| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 10301 | TIP127 | -100 V, -5 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10302 | TIP140F | 60 V, 5 A, PNP epitaktischen Silizium Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10303 | TIP140T | 60 V, 10 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10304 | TIP141F | 60 V, 5 A, PNP epitaktischen Silizium Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10305 | TIP141T | 60 V, 10 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10306 | TIP142F | 60 V, 5 A, PNP epitaktischen Silizium Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10307 | TIP142T | 60 V, 10 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor | Samsung Electronic |
| 10308 | TIP145F | PNP (HOHE GLEICHSTROMVERSTÄRKUNG) | Samsung Electronic |
| 10309 | TIP146F | PNP (HOHE GLEICHSTROMVERSTÄRKUNG) | Samsung Electronic |
| 10310 | TIP147F | PNP (HOHE GLEICHSTROMVERSTÄRKUNG) | Samsung Electronic |
| 10311 | TIP31 | NPN (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10312 | TIP31A | NPN (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10313 | TIP31B | NPN (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10314 | TIP31C | NPN (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10315 | TIP42 | PNP (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10316 | TIP42A | PNP (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10317 | TIP42B | PNP (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10318 | TIP42C | PNP (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | Samsung Electronic |
| 10319 | TL7231MD | VOLLES LAYER-III ISO/IEC 11172-3 AUDIODECODER | Samsung Electronic |
| 10320 | TL7232 | VOLLES AUDIODECODER DER SCHICHT-ISO/IEC 11172-3 | Samsung Electronic |
| 10321 | TL7232MD | VOLLES LAYER-III ISO/IEC 11172-3 AUDIOCODEC | Samsung Electronic |
| 10322 | U3055A | BV (DSS): 60V; R (ds-on): 0,15 Ohm; I (d): 8 A; Advanced Power MOSFET | Samsung Electronic |
| 10323 | UG32F11 | Sichtanzeigegeräte/Specifica Del Modulo LCD | Samsung Electronic |
| 10324 | UM_S3C2501X | 32-BIT RISC MIKROPROZESSOR | Samsung Electronic |
| 10325 | UM_S3C49F9X | S3C49F9X Benutzerhandbuch | Samsung Electronic |
| 10326 | UP1100 | Benutzerhandbuch Motherboard- | Samsung Electronic |
| 10327 | UP1100 | Motherboard Linux Betriebssystem | Samsung Electronic |
| 10328 | UP1100 | Schneller Führer Installation Anfangs des Motherboards | Samsung Electronic |
| 10329 | V62C5181024LL-70P | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
| | | |
