2811 | K4T56083QF | 256Mb F-sterben DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
2812 | K4T56083QF-GCD5 | 256Mb F-sterben DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
2813 | K4T56083QF-GCE6 | 256Mb F-sterben DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
2814 | K4T56083QF-ZCD5 | 256Mb F-sterben DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
2815 | K4T56083QF-ZCE6 | 256Mb F-sterben DDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
2816 | K4X56163PE | 16M x16 Bewegliches DDR SDRAM | Samsung Electronic |
2817 | K4X56163PE-LFG | 16M x16 Bewegliches DDR SDRAM | Samsung Electronic |
2818 | K4X56163PE-LG | 16M x16 Bewegliches DDR SDRAM | Samsung Electronic |
2819 | K5A3240YBC-T755 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2820 | K5A3240YBC-T855 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2821 | K5A3240YT | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2822 | K5A3240YTC-T755 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2823 | K5A3240YTC-T855 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2824 | K5A3280YBC-T755 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2825 | K5A3280YBC-T855 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2826 | K5A3280YTC-T755 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2827 | K5A3280YTC-T855 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2828 | K5A3340YBC-T755 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2829 | K5A3340YBC-T855 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2830 | K5A3340YT | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2831 | K5A3340YTA, K5A3340YBA | Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des 32M Bit-(4Mx8/2Mx16)/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2832 | K5A3340YTC-T755 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2833 | K5A3340YTC-T855 | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2834 | K5A3380YBC-T755 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2835 | K5A3380YBC-T855 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2836 | K5A3380YTA, K5A3380YBA | Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des 32M Bit-(4Mx8/2Mx16)/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2837 | K5A3380YTC-T755 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2838 | K5A3380YTC-T855 | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2839 | K5A3B41YTA, K5A3B41YBA | Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des 32M Bit-(2Mx16)/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2840 | K5A3X40YTC | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 32M Doppelbank-NOCH Blitz-Gedächtnis Des Bit-(4Mx8/2Mx16)/4M(512Kx8/256Kx16) Voller Cmos SRAM | Samsung Electronic |
2841 | K5A3X80YTC | MCP GEDÄCHTNIS | Samsung Electronic |
2842 | K5C6417YTM/K5C6417YBM | 64M Bit (4Mx16) Vier Bank NOCH Blitz-Gedächtnis-Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2843 | K5C6481NT(B)M | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2844 | K5D5657ACM | 256Mb NAND und 256Mb bewegliches SDRAM | Samsung Electronic |
2845 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb NAND und 256Mb bewegliches SDRAM | Samsung Electronic |
2846 | K5P2880YCM | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 128M NAND Des Bit-16Mx8 Grelles Bit 1Mx8/512Kx16 Voller Cmos SRAM Des Gedächtnis-/ 8M | Samsung Electronic |
2847 | K5P2880YCM - T085 | NAND Des 128M Bit-(16Mx8) Grelles Gedächtnis/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2848 | K5P2880YCM-T085 | 128M Bit (16Mx8) NAND-Flash-Speicher / 8M Bit (1Mx8 / 512Kx16) volle CMOS SRAM | Samsung Electronic |
2849 | K5P6480YCM - T085 | NAND Des 64M Bit-(8Mx8) Grelles Gedächtnis/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2850 | K5Q6432YCM - T010 | 64M Bit-Spannung Volles Cmos Statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2851 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours Banken NOR-Flash-Speicher / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
2852 | K5T6432YT | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 64M Des Bit-4Mx16 Vier Bit 2Mx16 UtRAM Bank-NOCH Blitz-Des Gedächtnis-/ 32M | Samsung Electronic |
2853 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours Banken NOR-Flash-Speicher / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
2854 | K64004C1D | Funktionierender Spitze 1Mx4 Schnellstatic RAM(5.0V). Funktioniert an den kommerziellen und industriellen Temperaturspannen. | Samsung Electronic |
2855 | K6E0808C1C | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
2856 | K6E0808C1C-12 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
2857 | K6E0808C1C-15 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
2858 | K6E0808C1C-20 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
2859 | K6E0808C1C-C | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
2860 | K6E0808C1E | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2861 | K6E0808C1E-C | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2862 | K6E0808C1E-C10 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2863 | K6E0808C1E-C12 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2864 | K6E0808C1E-C15 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2865 | K6E0808C1E-I | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2866 | K6E0808C1E-I10 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2867 | K6E0808C1E-I12 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2868 | K6E0808C1E-I15 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2869 | K6E0808C1E-L | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2870 | K6E0808C1E-P | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2871 | K6F1008V2C | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2872 | K6F1008V2C-F | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2873 | K6F1008V2C-YF55 | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2874 | K6F1008V2C-YF70 | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2875 | K6F1016U4C-EF55 | 64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAM | Samsung Electronic |
2876 | K6F1016U4C-EF70 | 64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAM | Samsung Electronic |
2877 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2878 | K6F1616T6B | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2879 | K6F1616T6B-EF55 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2880 | K6F1616T6B-EF70 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2881 | K6F1616T6B-F | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2882 | K6F1616T6B-TF55 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2883 | K6F1616T6B-TF70 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2884 | K6F1616T6C | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2885 | K6F1616T6C-F | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2886 | K6F1616T6C-FF55 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2887 | K6F1616T6C-FF70 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2888 | K6F1616U6A FAMILY | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2889 | K6F1616U6C | 16Mb(1M x 16 Bit) niedrige Energie SRAM | Samsung Electronic |
2890 | K6F1616U6M | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2891 | K6F1616U6M FAMILY | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2892 | K6F1616U6M-F | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2893 | K6F2008S2E | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2894 | K6F2008S2E FAMILY | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2895 | K6F2008S2E-F | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2896 | K6F2008U2E FAMILY | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
2897 | K6F2008U2E-EF55 | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2898 | K6F2008U2E-EF70 | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2899 | K6F2008U2E-YF55 | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
2900 | K6F2008U2E-YF70 | Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
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