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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
890561MMBV3401Silikonping-DiodeLeshan Radio Company
890562MMBV3401LSilikonping-DiodeLeshan Radio Company
890563MMBV3401LSilikon-Stift DiodeON Semiconductor
890564MMBV3401LT1Silikonping-DiodeLeshan Radio Company
890565MMBV3401LT1Silikon-Stift DiodeON Semiconductor
890566MMBV3401LT1-DSilikon-Stift DiodeON Semiconductor
890567MMBV3401LT3Silikon-Stift DiodeON Semiconductor
890568MMBV3700LHochspannungssilikon-Stift DiodenON Semiconductor
890569MMBV3700LT1Silikon-Stift DiodeLeshan Radio Company
890570MMBV3700LT1Hochspannungssilikon-Stift DiodenON Semiconductor
890571MMBV3700LT1-DHochspannungssilikon-Stift DiodenON Semiconductor
890572MMBV409LSilikon-Abstimmende DiodenON Semiconductor
890573MMBV409LT1Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890574MMBV409LT1Silikon-Abstimmende DiodenON Semiconductor
890575MMBV409LT1-DSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890576MMBV432Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890577MMBV432LSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890578MMBV432LT1Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890579MMBV432LT1Silikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor



890580MMBV432LT1-DSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890581MMBV609Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890582MMBV609LSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890583MMBV609LT1Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890584MMBV609LT1Silikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890585MMBV609LT1-DSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890586MMBV809LSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890587MMBV809LT1Silikon-Abstimmende DiodeLeshan Radio Company
890588MMBV809LT1Silikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890589MMBV809LT1-DSilikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890590MMBV809LT3Silikon-Abstimmende DiodeON Semiconductor
890591MMBZ10VALZener TVSsDiodes
890592MMBZ10VALNiedrige Kapazität unidirektionale Doppel ESD-SchutzdiodenNXP Semiconductors
890593MMBZ10VAL-7-FZener TVSSDiodes
890594MMBZ10VALT124 und 40 Watt-Impulsverlustleistung Zener vorübergehende Spannung EntstörerON Semiconductor
890595MMBZ12VZEN SOT23 AUSRICHTUNG 225W 12VON Semiconductor
890596MMBZ12VAL24 und 40 Watt-Impulsverlustleistung Zener vorübergehende Spannung EntstörerON Semiconductor
890597MMBZ12VALNiedrige Kapazität unidirektionale Doppel ESD-SchutzdiodenNXP Semiconductors
890598MMBZ12VALT1ZEN SOT23 AUSRICHTUNG 225W 12VON Semiconductor
890599MMBZ12VDLDoppel ESD-Schutzdioden für transiente Überspannung UnterdrückungNXP Semiconductors
890600MMBZ15DOPPELOBERFLÄCHENEINFASSUNG FERNSEHAPPARATE DER IMPULSVERLUSTLEISTUNG-40WDiodes
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