Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
912201 | MTD6N10 | ENERGIE FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODESILIKON-GATTER, DPAK FÜR OBERFLÄCHENEINFASSUNG ODEREINFÜGUNG-EINFASSUNG auf | Motorola |
912202 | MTD6N10E | TMOS ENERGIE Fet 6.0 AMPERE 100 VOLT RDS(on) = 0.400 OHM | Motorola |
912203 | MTD6N10E | 6 Amp DPAK Oberflächenmontage Produkte, N-Channel, VDSS 100 | ON Semiconductor |
912204 | MTD6N10E-D | TMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
912205 | MTD6N15 | TMOS ENERGIE Fet 6.0 AMPERE 150 VOLT RDS(on) = 0.3 OHM | Motorola |
912206 | MTD6N15 | TMOS Energie 150V 3R | ON Semiconductor |
912207 | MTD6N15-D | Energie Fangen Effekt-Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter auf | ON Semiconductor |
912208 | MTD6N15T4 | TMOS Energie 150V 3R | ON Semiconductor |
912209 | MTD6N15T4G | TMOS Energie 150V 3R | ON Semiconductor |
912210 | MTD6N20E | Energie Mosfet 6 Ampere, 200 Volt | ON Semiconductor |
912211 | MTD6N20E-D | Energie Mosfet 6 Ampere, 200 Volt N-Führung DPAK | ON Semiconductor |
912212 | MTD6N20ET4 | Energie Mosfet 6 Ampere, 200 Volt | ON Semiconductor |
912213 | MTD6N20ET4G | Energie Mosfet 6 Ampere, 200 Volt | ON Semiconductor |
912214 | MTD6P10E | TMOS ENERGIE Fet 6.0 AMPERE 100 VOLT RDS(on) = 0.66 OHM | Motorola |
912215 | MTD6P10E | Energie Mosfet 6 Ampere, 100 Volt | ON Semiconductor |
912216 | MTD6P10E-D | Energie Mosfet 6 Ampere, 100 Volt P-Führung DPAK | ON Semiconductor |
912217 | MTD6P10EG | Energie Mosfet 6 Ampere, 100 Volt | ON Semiconductor |
912218 | MTD6P10ET4 | Energie Mosfet 6 Ampere, 100 Volt | ON Semiconductor |
912219 | MTD6P10ET4G | Energie Mosfet 6 Ampere, 100 Volt | ON Semiconductor |
912220 | MTD7030 | FOTO-DIODE | Marktech Optoelectronics |
912221 | MTD7030A | FOTO-DIODE | Marktech Optoelectronics |
912222 | MTD800 | Integrated Fast Ethernet Controller | MYSON TECHNOLOGY |
912223 | MTD8000N | Foto-Detektoren | Marktech Optoelectronics |
912224 | MTD8000NW | Foto-Detektoren | Marktech Optoelectronics |
912225 | MTD8000P | Foto-Detektoren | Marktech Optoelectronics |
912226 | MTD8N06E | TMOS ENERGIE Fet 8.0 AMPERE 60 VOLT RDS(on) = 0.12 OHM | Motorola |
912227 | MTD907 | Ethernet-Encoder / Decoder und 10 baseT Transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
912228 | MTD981AF | 10/100 Ethernet-Transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
912229 | MTD981AG | 10/100 Ethernet-Transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
912230 | MTD9N10E | TMOS ENERGIE Fet 9.0 AMPERE 100 VOLT RDS(on) = 0.25 OHM | Motorola |
912231 | MTD9N10E | VERALTET - Power MOSFET 9 Ampere, 100 Volt | ON Semiconductor |
912232 | MTD9N10E-D | Energie Mosfet 9 Ampere, 100 Volt N-Führung DPAK | ON Semiconductor |
912233 | MTDF1C02HD | ERGÄNZENDER DOPPELTMOS ENERGIE FET | Motorola |
912234 | MTDF1C02HD | Power MOSFET 1 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
912235 | MTDF1C02HD-D | Energie Mosfet 1 Ampere, 20 Volt Ergänzendes Micro8 | ON Semiconductor |
912236 | MTDF1N02HD | DOPPELTMOS ENERGIE Mosfet 1.7 AMPERE 20 VOLT RDS(on) = 0.120 OHM | Motorola |
912237 | MTDF1N02HD | Power MOSFET 1 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
912238 | MTDF1N02HD-D | Energie Mosfet 1 Ampere, 20 Volt N-Führung Micro8, Doppel | ON Semiconductor |
912239 | MTDF1N03HD | DOPPELTMOS ENERGIE Mosfet 2.0 AMPERE 30 VOLT RDS(on) = 0.120 OHM | Motorola |
912240 | MTDF1N03HD | Power MOSFET 1 Ampere, 30 Volt | ON Semiconductor |
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