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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
13401UPA807T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
13402UPA808MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
13403UPA808TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
13404UPA808T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
13405UPA808TCNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13406UPA808TC-T16-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
13407UPA809MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
13408UPA809TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
13409UPA809T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
13410UPA809TFNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC



13411UPA80CSilikontransistorreiheNEC
13412UPA80GRSilikontransistorreiheNEC
13413UPA80GR-E2SilikontransistorreiheNEC
13414UPA80GR-T1SilikontransistorreiheNEC
13415UPA81Silikon Darlington TransistorreiheNEC
13416UPA810NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13417UPA810TNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13418UPA810T-T1Verbraucherverwendung Ultrahochfrequenz-Bipolar TransistorNEC
13419UPA810TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13420UPA810TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13421UPA810TFNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13422UPA811HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORMNEC
13423UPA811THIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORMNEC
13424UPA811T-T1HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORMNEC
13425UPA812HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORMNEC
13426UPA812THIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORMNEC
13427UPA812T-T1HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORMNEC
13428UPA813NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORMNEC
13429UPA813TNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORMNEC
13430UPA813T-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORMNEC
13431UPA814NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13432UPA814TVerbraucherverwendung Ultrahochfrequenz-Bipolar TransistorNEC
13433UPA814T-T1NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13434UPA814TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13435UPA814TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13436UPA814TFNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13437UPA81CSilikon Darlington TransistorreiheNEC
13438UPA821NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13439UPA821TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13440UPA821TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13441UPA821TFTwin-Transistoren mit dem gleichen Modell Chip ausgestattet (6P kleinen MM)NEC
13442UPA821TF-T1NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor.NEC
13443UPA822TFNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13444UPA826TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT den DÜNNEN BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-STIFTEN - SCHREIBEN Sie ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13445UPA826TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT den DÜNNEN BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-STIFTEN - SCHREIBEN Sie ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13446UPA826TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13447UPA826TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13448UPA827HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13449UPA827TFHIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13450UPA827TF-T1HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13451UPA828HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13452UPA828TFHIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13453UPA828TF-T1HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORMNEC
13454UPA829TFNPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTORNEC
13455UPA829TF-T1NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
13456UPA831NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13457UPA831TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13458UPA831TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13459UPA831TFTwin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (6P kleinen MM)NEC
13460UPA831TF-T1NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor.NEC
13461UPA832NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13462UPA832TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13463UPA832TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13464UPA833TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13465UPA833TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13466UPA834TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13467UPA834TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13468UPA835NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13469UPA835TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13470UPA835TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13471UPA835TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13472UPA835TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13473UPA836NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13474UPA836TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13475UPA836TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13476UPA836TDTwin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (6P kleinen MM)NEC
13477UPA836TD-T3Twin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (6P kleinen MM)NEC
13478UPA836TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13479UPA836TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN 6-STIFTEN THIN-TYPE KLEINES MINIFORM-PAKETNEC
13480UPA837TF-T1NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor.NEC
13481UPA838TF-T1NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor.NEC
13482UPA839TFNPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13483UPA839TF-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTORNEC
13484UPA840NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13485UPA840TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13486UPA840TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKETNEC
13487UPA840TFTwin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattetNEC
13488UPA840TF-T1Twin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattetNEC
13489UPA843TCNPN SILIKON-Rf TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13490UPA843TC-T1NPN SILIKON-Rf TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
13491UPA843TDTwin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (Silizium)NEC
13492UPA843TD-T3Twin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (Silizium)NEC
13493UPA861TDNECs NPN SILIKON-Rf DOPPELTRANSISTORNEC
13494UPA861TD-T3NECs NPN SILIKON-Rf DOPPELTRANSISTORNEC
13495UPA862TDNECs NPN SILIKON-Rf DOPPELTRANSISTORNEC
13496UPA862TD-T3NECs NPN SILIKON-Rf DOPPELTRANSISTORNEC
13497UPA880TSNPN SiGe Rf TRANSISTOR (MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN) IN6-STIFTEN SUPERLEAD-LESS MINIMOLD (PAKET 1007)NEC
13498UPA880TS-T3NPN SiGe Rf TRANSISTOR (MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN) IN6-STIFTEN SUPERLEAD-LESS MINIMOLD (PAKET 1007)NEC
13499UPA895TDNPN SILIKON-RF DOPPELTRANSISTORNEC
13500UPA895TD-T3NPN SILIKON-RF DOPPELTRANSISTORNEC



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