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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
5801KM416C1204CJ-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 5,0 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
5802KM416C1204CJ-65V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
5803KM416C1204CJ-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 5,0 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
5804KM416C1204CJ-L455V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 45nsSamsung Electronic
5805KM416C1204CJ-L55V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
5806KM416C1204CJ-L65V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
5807KM416C1204CJL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5808KM416C1204CJL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5809KM416C1204CJL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5810KM416C1204CT-455V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 45nsSamsung Electronic



5811KM416C1204CT-55V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
5812KM416C1204CT-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 5,0 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
5813KM416C1204CT-65V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
5814KM416C1204CT-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 5,0 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
5815KM416C1204CT-L455V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 45nsSamsung Electronic
5816KM416C1204CT-L55V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
5817KM416C1204CT-L65V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
5818KM416C1204CTL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5819KM416C1204CTL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5820KM416C1204CTL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 5,0 V, Self-RefreshSamsung Electronic
5821KM416C254D256K x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
5822KM416C254DJ-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 50ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5823KM416C254DJ-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 60ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5824KM416C254DJ-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 70 ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5825KM416C254DJL-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 50ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5826KM416C254DJL-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 60ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5827KM416C254DJL-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 70 ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5828KM416C254DT-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 50ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5829KM416C254DT-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 60ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5830KM416C254DT-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 70 ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
5831KM416C254DTL-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 50ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5832KM416C254DTL-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 60ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5833KM416C254DTL-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 5,0 V, 70 ns, Self-RefreshSamsung Electronic
5834KM416C256D256K x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
5835KM416C256DJ-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 5VSamsung Electronic
5836KM416C256DJ-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 5VSamsung Electronic
5837KM416C256DJ-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 5VSamsung Electronic
5838KM416C256DLJ-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5839KM416C256DLJ-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5840KM416C256DLJ-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5841KM416C256DLT-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5842KM416C256DLT-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5843KM416C256DLT-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 5V, Self-Refresh-FunktionSamsung Electronic
5844KM416C256DT-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 5VSamsung Electronic
5845KM416C256DT-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 5VSamsung Electronic
5846KM416C256DT-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 5VSamsung Electronic
5847KM416C4000B4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
5848KM416C4000BS-454m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 8K refresh, 45nsSamsung Electronic
5849KM416C4000BS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 8K refresh, 50nsSamsung Electronic
5850KM416C4000BS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 8K refresh, 60nsSamsung Electronic
5851KM416C4000C4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
5852KM416C4000CS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 8K refresh, 50nsSamsung Electronic
5853KM416C4000CS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 8K refresh, 60nsSamsung Electronic
5854KM416C4004C4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
5855KM416C4004CS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 5V, 8K refresh, 50nsSamsung Electronic
5856KM416C4004CS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 5V, 8K refresh, 60nsSamsung Electronic
5857KM416C4100B4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
5858KM416C4100BS-454m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 4K refresh, 45nsSamsung Electronic
5859KM416C4100BS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 4K refresh, 50nsSamsung Electronic
5860KM416C4100BS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 4K refresh, 60nsSamsung Electronic
5861KM416C4100C4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
5862KM416C4100CS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 4K refresh, 50nsSamsung Electronic
5863KM416C4100CS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 4K refresh, 60nsSamsung Electronic
5864KM416C4104C4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
5865KM416C4104CS-54m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 5V, 4K refresh, 50nsSamsung Electronic
5866KM416C4104CS-64m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 5V, 4K refresh, 60nsSamsung Electronic
5867KM416L8031BT128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
5868KM416L8031BT-F0128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10ns.Samsung Electronic
5869KM416L8031BT-FY128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7.5ns.Samsung Electronic
5870KM416L8031BT-FZ128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7.5ns.Samsung Electronic
5871KM416L8031BT-G(F)0DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
5872KM416L8031BT-G(F)YDDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
5873KM416L8031BT-G(F)ZDDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
5874KM416L8031BT-G(L)0DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
5875KM416L8031BT-G(L)YDDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
5876KM416L8031BT-G(L)ZDDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
5877KM416L8031BT-G0128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10ns.Samsung Electronic
5878KM416L8031BT-GY128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
5879KM416L8031BT-GZ128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
5880KM416RD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5881KM416RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5882KM416RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5883KM416RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5884KM416RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5885KM416RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5886KM416RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5887KM416RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5888KM416RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5889KM416RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5890KM416RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5891KM416RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5892KM416RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5893KM416RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5894KM416RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5895KM416RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5896KM416RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5897KM416RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5898KM416RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5899KM416RD8AC(DB)-RCG60128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
5900KM416RD8AC-RG60256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, Geschwindigkeit: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic



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