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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD Serienanwesenheit DetecSamsung Electronic
2128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
3128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD LeistungsblattSamsung Electronic
416L102DA4VAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPESamsung Electronic
516T202DA1JVAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPESamsung Electronic
620S207DA4VAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPESamsung Electronic
7256MBDDRSDRAMDDRSDRAMSpecificationVersion0.3Samsung Electronic
82N3903npn Epitaxial- SilikontransistorSamsung Electronic
92N3905PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
102N4123NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic



112N4124NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
122N4125PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
132N4126PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
142N5086PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
152N5089NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
162N5210NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
172N5400PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
182N5401PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
192N5550NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
202N6427NPN EPITAXIAL- TRANSISTOR DES SILIKON-DARLINGTONSamsung Electronic
212N6428NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
222N6428ANPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
232N6516NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
242N6517NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
252N6518PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
262N6519PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
272N6520PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
2862256Spitze 32Kx8 niedriges Energie CMOS Static RAMSamsung Electronic
29B772PNP (TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-LANGSAME SCHALTUNG)Samsung Electronic
30BCW30PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
31BCW32NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
32BCW33NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
33BCW60ANPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
34BCW60BNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
35BCW60CNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
36BCW60DNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
37BCW61APNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
38BCW61BPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
39BCW61CPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
40BCW61DPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
41BCW69PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
42BCW70PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
43BCW71NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
44BCW72NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
45BCX70GNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
46BCX70HNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
47BCX70JNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
48BCX70KNPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
49BCX71GPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
50BCX71HPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
51BCX71JPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
52BCX71KPNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
53BL8531H12 Bit 10MSPS ADCSamsung Electronic
54BL8531H-ADC12 Bit 10MSPS ADCSamsung Electronic
55BU406400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-TransistorSamsung Electronic
56BU406H400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-TransistorSamsung Electronic
57BU407NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTORSamsung Electronic
58BU407H330 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-TransistorSamsung Electronic
59BU408400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-TransistorSamsung Electronic
60BU806400 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-TransistorSamsung Electronic
61BU807400 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-TransistorSamsung Electronic
62C9658MIKROCONTROLLERSamsung Electronic
63CL10B224Mehrschichtiger Keramischer KondensatorSamsung Electronic
64CL21C220Mehrschichtiger Keramischer KondensatorSamsung Electronic
65CM-1429PWB SchaltplanSamsung Electronic
66CM-1829PWB SchaltplanSamsung Electronic
67CM14198-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
68CM14298-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
69CM18198-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
70CM18298-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
71CM1829-1429PWB SchaltplanSamsung Electronic
72CMOS DRAMEDO Modus, Vorrichtung x4 und x8 zeitliche Regelung DiagrammSamsung Electronic
73CMOS SDRAMCmos SDRAM Vorrichtung BetriebeSamsung Electronic
74CW5322XSDH104Samsung Electronic
75DA22497FM VORDERES ENDESamsung Electronic
76DA22497DFM VORDERES ENDESamsung Electronic
77DDRSDRAMDDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
78DDRSDRAM1111DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
79DIRECT RDRAMDirektes RDRAM. Vorrichtung BetriebSamsung Electronic
80DS_K1S161611ASpitze 1Mx16 Uni-Transistor RAMSamsung Electronic
81DS_K1S16161CASpitze 1Mx16 Seite Modus Uni-Transistor RAMSamsung Electronic
82DS_K4D263238D1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLLSamsung Electronic
83DS_K4S161622D1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
84DS_K4S161622E1M x 16 SDRAMSamsung Electronic
85DS_K6F1016U4C64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAMSamsung Electronic
86DS_K6F2008U2ESpitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
87DS_K6F2016U4E128K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
88DS_K6F3216T6M2M Spitze x16 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
89DS_K6F4016U6GSpitze 256Kx16 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
90DS_K6F8016U6B512K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
91DS_K6F8016U6C512K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAMSamsung Electronic
92DS_K6X8008C2BSpitze 1Mx8 niedrige Energie und Niederspannung CMOS Static RAMSamsung Electronic
93DS_K6X8008TBNCMOS SRAMSamsung Electronic
94DS_K6X8016C3B64Kx36 U. 64Kx32-Bit Synchroner Durch Rohre geleiteter Stoß SRAMSamsung Electronic
95DS_K7A803600B256Kx36Samsung Electronic
96DS_K7B803625B256Kx36 U. 512Kx18-Bit Synchroner Stoß SRAMSamsung Electronic
97DS_K7M323625M1Mx36 U. 2Mx18 Fließen-Durch NtRAMSamsung Electronic
98DS_K7M803625B256Kx36 U. 512Kx18-Bit Fließen NtRAM DurchSamsung Electronic
99DS_K7N163601A512Kx36 U. 1Mx18 Leiteten NtRAM Durch RohreSamsung Electronic
100DS_K7N323601M1Mx36 U. 2Mx18-Bit Leiteten NtRAM Durch RohreSamsung Electronic



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