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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
12012SJ327SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12022SJ327(JM)P-Führung Verbesserung ArtNEC
12032SJ327-ZSCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12042SJ327-Z-E1P-Führung Verbesserung ArtNEC
12052SJ327-Z-E2P-Führung Verbesserung ArtNEC
12062SJ327-Z-T1P-Führung Verbesserung ArtNEC
12072SJ327-Z-T2P-Führung Verbesserung ArtNEC
12082SJ328SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12092SJ328-SP-Führung Verbesserung ArtNEC
12102SJ328-ZSCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC



12112SJ328-Z-E1P-Führung Verbesserung ArtNEC
12122SJ328-Z-E2P-Führung Verbesserung ArtNEC
12132SJ329SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12142SJ330SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12152SJ331SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12162SJ353P-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNGNEC
12172SJ353-TP-Führung MOS-Art Silikon fangen Effekttransistor auf (-60NEC
12182SJ355P-CHANNEL MOS FET FÜR HOHE SCHALTUNGNEC
12192SJ355-T1P-Führung MOS Fet (-30V, +-2A)NEC
12202SJ355-T2P-Führung MOS Fet (-30V, +-2A)NEC
12212SJ356P-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTUNGNEC
12222SJ356-T1P-Führung MosfetNEC
12232SJ356-T2P-Führung MosfetNEC
12242SJ357P-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERNEC
12252SJ357-T1P-Führung MOS FET(-30V, +-3A)NEC
12262SJ357-T2P-Führung MOS FET(-30V, +-3A)NEC
12272SJ358P-CHANNEL MOS FET FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSCHALTERNEC
12282SJ358-T1P-Führung MOS Fet (-60V, +-3A)NEC
12292SJ358-T2P-Führung MOS Fet (-60V, +-3A)NEC
12302SJ411P-CHANNEL SIGNAL-MOS FET FÜR SCHALTUNGNEC
12312SJ448SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12322SJ448(JM)Pch vertikales DMOSFET MP-45FNEC
12332SJ449SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12342SJ449(JM)Pch vertikaler DMOS FET MP-45FNEC
12352SJ460P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12362SJ460(M)Pch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12372SJ460(M)-TPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12382SJ460-T/JMPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12392SJ460/JMPch D-MOSFET SST 50V/0.1ANEC
12402SJ461P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12412SJ462P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12422SJ463P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12432SJ463AP-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12442SJ492SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12452SJ492-SSCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12462SJ492-ZJSCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12472SJ493SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12482SJ494SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12492SJ495SCHALTUNG P-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCHNEC
12502SJ557P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG aufNEC
12512SJ557-T1BPch-Anreicherungstyp-MOS-FETNEC
12522SJ557-T2BPch-Anreicherungstyp-MOS-FETNEC
12532SJ559P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG aufNEC
12542SJ559-T1Pch-Anreicherungstyp-MOS-FETNEC
12552SJ559-T2Pch-Anreicherungstyp-MOS-FETNEC
12562SJ598Energie P-p-ch MOSFET 60V RDS(on)MAX.=130m Ohm TO-251, TO-252NEC
12572SJ598-ZEnergie P-p-ch MOSFET 60V RDS(on)MAX.=130m Ohm TO-251, TO-252NEC
12582SJ599Pch Energie MOSFET 60V RonMAX=75m Ohm MP-3NEC
12592SJ599-ZPch Energie MOSFET 60V RonMAX=75m Ohm MP-3NEC
12602SJ600Pch Energie MOSFET 60V RDS(on)1=50m Ohm Maximum. MP-3NEC
12612SJ600-ZPch Energie MOSFET 60V RDS(on)1=50m Ohm Maximum. MP-3NEC
12622SJ601Pch Energie MOSFET 60V RDS(on)1=31m Ohm Maximum. ZU-251(MP-3), ZU-252(MP-3Z)NEC
12632SJ601-ZPch Energie MOSFET 60V RDS(on)1=31m Ohm Maximum. ZU-251(MP-3), ZU-252(MP-3Z)NEC
12642SJ602Pch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12652SJ602-SPch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12662SJ602-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12672SJ602-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12682SJ602-ZJPch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=73m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12692SJ603Pch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12702SJ603-SPch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12712SJ603-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12722SJ603-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12732SJ603-ZJPch Energie MOSFET 60V RDS(on)MAX=48m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12742SJ604Pch Energie MOSFET 60V RonMAX=30m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12752SJ604-SPch Energie MOSFET 60V RonMAX=30m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12762SJ604-ZPch Energie MOSFET 60V RonMAX=30m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12772SJ604-ZJMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12782SJ604-ZJMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12792SJ605Pch Energie MOSFET 60V RonMAX=20m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12802SJ605-SPch Energie MOSFET 60V RonMAX=20m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12812SJ605-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12822SJ605-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12832SJ605-ZJPch Energie MOSFET 60V RonMAX=20m Ohm TO-220AB, to-262, to-263NEC
12842SJ606Pch Energie MOSFET 60V Ron=15m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12852SJ606-SPch Energie MOSFET 60V Ron=15m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12862SJ606-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12872SJ606-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12882SJ606-ZJPch Energie MOSFET 60V Ron=15m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12892SJ607Pch Energie MOSFET 60V Ron=11m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12902SJ607-SPch Energie MOSFET 60V Ron=11m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12912SJ607-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12922SJ607-ZMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufNEC
12932SJ607-ZJPch Energie MOSFET 60V Ron=11m Ohm Maximum. TO-220AB, to-262, to-263NEC
12942SJ621Pch Verbesserung Art MOS FETNEC
12952SJ621-T1BPch Verbesserung Art MOS FETNEC
12962SJ621-T2BPch Verbesserung Art MOS FETNEC
12972SJ624Pch Verbesserung Art MOS FETNEC
12982SJ624-T1BPch Verbesserung Art MOS FETNEC
12992SJ624-T2BPch Verbesserung Art MOS FETNEC
13002SJ625Pch Verbesserung Art MOS FETNEC



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