Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
892401 | MMFT3055VL | Power MOSFET 1 Ampere, 60 Volt | ON Semiconductor |
892402 | MMFT3055VL-D | Energie Mosfet 1 Ampere, 60 Volt N-Führung SOT-223 | ON Semiconductor |
892403 | MMFT5P03HD | TMOS MITTLERER ENERGIE FET 5.2 AMPERE 30 VOLT | Motorola |
892404 | MMFT5P03HD | Energie Mosfet 5 Ampere, 30 Volt | ON Semiconductor |
892405 | MMFT5P03HD-D | Energie Mosfet 5 Ampere, 30 Volt P-Führung SOT-223 | ON Semiconductor |
892406 | MMFT5P03HDT1 | Energie Mosfet 5 Ampere, 30 Volt | ON Semiconductor |
892407 | MMFT5P03HDT3 | TMOS P-CHANNEL FANGEN FEECT TRANSISTOR auf | Motorola |
892408 | MMFT5P03HDT3 | Energie Mosfet 5 Ampere, 30 Volt | ON Semiconductor |
892409 | MMFT6N03HD | TMOS ENERGIE 6.0 AMPERE 30 VOLT | Motorola |
892410 | MMFT960 | Energie MOSFET 300 MA, 60 Volt | ON Semiconductor |
892411 | MMFT960T1 | MITTLERER ENERGIE TMOS FET 300 MA 60 VOLT | Motorola |
892412 | MMFT960T1 | Energie MOSFET 300 MA, 60 Volt | ON Semiconductor |
892413 | MMFT960T1-D | Energie MOSFET 300 MA, 60 Volt N-Führung SOT-223 | ON Semiconductor |
892414 | MMFT960T1G | Energie MOSFET 300 MA, 60 Volt | ON Semiconductor |
892415 | MMG05N60D | POWERLUX IGBT | Motorola |
892416 | MMG05N60D | VERALTET - IGBT N-Channel (0,5 A, 600 V) | ON Semiconductor |
892417 | MMG05N60D-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
892418 | MMG1001R2 | MMG1001R2 870 MHZ, 19 DB Gewinn, 132-Channel CATV integrierte Verstärker-Modul | Motorola |
892419 | MMG1001R2 | 870 integriertes Verstärker-Modul des MHZ 19 DB Gewinn-132–Channel GaAs CATV | Freescale (Motorola) |
892420 | MMG2001R2 | MMG2001R2 870 MHz, 19.5 DB Gewinn, 132-Channel CATV integrierte Verstärker-Modul | Motorola |
892421 | MMG2001R2 | 870 integriertes Verstärker-Modul 19.5 des MHZ DB Gewinn-132–Channel GaAs CATV | Freescale (Motorola) |
892422 | MMG3002NT1 | Heterojunction-Zweipolige Transistor-Technologie (InGaP HBT) | Motorola |
892423 | MMJT350T1 | Zweipolige Energie Transistoren | ON Semiconductor |
892424 | MMJT350T1-D | Zweipoliges Silikon Der Energie Transistor-PNP | ON Semiconductor |
892425 | MMJT9410 | Zweipolige Energie Transistoren | Motorola |
892426 | MMJT9410 | NPN Zweipoliger Energie Transistor | ON Semiconductor |
892427 | MMJT9410-D | Zweipoliges Silikon Der Energie Transistor-NPN | ON Semiconductor |
892428 | MMJT9410T1 | NPN Zweipoliger Energie Transistor | ON Semiconductor |
892429 | MMJT9435 | Zweipolige Energie Transistoren | Motorola |
892430 | MMJT9435 | PNP Zweipoliger Energie Transistor | ON Semiconductor |
892431 | MMJT9435-D | Zweipoliges Silikon Der Energie Transistor-PNP | ON Semiconductor |
892432 | MMJT9435T1 | PNP Zweipoliger Energie Transistor | ON Semiconductor |
892433 | MMJT9435T3 | PNP Zweipoliger Energie Transistor | ON Semiconductor |
892434 | MMK | Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122 | etc |
892435 | MMK10 | Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122 | etc |
892436 | MMK15 | Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122 | etc |
892437 | MMK5 | Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122 | etc |
892438 | MMK7.5 | Metallisiertes Polyester entsprechend CECC 30401-042, Iec 60384-2, DIN 44122 | etc |
892439 | MMKP 383 | Doppeltes metallisiert, geboxt, 7,5-27,5mm Taktabstand | Vishay |
892440 | MMKP 483 | Doppeltes metallisiert, lackiert, 7,5-27,5mm Taktabstand | Vishay |
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