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Datenblaetter Gefunden :: 10329

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
1901	K4M64163PH-RG	1M x 16Bit x 4 Bänke bewegliches SDRAM in 54CSP	Samsung Electronic
1902	K4N26323AE	128Mbit GDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1903	K4N26323AE-GC20	128Mbit GDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1904	K4N26323AE-GC22	128Mbit GDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1905	K4N26323AE-GC25	128Mbit GDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1906	K4N56163QF	256Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1907	K4N56163QF-GC	256Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1908	K4N56163QF-GC25	256Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1909	K4N56163QF-GC30	256Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung Electronic
1910	K4N56163QF-GC37	256Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung Electronic

1911	K4R271669A	Direktes RDRAM	Samsung Electronic
1912	K4R271669A-N(M)CK7	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1913	K4R271669A-N(M)CK8	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1914	K4R271669A-NB(M)CCG6	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1915	K4R271669AM-CG6	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz.	Samsung Electronic
1916	K4R271669AM-CK7	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.	Samsung Electronic
1917	K4R271669AM-CK8	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.	Samsung Electronic
1918	K4R271669AN-CG6	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Frequenz 600 MHz.	Samsung Electronic
1919	K4R271669AN-CK7	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.	Samsung Electronic
1920	K4R271669AN-CK8	256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.	Samsung Electronic
1921	K4R271669B	Direktes RDRAM	Samsung Electronic
1922	K4R271669B	Direktes RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1923	K4R271669B-MCG6	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz.	Samsung Electronic
1924	K4R271669B-MCK7	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz.	Samsung Electronic
1925	K4R271669B-MCK8	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz.	Samsung Electronic
1926	K4R271669B-N(M)CG6	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1927	K4R271669B-N(M)CK7	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1928	K4R271669B-NB(M)CCK8	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1929	K4R271669B-NCG6	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz.	Samsung Electronic
1930	K4R271669B-NCK7	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz	Samsung Electronic
1931	K4R271669B-NCK8	256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz	Samsung Electronic
1932	K4R271669D	Direktes RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1933	K4R271669D-T	128Mbit RDRAM(D-die)	Samsung Electronic
1934	K4R271669D-TCS8	128Mbit RDRAM(D-die)	Samsung Electronic
1935	K4R271669E	128Mbit RDRAM(E-die)	Samsung Electronic
1936	K4R271669F	128Mbit RDRAM(F-die)	Samsung Electronic
1937	K4R271869B-MCG6	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz.	Samsung Electronic
1938	K4R271869B-MCK7	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz.	Samsung Electronic
1939	K4R271869B-MCK8	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz.	Samsung Electronic
1940	K4R271869B-NCG6	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz.	Samsung Electronic
1941	K4R271869B-NCK7	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz.	Samsung Electronic
1942	K4R271869B-NCK8	256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz.	Samsung Electronic
1943	K4R441869A	Direktes RDRAM	Samsung Electronic
1944	K4R441869A-N(M)	K4R271669A-N(M):Direct RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1945	K4R441869A-N(M)CG6	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1946	K4R441869A-N(M)CK7	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1947	K4R441869A-N(M)CK8	256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1948	K4R441869AM-CG6	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz.	Samsung Electronic
1949	K4R441869AM-CK7	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.	Samsung Electronic
1950	K4R441869AM-CK8	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.	Samsung Electronic
1951	K4R441869AN-CG6	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz.	Samsung Electronic
1952	K4R441869AN-CK7	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.	Samsung Electronic
1953	K4R441869AN-CK8	256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.	Samsung Electronic
1954	K4R441869B	K4R271669B:Direct RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1955	K4R441869B	Direktes RDRAM	Samsung Electronic
1956	K4R441869B-N(M)CG6	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1957	K4R441869B-N(M)CK7	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1958	K4R441869B-N(M)CK8	256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1959	K4R521669A	250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s Banks	Samsung Electronic
1960	K4R57(88)16(8)69A	Direktes RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1961	K4R571669D	256/288Mbit RDRAM(D-die)	Samsung Electronic
1962	K4R571669M	Direktes RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1963	K4R761869A	250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s Banks	Samsung Electronic
1964	K4R761869A-F	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1965	K4R761869A-FBCCN1	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1966	K4R761869A-FCM8	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1967	K4R761869A-FCT9	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1968	K4R761869A-GCM8	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1969	K4R761869A-GCN1	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1970	K4R761869A-GCT9	576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM	Samsung Electronic
1971	K4R881869	288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1972	K4R881869D	256/288Mbit RDRAM(D-die)	Samsung Electronic
1973	K4R881869M	Direktes RDRAM	Samsung Electronic
1974	K4R881869M	Direktes RDRAM. Leistungsblatt	Samsung Electronic
1975	K4R881869M-NBCCG6	288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1976	K4R881869M-NCK7	288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1977	K4R881869M-NCK8	288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM	Samsung Electronic
1978	K4S160822D	1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1979	K4S160822DT-G/F10	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1980	K4S160822DT-G/F7	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1981	K4S160822DT-G/F8	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1982	K4S160822DT-G/FH	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1983	K4S160822DT-G/FL	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL	Samsung Electronic
1984	K4S161622D	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1985	K4S161622D-TC/L/I/P	512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt	Samsung Electronic
1986	K4S161622D-TC/L/I/P	512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt	Samsung Electronic
1987	K4S161622D-TC/L10	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1988	K4S161622D-TC/L55	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1989	K4S161622D-TC/L60	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1990	K4S161622D-TC/L70	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1991	K4S161622D-TC/L80	512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM	Samsung Electronic
1992	K4S161622D-TI/E10	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1993	K4S161622D-TI/E50	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1994	K4S161622D-TI/E55	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1995	K4S161622D-TI/E60	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1996	K4S161622D-TI/E70	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1997	K4S161622D-TI/E80	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1998	K4S161622E	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
1999	K4S161622E-TC/I/E	512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt	Samsung Electronic
2000	K4S161622E-TC/I/E	512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt	Samsung Electronic

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