5911 | KM416RD8AS-SM80 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken für Verbraucher Paket. Zugriffszeit: 40 ns, Geschwindigkeit: 800 Mbps (400 MHz). | Samsung Electronic |
5912 | KM416RD8C | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5913 | KM416RD8D | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5914 | KM416S4030C | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5915 | KM416S4030CT-F10 | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5916 | KM416S4030CT-F7 | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5917 | KM416S4030CT-F8 | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5918 | KM416S4030CT-FH | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5919 | KM416S4030CT-FL | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5920 | KM416S4030CT-G | 1M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5921 | KM416S4030CT-G7 | 64Mbit (1M x 16bit x 4 Banken) bynchronous DRAMA LVTTL, 143MHz | Samsung Electronic |
5922 | KM416S4030CT-G8 | 64Mbit (1M x 16bit x 4 Banken) bynchronous DRAMA LVTTL, 125MHz | Samsung Electronic |
5923 | KM416S4030CT-GH | 64Mbit (1M x 16bit x 4 Banken) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHz | Samsung Electronic |
5924 | KM416S4030CT-GL | 64Mbit (1M x 16bit x 4 Banken) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHz | Samsung Electronic |
5925 | KM416S4030CT-L10 | 64Mbit (1M x 16bit x 4 Banken) bynchronous DRAMA LVTTL, 100MHz | Samsung Electronic |
5926 | KM416S8030 | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5927 | KM416S8030B | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5928 | KM416S8030BT-G/F10 | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5929 | KM416S8030BT-G/F8 | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5930 | KM416S8030BT-G/FA | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5931 | KM416S8030BT-G/FH | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5932 | KM416S8030BT-G/FL | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
5933 | KM416S8030T-G/F10 | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5934 | KM416S8030T-G/F8 | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5935 | KM416S8030T-G/FH | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5936 | KM416S8030T-G/FL | 2M x 16Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
5937 | KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
5938 | KM416V1000BJ-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5939 | KM416V1000BJ-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5940 | KM416V1000BJ-7 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
5941 | KM416V1000BJL-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5942 | KM416V1000BJL-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5943 | KM416V1000BJL-7 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
5944 | KM416V1000BT-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5945 | KM416V1000BT-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5946 | KM416V1000BT-7 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
5947 | KM416V1000BTL-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5948 | KM416V1000BTL-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5949 | KM416V1000BTL-7 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
5950 | KM416V1000C | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
5951 | KM416V1000CJ-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5952 | KM416V1000CJ-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5953 | KM416V1000CJL-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5954 | KM416V1000CJL-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5955 | KM416V1000CT-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5956 | KM416V1000CT-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5957 | KM416V1000CTL-5 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
5958 | KM416V1000CTL-6 | 1m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
5959 | KM416V1004A | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5960 | KM416V1004A-6 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5961 | KM416V1004A-7 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5962 | KM416V1004A-8 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5963 | KM416V1004A-F6 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5964 | KM416V1004A-F7 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5965 | KM416V1004A-F8 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5966 | KM416V1004A-L6 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5967 | KM416V1004A-L7 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5968 | KM416V1004A-L8 | 1M x 16 BITCMOS DYNAMISCHES RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUS | Samsung Electronic |
5969 | KM416V1004AJ-6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5970 | KM416V1004AJ-7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5971 | KM416V1004AJ-8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5972 | KM416V1004AJ-F6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5973 | KM416V1004AJ-F7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5974 | KM416V1004AJ-F8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5975 | KM416V1004AJ-L6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5976 | KM416V1004AJ-L7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5977 | KM416V1004AJ-L8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5978 | KM416V1004AR-6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5979 | KM416V1004AR-7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5980 | KM416V1004AR-8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5981 | KM416V1004AR-F6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5982 | KM416V1004AR-F7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5983 | KM416V1004AR-F8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5984 | KM416V1004AR-L6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5985 | KM416V1004AR-L7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5986 | KM416V1004AR-L8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5987 | KM416V1004AT-6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5988 | KM416V1004AT-7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5989 | KM416V1004AT-8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5990 | KM416V1004AT-F6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5991 | KM416V1004AT-F7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5992 | KM416V1004AT-F8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5993 | KM416V1004AT-L6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5994 | KM416V1004AT-L7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5995 | KM416V1004AT-L8 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 80ns | Samsung Electronic |
5996 | KM416V1004BJ-5 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
5997 | KM416V1004BJ-6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
5998 | KM416V1004BJ-7 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70ns | Samsung Electronic |
5999 | KM416V1004BJ-L5 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
6000 | KM416V1004BJ-L6 | 3.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
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