| 28411 | MJD122-1 | NPN-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | ON Semiconductor |
| 28412 | MJD122-D | Ergänzende Darlington Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28413 | MJD122T4 | Energie 8A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 28414 | MJD127 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 28415 | MJD127 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 28416 | MJD127-1 | PNP-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | ON Semiconductor |
| 28417 | MJD127T4 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 28418 | MJD127T4 | Energie 8A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 28419 | MJD128 | PNP Darlington Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 28420 | MJD13003-D | Hochspannungs-SWITCHMODE Reihe DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28421 | MJD148 | NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 28422 | MJD148-D | NPN Silikon-Energie Transistor DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28423 | MJD148T4 | NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 28424 | MJD18002D2 | Bipolar NPN Transistor | ON Semiconductor |
| 28425 | MJD18002D2-D | Zweipoliger NPN Energie Transistor zweipoliger des NPN Transistor-Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und Errichten- im leistungsfähigen Antisaturation Netz | ON Semiconductor |
| 28426 | MJD200 | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 28427 | MJD200-D | Ergänzendes PlastikSilikon DPAK Der ENERGIE Transistor-NPN/PNP Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28428 | MJD200RL | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 28429 | MJD200T4 | Ergänzende Plastikenergie Transistoren NPN | ON Semiconductor |
| 28430 | MJD210 | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28431 | MJD210RL | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28432 | MJD210T4 | Energie 5A 25V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28433 | MJD243 | Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28434 | MJD243-D | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistor DPAK für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28435 | MJD243T4 | Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28436 | MJD243T4G | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28437 | MJD253 | Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28438 | MJD253-001 | Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28439 | MJD253T4 | Plastikenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28440 | MJD2955 | Energie 10A 60V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28441 | MJD2955-001 | Energie 10A 60V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28442 | MJD2955-D | Ergänzende Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen NPN | ON Semiconductor |
| 28443 | MJD2955T4 | Energie 10A 60V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28444 | MJD3055 | Energie 10A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28445 | MJD3055T4 | Energie 10A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28446 | MJD31 | NPN 3A 100V Energie Silikon | ON Semiconductor |
| 28447 | MJD31-D | Ergänzende Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28448 | MJD31C | Energie 3A 100V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28449 | MJD31C1 | Energie 3A 100V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28450 | MJD31CRL | Energie 3A 100V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28451 | MJD31CT4 | Energie 3A 100V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 28452 | MJD31T4 | NPN 3A 100V Energie Silikon | ON Semiconductor |
| 28453 | MJD32 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 28454 | MJD32C | Energie 3A 100V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28455 | MJD32C1 | Energie 3A 100V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28456 | MJD32CRL | Energie 3A 100V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28457 | MJD32CT4 | Energie 3A 100V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28458 | MJD32RL | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 28459 | MJD32T4 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 28460 | MJD340 | Hochspannungsenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28461 | MJD340-D | Hochspannungsenergie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28462 | MJD340RL | Hochspannungsenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28463 | MJD340T4 | Hochspannungsenergie Transistor | ON Semiconductor |
| 28464 | MJD350 | Energie 5A 300V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28465 | MJD350T4 | Energie 5A 300V Getrenntes PNP | ON Semiconductor |
| 28466 | MJD41C | Energie 6A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 28467 | MJD41C-D | Ergänzende Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28468 | MJD41CRL | Energie 6A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 28469 | MJD41CT4 | Energie 6A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 28470 | MJD42C | Energie 6A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 28471 | MJD42C1 | Energie 6A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 28472 | MJD42CRL | Energie 6A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 28473 | MJD42CT4 | Energie 6A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 28474 | MJD44E3 | Darlington Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 28475 | MJD44E3-D | Darlington Energie Transistor DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendung | ON Semiconductor |
| 28476 | MJD44E3T4 | Darlington Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 28477 | MJD44H11 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels NPN | ON Semiconductor |
| 28478 | MJD44H11-001 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels NPN | ON Semiconductor |
| 28479 | MJD44H11-D | Ergänzende Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28480 | MJD44H11G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28481 | MJD44H11G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28482 | MJD44H11RL | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels NPN | ON Semiconductor |
| 28483 | MJD44H11T4 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels NPN | ON Semiconductor |
| 28484 | MJD44H11T4G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28485 | MJD44H11T4G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28486 | MJD44H11T5 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels NPN | ON Semiconductor |
| 28487 | MJD45H11 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels PNP | ON Semiconductor |
| 28488 | MJD45H11-001 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels PNP | ON Semiconductor |
| 28489 | MJD45H11G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28490 | MJD45H11G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28491 | MJD45H11RL | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels PNP | ON Semiconductor |
| 28492 | MJD45H11T4 | Energie 10A 80V Winkel des Leistungshebels PNP | ON Semiconductor |
| 28493 | MJD45H11T4G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28494 | MJD45H11T4G | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 28495 | MJD47 | Energie 1A 250V Inspektion NPN | ON Semiconductor |
| 28496 | MJD47-D | Hochspannungsenergie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 28497 | MJD47T4 | Energie 1A 250V Inspektion NPN | ON Semiconductor |
| 28498 | MJD50 | Energie 1A 400V Inspektion NPN | ON Semiconductor |
| 28499 | MJD50T4 | Energie 1A 400V Inspektion NPN | ON Semiconductor |
| 28500 | MJD5731 | Hochspannungs-PNP Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
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