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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
902241MRF545RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902242MRF553SILIKON DES RF NIEDRIGES ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
902243MRF553RF NPN TransistorMicrosemi
902244MRF555SILIKON DES RF NIEDRIGES ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
902245MRF555RF NPN TransistorMicrosemi
902246MRF555TRF NPN TransistorMicrosemi
902247MRF557SILIKON DES RF NIEDRIGES ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
902248MRF5583OBERFLÄCHENEINFASSUNG HIGH-FREQUENCY SILIKON DES TRANSISTOR-PNPMotorola
902249MRF559RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902250MRF571NPN Silikon Hoch-Frequenz TransistorenMotorola
902251MRF5711LT1NPN Silikon Hoch-Frequenz TransistorenMotorola
902252MRF572RF TRANSISTOR DES SILIKON-NPNAdvanced Semiconductor
902253MRF581RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902254MRF5811LT1NIEDRIGES SILIKON DER GERÄUSCH-HIGH-FREQUENCY DES TRANSISTOR-NPNMotorola
902255MRF5812RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902256MRF5812R1RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902257MRF5812R2RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902258MRF581ARF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902259MRF586RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi



902260MRF587SILIKON DES HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR-NPNTyco Electronics
902261MRF587SILIKON DES HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR-NPNMotorola
902262MRF587Hochfrequenz-Transistor NPN SiliziumMA-Com
902263MRF5943RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902264MRF5943R1RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902265MRF5943R2RF U. MIKROWELLE GETRENNTE NIEDRIGE ENERGIE TRANSISTORENMicrosemi
902266MRF5P20180MRF5P20180R6 1990 MHZ, 38 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V seitlicher N-Führung Rf Energie MOSFETMotorola
902267MRF5P20180R6RF ENERGIE FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufMotorola
902268MRF5P21180MRF5P21180 2170 MHZ, 38 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V seitlicher N-Führung Rf Energie MOSFETMotorola
902269MRF5P21180R6Rf Energie Fangen Effekt-Transistor aufMotorola
902270MRF5P21180R62170 MHZ, 38 W AVG., 2 x W–CDMA, 28 V seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
902271MRF5P21240MRF5P21240R6 2170 MHZ, 52 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V seitlicher N-Führung Rf Energie MOSFETMotorola
902272MRF5P21240R62170 MHZ, 52 W Avg., 2 x W–CDMA, 28 V seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
902273MRF5S19090LMRF5S19090L, MRF5S19090LR3, MRF5S19090LSR3 1990 MHZ, 18 W Avg., 2 x N-CDMA, 28 V seitliche N-Führung Rf Energie MOSFETsMotorola
902274MRF5S19090LR31990 MHZ, 18 W Avg., 2 x N–CDMA, 28 V seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
902275MRF5S19090LSR31990 MHZ, 18 W Avg., 2 x N–CDMA, 28 V seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
902276MRF5S19100HDDie Rf Mosfet Linie Rf Energie Fangen Effekt-Transistoren N-Führung Verbesserung-Modus SeitenteilmOSFETs aufMotorola
902277MRF5S19100HR3Die Rf Mosfet Linie Rf Energie Fangen Effekt-Transistoren N-Führung Verbesserung-Modus SeitenteilmOSFETs aufMotorola
902278MRF5S19100HR31990 MHZ, 22 W Avg., 28 V, 2 x N–CDMA seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
902279MRF5S19100HSR3Die Rf Mosfet Linie Rf Energie Fangen Effekt-Transistoren N-Führung Verbesserung-Modus SeitenteilmOSFETs aufMotorola
902280MRF5S19100HSR31990 MHZ, 22 W Avg., 28 V, 2 x N–CDMA seitlicher N–Channel Rf Energie MOSFETFreescale (Motorola)
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