| 13311 | UPA503T-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 13312 | UPA503T-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 13313 | UPA505T | N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET 5-STIFTE 2 UMKREIST | NEC |
| 13314 | UPA507TE | Pch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13315 | UPA507TE-T1 | Pch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13316 | UPA507TE-T2 | Pch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13317 | UPA508TE | Nch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13318 | UPA508TE-T1 | Nch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13319 | UPA508TE-T2 | Nch Verbesserung-Art MOS FET (Auf-Span Schottky Sperre diode(SBD)) | NEC |
| 13320 | UPA572 | N-CHANNEL MOS FET 5-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13321 | UPA572T | N-CHANNEL MOS FET 5-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13322 | UPA573T | P-CHANNEL MOS FET 5-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13323 | UPA602T | N-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST | NEC |
| 13324 | UPA603 | P-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST | NEC |
| 13325 | UPA603T | P-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST | NEC |
| 13326 | UPA606T | N-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13327 | UPA607 | P-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13328 | UPA607T | P-CHANNEL MOS FET 6-STIFTE 2 UMKREIST FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13329 | UPA610 | Kleine Signal MOSFET 6-Stifte Millimeter -30V/0.1A, Antrieb 2.5V | NEC |
| 13330 | UPA610TA | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG auf | NEC |
| 13331 | UPA611TA | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHNELLSCHALTUNG auf | NEC |
| 13332 | UPA620 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13333 | UPA620TT | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13334 | UPA620TT-E1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13335 | UPA620TT-E2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13336 | UPA621 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13337 | UPA621TT | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13338 | UPA621TT-E1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13339 | UPA621TT-E2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13340 | UPA622 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13341 | UPA622TT | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13342 | UPA622TT-E1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13343 | UPA622TT-E1-A | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13344 | UPA622TT-E2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13345 | UPA622TT-E2-A | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13346 | UPA650 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13347 | UPA650TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13348 | UPA650TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13349 | UPA650TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13350 | UPA651 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13351 | UPA651TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13352 | UPA651TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13353 | UPA651TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13354 | UPA652 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13355 | UPA652TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13356 | UPA652TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13357 | UPA652TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13358 | UPA653 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13359 | UPA653TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 13360 | UPA653TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13361 | UPA653TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13362 | UPA672 | N-CHANNEL MOS FET REIHE FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13363 | UPA672T | N-CHANNEL MOS FET REIHE FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 13364 | UPA675T | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13365 | UPA675T-T1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13366 | UPA675T-T2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 13367 | UPA677TB | N-Führung Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 13368 | UPA678TB | P-Führung Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 13369 | UPA679TB | N/P-Channel Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 13370 | UPA80 | Silikontransistorreihe | NEC |
| 13371 | UPA800T | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13372 | UPA800T-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13373 | UPA800T-T1B | 6-pin kleine MM Hochfrequenzdoppeltransistorarray | NEC |
| 13374 | UPA800TF | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 13375 | UPA801 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13376 | UPA801T | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13377 | UPA801T-T1 | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 13378 | UPA801TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13379 | UPA801TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13380 | UPA801TF | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 13381 | UPA802T | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13382 | UPA802T-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13383 | UPA802TC-T1 | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 13384 | UPA803 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13385 | UPA803T | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13386 | UPA803T-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13387 | UPA804 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13388 | UPA804T | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 13389 | UPA804T-T1 | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 13390 | UPA804TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13391 | UPA804TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 13392 | UPA804TF | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 13393 | UPA805 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13394 | UPA805T | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13395 | UPA805T-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13396 | UPA806 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13397 | UPA806T | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13398 | UPA806T-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 13399 | UPA807 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORM | NEC |
| 13400 | UPA807T | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORM | NEC |
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