonfototransistor) | Kondenshi Corp |
| 888514 | ST-313R4 | Foto Transistors(highempfindlichkeit Silikonfototransistor mit two-phaseoutput) | Kondenshi Corp |
| 888515 | ST-325 | Foto transistors(high Empfindlichkeit NPN Silikonfototransistor angebracht) | Kondenshi Corp |
| 888516 | ST-REALIZER/PC | ST-REALIZER V2.2 DATASHEET (FÜR ST62 U. ST7 8-BIT MCUS) | ST Microelectronics |
| 888517 | ST-REALIZER/PC | ST-REALIZER V2.2 DATASHEET (FÜR ST62 U. ST7 8-BIT MCUS) | SGS Thomson Microelectronics |
| 888518 | ST02D-170 | Überspannungsableiter/Trankillers (Axial) | Shindengen |
| 888519 | ST02D-17F2 | Überspannungsableiter/Trankillers (Oberflächeneinfassung) | Shindengen |
| 888520 | ST02D-200 | Überspannungsableiter/Trankillers (Axial) | Shindengen |
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