6311 | KM44C4104A-8 | 80ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6312 | KM44C4104AL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6313 | KM44C4104AL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6314 | KM44C4104AL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6315 | KM44C4104AL-8 | 80ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6316 | KM44C4104ALL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6317 | KM44C4104ALL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6318 | KM44C4104ALL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6319 | KM44C4104ALL-8 | 80ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6320 | KM44C4104ASL-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6321 | KM44C4104ASL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6322 | KM44C4104ASL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6323 | KM44C4104ASL-8 | 80ns; V (cc / in / out): -1 bis + 7 V; 1W; 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6324 | KM44C4105C | 4M x 4Bit CMOS Viererkabel CAS DRAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
6325 | KM44C4105CK-5 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
6326 | KM44C4105CK-6 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
6327 | KM44C4105CKL-5 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
6328 | KM44C4105CKL-6 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
6329 | KM44C4105CS-5 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
6330 | KM44C4105CS-6 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
6331 | KM44C4105CSL-5 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50ns | Samsung Electronic |
6332 | KM44C4105CSL-6 | 4M x 4bit CMOS Quad CAS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60ns | Samsung Electronic |
6333 | KM44L32031BT | 128MB DDR SDRAM | Samsung Electronic |
6334 | KM44L32031BT-F0 | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10 ns. | Samsung Electronic |
6335 | KM44L32031BT-FY | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns. | Samsung Electronic |
6336 | KM44L32031BT-FZ | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns. | Samsung Electronic |
6337 | KM44L32031BT-G(F)0 | DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61 | Samsung Electronic |
6338 | KM44L32031BT-G(F)Y | DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61 | Samsung Electronic |
6339 | KM44L32031BT-G(F)Z | DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61 | Samsung Electronic |
6340 | KM44L32031BT-G(L)0 | DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0 | Samsung Electronic |
6341 | KM44L32031BT-G(L)Y | DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0 | Samsung Electronic |
6342 | KM44L32031BT-G(L)Z | DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0 | Samsung Electronic |
6343 | KM44L32031BT-G0 | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 100 MHz, Geschwindigkeit 10 ns. | Samsung Electronic |
6344 | KM44L32031BT-GY | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns. | Samsung Electronic |
6345 | KM44L32031BT-GZ | 128 MB DDR SDRAM. Version 0.61, Betriebs Freq. 133 MHz, Geschwindigkeit 7,5 ns. | Samsung Electronic |
6346 | KM44S16030BT-G_F10 | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6347 | KM44S16030BT-G_F8 | 125MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6348 | KM44S16030BT-G_FH | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6349 | KM44S16030BT-G_FL | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6350 | KM44S16030CT-G_F10 | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6351 | KM44S16030CT-G_F7 | 143MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6352 | KM44S16030CT-G_F8 | 125MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6353 | KM44S16030CT-G_FH | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6354 | KM44S16030CT-G_FL | 100MHz; -1,0 Bis 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4 Bit x 4 Banks synchronen CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
6355 | KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
6356 | KM44S32030B | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6357 | KM44S32030BT-G/F10 | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6358 | KM44S32030BT-G/F8 | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6359 | KM44S32030BT-G/FA | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6360 | KM44S32030BT-G/FH | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6361 | KM44S32030BT-G/FL | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
6362 | KM44S32030T-G/F10 | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
6363 | KM44S32030T-G/F8 | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
6364 | KM44S32030T-G/FH | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
6365 | KM44S32030T-G/FL | 8M x 4Bit x 4 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
6366 | KM44S3203BT-G_F10 | 8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 66 MHz (CL = 2 & 3). | Samsung Electronic |
6367 | KM44S3203BT-G_F8 | 8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 125 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
6368 | KM44S3203BT-G_FA | 8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 133 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
6369 | KM44S3203BT-G_FH | 8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 2). | Samsung Electronic |
6370 | KM44S3203BT-G_FL | 8M x 4bit x 4 Banken Synchron DRAMA LVTTL. Max freq. 100 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
6371 | KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
6372 | KM44V1000DJ-6 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6373 | KM44V1000DJ-7 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
6374 | KM44V1000DJL-6 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6375 | KM44V1000DJL-7 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
6376 | KM44V1000DT-6 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6377 | KM44V1000DT-7 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
6378 | KM44V1000DTL-6 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6379 | KM44V1000DTL-7 | 1m x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70ns | Samsung Electronic |
6380 | KM44V4000C | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
6381 | KM44V4000CK-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6382 | KM44V4000CK-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6383 | KM44V4000CKL-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6384 | KM44V4000CKL-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6385 | KM44V4000CS-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6386 | KM44V4000CS-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6387 | KM44V4000CSL-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6388 | KM44V4000CSL-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6389 | KM44V4100C | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
6390 | KM44V4100CK-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6391 | KM44V4100CK-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6392 | KM44V4100CKL-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6393 | KM44V4100CKL-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6394 | KM44V4100CS-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6395 | KM44V4100CS-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6396 | KM44V4100CSL-5 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
6397 | KM44V4100CSL-6 | 4m x 4Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
6398 | KM44V4104BK | V (cc): -0,5 bis + 4,6 V; 1W; 50mA; 4M x 4-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus | Samsung Electronic |
6399 | KM48C2000B | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
6400 | KM48C2000BK-5 | 2M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
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