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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
6301KM44C4103CK-64m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
6302KM44C4103CKL-54m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic
6303KM44C4103CKL-64m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
6304KM44C4103CS-54m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic
6305KM44C4103CS-64m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
6306KM44C4103CSL-54m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic
6307KM44C4103CSL-64m x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
6308KM44C4104A-550ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6309KM44C4104A-660ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6310KM44C4104A-770ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic



6311KM44C4104A-880ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6312KM44C4104AL-550ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6313KM44C4104AL-660ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6314KM44C4104AL-770ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6315KM44C4104AL-880ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6316KM44C4104ALL-550ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6317KM44C4104ALL-660ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6318KM44C4104ALL-770ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6319KM44C4104ALL-880ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6320KM44C4104ASL-550ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6321KM44C4104ASL-660ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6322KM44C4104ASL-770ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6323KM44C4104ASL-880ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6324KM44C4105C4M x 4Bit CMOS Viererkabel CAS DRAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
6325KM44C4105CK-54M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6326KM44C4105CK-64M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6327KM44C4105CKL-54M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6328KM44C4105CKL-64M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6329KM44C4105CS-54M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6330KM44C4105CS-64M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6331KM44C4105CSL-54M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6332KM44C4105CSL-64M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6333KM44L32031BT128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
6334KM44L32031BT-F0128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10 ns.Samsung Electronic
6335KM44L32031BT-FY128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
6336KM44L32031BT-FZ128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
6337KM44L32031BT-G(F)0DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
6338KM44L32031BT-G(F)YDDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
6339KM44L32031BT-G(F)ZDDR SDRAM Spezifikation Version 0.61Samsung Electronic
6340KM44L32031BT-G(L)0DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
6341KM44L32031BT-G(L)YDDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
6342KM44L32031BT-G(L)ZDDR SDRAM Spezifikation Version 1.0Samsung Electronic
6343KM44L32031BT-G0128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10 ns.Samsung Electronic
6344KM44L32031BT-GY128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
6345KM44L32031BT-GZ128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns.Samsung Electronic
6346KM44S16030BT-G_F10100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6347KM44S16030BT-G_F8125MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6348KM44S16030BT-G_FH100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6349KM44S16030BT-G_FL100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6350KM44S16030CT-G_F10100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6351KM44S16030CT-G_F7143MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6352KM44S16030CT-G_F8125MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6353KM44S16030CT-G_FH100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6354KM44S16030CT-G_FL100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAMSamsung Electronic
6355KM44S320308M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
6356KM44S32030B8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6357KM44S32030BT-G/F10128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6358KM44S32030BT-G/F8128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6359KM44S32030BT-G/FA128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6360KM44S32030BT-G/FH128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6361KM44S32030BT-G/FL128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
6362KM44S32030T-G/F108M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
6363KM44S32030T-G/F88M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
6364KM44S32030T-G/FH8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
6365KM44S32030T-G/FL8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
6366KM44S3203BT-G_F108M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 66 MHz (CL = 2 & 3).Samsung Electronic
6367KM44S3203BT-G_F88M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 125 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6368KM44S3203BT-G_FA8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 133 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6369KM44S3203BT-G_FH8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 2).Samsung Electronic
6370KM44S3203BT-G_FL8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
6371KM44V1000D1M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6372KM44V1000DJ-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6373KM44V1000DJ-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6374KM44V1000DJL-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6375KM44V1000DJL-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6376KM44V1000DT-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6377KM44V1000DT-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6378KM44V1000DTL-61m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6379KM44V1000DTL-71m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6380KM44V4000C4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6381KM44V4000CK-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6382KM44V4000CK-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6383KM44V4000CKL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6384KM44V4000CKL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6385KM44V4000CS-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6386KM44V4000CS-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6387KM44V4000CSL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6388KM44V4000CSL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6389KM44V4100C4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6390KM44V4100CK-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6391KM44V4100CK-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6392KM44V4100CKL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6393KM44V4100CKL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6394KM44V4100CS-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6395KM44V4100CS-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6396KM44V4100CSL-54m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6397KM44V4100CSL-64m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6398KM44V4104BKV (cc): -0,5 bis + 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten ausSamsung Electronic
6399KM48C2000B2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6400KM48C2000BK-52M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic



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