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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1F1001PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
2F1001CPATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
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10F1012PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices



11F1014PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
12F1015PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
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