| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 890201 | MMBT5550LT1 | Hochspannungstransistoren | Motorola |
| 890202 | MMBT5550LT1 | Kleine Signal-Hochspannung | ON Semiconductor |
| 890203 | MMBT5550LT1-D | HochspannungsSilikon Der TRANSISTOR-NPN | ON Semiconductor |
| 890204 | MMBT5550LT1G | Hochspannungstransistoren | ON Semiconductor |
| 890205 | MMBT5551 | NPN Zweck-Verstärker | National Semiconductor |
| 890206 | MMBT5551 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890207 | MMBT5551 | Zweipolige Transistoren | Diodes |
| 890208 | MMBT5551 | HOCHSPANNUNGSSILIKON DES TRANSISTOR-NPN | Zowie Technology Corporation |
| 890209 | MMBT5551 | NPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | TRSYS |
| 890210 | MMBT5551 | NPN Silizium Hochspannungstransistor. | Motorola |
| 890211 | MMBT5551 | 180 V, NPN Kleinsignaloberflächenmontage-Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 890212 | MMBT5551-7 | NPN KLEINER SIGNAL-OBERFLÄCHE EINFASSUNG TRANSISTOR | Diodes |
| 890213 | MMBT5551-7-F | Bipolare Transistoren | Diodes |
| 890214 | MMBT5551L | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890215 | MMBT5551LT1 | Hochspannungstransistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
| 890216 | MMBT5551LT1 | Hochspannungstransistoren | Motorola |
| 890217 | MMBT5551LT1 | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890218 | MMBT5551LT1G | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890219 | MMBT5551LT3 | Kleines Signal NPN | ON Semiconductor |
| 890220 | MMBT5551LT3G | Hochspannungstransistoren | ON Semiconductor |
| 890221 | MMBT5551M3 | NPN Hochspannungstransistor | ON Semiconductor |
| 890222 | MMBT5551W | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 890223 | MMBT5551_NL | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890224 | MMBT5770 | NPN RF Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890225 | MMBT5771 | PNP Schaltung Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890226 | MMBT5771_NL | PNP Schaltung Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890227 | MMBT589 | PNP bipolarer Sperrschicht-Transistor | ON Semiconductor |
| 890228 | MMBT589L | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
| 890229 | MMBT589LT1 | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
| 890230 | MMBT589LT1-D | Hoher gegenwärtiger Oberflächeneinfassung PNP Silikon-SchaltungTransistor für Last Management in den beweglichen Anwendungen | ON Semiconductor |
| 890231 | MMBT589LT3 | Kleiner Signal-Transistor | ON Semiconductor |
| 890232 | MMBT5962 | NPN Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 890233 | MMBT6027 | Silikon programmierbarer unijunction Transistor (setzt sich) | Planeta |
| 890234 | MMBT6028 | Silicon programmierbare Unijunktionstransistor (Put). Anoden-Kathoden-Spannung -40 V +. | Planeta |
| 890235 | MMBT6427 | NPN Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 890236 | MMBT6427 | Darlington Transistoren | Diodes |
| 890237 | MMBT6427 | NPN Silikon Darlington-Transistor. | Motorola |
| 890238 | MMBT6427 | 40 V, 500 mA, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 890239 | MMBT6427-7 | NPN OBERFLÄCHE EINFASSUNG DARLINGTON TRANSISTOR | Diodes |
| 890240 | MMBT6427-7-F | Darlington-Transistoren | Diodes |
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