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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
912121MTD2955VWandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912122MTD2955VP-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor [Lebenszeitkauf]Fairchild Semiconductor
912123MTD2955V-DEnergie Mosfet 12 Ampere, 60 Volt P-Führung DPAKON Semiconductor
912124MTD2955V1Wandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912125MTD2955V1GWandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912126MTD2955VGWandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912127MTD2955VT4Wandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912128MTD2955VT4GWandern Sie zu NTD2955 ab -, das jetzt vorhanden istON Semiconductor
912129MTD2N40ETMOS ENERGIE Fet 2.0 AMPERE 400 VOLT RDS(on) = 3.5 OHMMotorola
912130MTD2N40EPower MOSFET 2 A, 400 VoltON Semiconductor
912131MTD2N40E-DEnergie Mosfet 2 Ampere, 400 Volt N-Führung DPAKON Semiconductor
912132MTD2N50ETMOS ENERGIE Fet 2.0 AMPERE 500 VOLT RDS(on) = 3.6 OHMMotorola
912133MTD2N50EVERALTET - Power MOSFET 2 A, 500 VoltON Semiconductor
912134MTD2N50E-DEnergie Mosfet 2 Ampere, 500 Volt N-Führung DPAKON Semiconductor
912135MTD3010PMFoto-DiodeMarktech Optoelectronics
912136MTD3055ETMOS Leistungs-FET. 60 V, 8 A, Rds (on) 0,15 Ohm.Motorola
912137MTD3055E1TMOS Leistungs-FET. 60 V, 8 A, Rds (on) 0,15 Ohm.Motorola
912138MTD3055ELTMOS IV Energie Fangen Effekt Transistor(N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter) aufMotorola



912139MTD3055EL1TMOS Leistungs-MOSFET-Logikpegel. 60 V, 10 A, Rds (on) 0,18 Ohm.Motorola
912140MTD3055VN-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufFairchild Semiconductor
912141MTD3055VTMOS ENERGIE Fet 12 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.15 OHMMotorola
912142MTD3055VPower MOSFET 12 Ampere, 60 Volt N-Channel DPAKON Semiconductor
912143MTD3055V-DEnergie Mosfet 12 Ampere, 60 Volt N-Führung DPAKON Semiconductor
912144MTD3055V1Energie Mosfet 12Amps, 60 VoltON Semiconductor
912145MTD3055VLN-Führung Logik-Niveau-Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufFairchild Semiconductor
912146MTD3055VLTMOS ENERGIE Fet 12 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.18 OHMMotorola
912147MTD3055VLPower MOSFET 12 Ampere, 60 VoltON Semiconductor
912148MTD3055VL-DEnergie Mosfet 12 Ampere, 60 Volt N-Führung DPAKON Semiconductor
912149MTD3055VL1Energie Mosfet 12 Ampere, 60 VoltON Semiconductor
912150MTD3055VLT4Energie Mosfet 12 Ampere, 60 VoltON Semiconductor
912151MTD3055VT4Energie Mosfet 12Amps, 60 VoltON Semiconductor
912152MTD3302EINZELNER TMOS ENERGIE MOSFET 30 VOLT RDS(on) = mohm 10Motorola
912153MTD3302OBOSLETE - ERSATZ P / N # - NTD4302ON Semiconductor
912154MTD3302-DEnergie Mosfet 18 Ampere, 30 Volt N-Führung DPAKON Semiconductor
912155MTD392NKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
912156MTD392VKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
912157MTD393NKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
912158MTD393VKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
912159MTD394NKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
912160MTD394VKoaxial-Transceiver-SchnittstelleMYSON TECHNOLOGY
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