| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 928801 | NE68818-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928802 | NE68818-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928803 | NE68819 | NICHTLINEARES MODELL | NEC |
| 928804 | NE68819 | NICHTLINEARES MODELL | NEC |
| 928805 | NE68819-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928806 | NE68819-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928807 | NE68830 | NPN Silikon-Transistor. | NEC |
| 928808 | NE68830-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928809 | NE68830-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928810 | NE68833 | NPN Silikon-Transistor. | NEC |
| 928811 | NE68833-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928812 | NE68833-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928813 | NE68839 | NPN Silikon-Transistor. | NEC |
| 928814 | NE68839-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928815 | NE68839-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928816 | NE68839R | NPN Silikon-Transistor. | NEC |
| 928817 | NE68839R-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928818 | NE68839R-T1 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 928819 | NE688M03 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 928820 | NE688M13 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 928821 | NE688M13 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 928822 | NE688M23 | NPN Silikon-Transistor. | NEC |
| 928823 | NE68939 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928824 | NE68939-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928825 | NE69039 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928826 | NE69039 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928827 | NE69039-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928828 | NE69039-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 928829 | NE696M01 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | California Eastern Laboratories |
| 928830 | NE696M01 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | California Eastern Laboratories |
| 928831 | NE696M01-T1 | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 928832 | NE698M01-T1 | NPN epitaktischen Siliziumtransistor für Mikrowellen High-Gain-Verstärker. | NEC |
| 928833 | NE699M01-T1 | NPN epitaktischen Siliziumtransistor für Mikrowellen High-Gain-Verstärker. | NEC |
| 928834 | NE70000 | 80 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928835 | NE70083 | 80 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928836 | NE70083-4 | 80 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928837 | NE71000 | 90 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928838 | NE71083 | 90 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928839 | NE71083-06 | 90 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
| 928840 | NE71083-07 | 90 GHz, geräuscharm Ku-K-Band GaAsMESFET | NEC |
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