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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
892401MMFT3055VLPower MOSFET 1 Ampere, 60 VoltON Semiconductor
892402MMFT3055VL-DEnergie Mosfet 1 Ampere, 60 Volt N-Führung SOT-223ON Semiconductor
892403MMFT5P03HDTMOS MITTLERER ENERGIE FET 5.2 AMPERE 30 VOLTMotorola
892404MMFT5P03HDEnergie Mosfet 5 Ampere, 30 VoltON Semiconductor
892405MMFT5P03HD-DEnergie Mosfet 5 Ampere, 30 Volt P-Führung SOT-223ON Semiconductor
892406MMFT5P03HDT1Energie Mosfet 5 Ampere, 30 VoltON Semiconductor
892407MMFT5P03HDT3TMOS P-CHANNEL FANGEN FEECT TRANSISTOR aufMotorola
892408MMFT5P03HDT3Energie Mosfet 5 Ampere, 30 VoltON Semiconductor
892409MMFT6N03HDTMOS ENERGIE 6.0 AMPERE 30 VOLTMotorola
892410MMFT960Energie MOSFET 300 MA, 60 VoltON Semiconductor
892411MMFT960T1MITTLERER ENERGIE TMOS FET 300 MA 60 VOLTMotorola
892412MMFT960T1Energie MOSFET 300 MA, 60 VoltON Semiconductor
892413MMFT960T1-DEnergie MOSFET 300 MA, 60 Volt N-Führung SOT-223ON Semiconductor
892414MMFT960T1GEnergie MOSFET 300 MA, 60 VoltON Semiconductor
892415MMG05N60DPOWERLUX IGBTMotorola
892416MMG05N60DVERALTET - IGBT N-Channel (0,5 A, 600 V)ON Semiconductor
892417MMG05N60D-DIsoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-GatterON Semiconductor
892418MMG1001R2MMG1001R2 870 MHZ, 19 DB Gewinn, 132-Channel CATV integrierte Verstärker-ModulMotorola
892419MMG1001R2870 integriertes Verstärker-Modul des MHZ 19 DB Gewinn-132–Channel GaAs CATVFreescale (Motorola)



892420MMG2001R2MMG2001R2 870 MHz, 19.5 DB Gewinn, 132-Channel CATV integrierte Verstärker-ModulMotorola
892421MMG2001R2870 integriertes Verstärker-Modul 19.5 des MHZ DB Gewinn-132–Channel GaAs CATVFreescale (Motorola)
892422MMG3002NT1Heterojunction-Zweipolige Transistor-Technologie (InGaP HBT)Motorola
892423MMJT350T1Zweipolige Energie TransistorenON Semiconductor
892424MMJT350T1-DZweipoliges Silikon Der Energie Transistor-PNPON Semiconductor
892425MMJT9410Zweipolige Energie TransistorenMotorola
892426MMJT9410NPN Zweipoliger Energie TransistorON Semiconductor
892427MMJT9410-DZweipoliges Silikon Der Energie Transistor-NPNON Semiconductor
892428MMJT9410T1NPN Zweipoliger Energie TransistorON Semiconductor
892429MMJT9435Zweipolige Energie TransistorenMotorola
892430MMJT9435PNP Zweipoliger Energie TransistorON Semiconductor
892431MMJT9435-DZweipoliges Silikon Der Energie Transistor-PNPON Semiconductor
892432MMJT9435T1PNP Zweipoliger Energie TransistorON Semiconductor
892433MMJT9435T3PNP Zweipoliger Energie TransistorON Semiconductor
892434MMKMetallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122etc
892435MMK10Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122etc
892436MMK15Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122etc
892437MMK5Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122etc
892438MMK7.5Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122etc
892439MMKP 383Doppeltes metallisiert, geboxt, 7,5-27,5mm TaktabstandVishay
892440MMKP 483Doppeltes metallisiert, lackiert, 7,5-27,5mm TaktabstandVishay
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