| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 890161 | MMBT5088LT1 | Kleines Signal-Niedrige Geräusche | ON Semiconductor |
| 890162 | MMBT5088LT1-D | Niedriges Silikon Der Geräusch-Transistor-NPN | ON Semiconductor |
| 890163 | MMBT5089 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890164 | MMBT5089 | NPN Silizium geräuscharm Transistor. | Motorola |
| 890165 | MMBT5089 | 30 V, 50 mA, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 890166 | MMBT5089L | Kleines Signal-Niedrige Geräusche | ON Semiconductor |
| 890167 | MMBT5089LT1 | Niedriges Geräusche Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
| 890168 | MMBT5089LT1 | Niedrige Geräusch-Transistoren | Motorola |
| 890169 | MMBT5089LT1 | Kleines Signal-Niedrige Geräusche | ON Semiconductor |
| 890170 | MMBT5179 | NPN Rf Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890171 | MMBT5179_NL | NPN Rf Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890172 | MMBT5210 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890173 | MMBT5401 | PNP Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
| 890174 | MMBT5401 | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890175 | MMBT5401 | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 890176 | MMBT5401 | HOCHSPANNUNGSSILIKON DES TRANSISTOR-PNP | Zowie Technology Corporation |
| 890177 | MMBT5401 | PNP KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | TRSYS |
| 890178 | MMBT5401 | PNP Silikon Hochspannungstransistor. | Motorola |
| 890179 | MMBT5401 | 180 V, PNP Kleinsignal-Oberflächenmontage-Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 890180 | MMBT5401-7 | PNP KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | Diodes |
| 890181 | MMBT5401-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 890182 | MMBT5401-G | Universal Transistor, V CBO = -160V, V CEO = -150 V, V EBO = -5 V, I C = -0.6A | Comchip Technology |
| 890183 | MMBT5401L | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
| 890184 | MMBT5401LT1 | Hochspannungstransistor(PNP Silikon) | Leshan Radio Company |
| 890185 | MMBT5401LT1 | Hochspannungstransistor | Motorola |
| 890186 | MMBT5401LT1 | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
| 890187 | MMBT5401LT1-D | HochspannungsSilikon Des TRANSISTOR-PNP | ON Semiconductor |
| 890188 | MMBT5401LT1G | Hochspannungstransistor(PNP Silikon) | ON Semiconductor |
| 890189 | MMBT5401LT3 | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
| 890190 | MMBT5401LT3G | Hochspannungstransistor(PNP Silikon) | ON Semiconductor |
| 890191 | MMBT5401W | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 890192 | MMBT5401W | High Voltage Transistor | ON Semiconductor |
| 890193 | MMBT5401_D87Z | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890194 | MMBT5401_NL | PNP Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890195 | MMBT5550 | HOCHSPANNUNGSSILIKON DES TRANSISTOR-NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890196 | MMBT5550 | NPN Epitaxial Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890197 | MMBT5550 | NPN Silizium Hochspannungstransistor. | Motorola |
| 890198 | MMBT5550 | 160 V, 600 mA, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 890199 | MMBT5550L | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
| 890200 | MMBT5550LT1 | Hochspannungstransistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
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