711 | K4E661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
712 | K4E661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
713 | K4E661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
714 | K4E661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
715 | K4E661612C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
716 | K4E661612C-45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
717 | K4E661612C-50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
718 | K4E661612C-60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
719 | K4E661612C-L | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
720 | K4E661612C-L45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
721 | K4E661612C-L50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
722 | K4E661612C-L60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
723 | K4E661612C-T | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
724 | K4E661612C-T45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
725 | K4E661612C-T50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
726 | K4E661612C-T60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
727 | K4E661612C-TC | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
728 | K4E661612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
729 | K4E661612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
730 | K4E661612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
731 | K4E661612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
732 | K4E661612C-TL50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
733 | K4E661612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
734 | K4E661612D | CMOS DRAM | Samsung Electronic |
735 | K4E661612D, K4E641612D | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
736 | K4E661612D, K4E641612D | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
737 | K4E661612E, K4E641612E | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
738 | K4E661612E, K4E641612E | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
739 | K4F151611 | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
740 | K4F151611D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
741 | K4F151611D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
742 | K4F151611D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
743 | K4F151612D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
744 | K4F151612D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
745 | K4F151612D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
746 | K4F16(7)0811(2)D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-Leistungsblatt | Samsung Electronic |
747 | K4F160411C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
748 | K4F160411C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
749 | K4F160411C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
750 | K4F160411C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
751 | K4F160411D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
752 | K4F160411D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
753 | K4F160411D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
754 | K4F160412C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
755 | K4F160412C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
756 | K4F160412C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
757 | K4F160412C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
758 | K4F160412D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
759 | K4F160412D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
760 | K4F160412D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
761 | K4F160811D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
762 | K4F160811D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
763 | K4F160811D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
764 | K4F160812D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
765 | K4F160812D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
766 | K4F160812D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
767 | K4F170411C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
768 | K4F170411C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
769 | K4F170411C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
770 | K4F170411C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
771 | K4F170411D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
772 | K4F170411D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
773 | K4F170411D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
774 | K4F170412C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
775 | K4F170412C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
776 | K4F170412C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
777 | K4F170412C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
778 | K4F170412D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
779 | K4F170412D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
780 | K4F170412D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
781 | K4F170811D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
782 | K4F170811D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
783 | K4F170811D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
784 | K4F170812D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
785 | K4F170812D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
786 | K4F170812D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
787 | K4F171611D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
788 | K4F171611D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
789 | K4F171611D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
790 | K4F171612D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
791 | K4F171612D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
792 | K4F171612D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
793 | K4F640412D | 16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
794 | K4F640412D-JC_L | 16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
795 | K4F640412D-TC_L | 16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
796 | K4F640811B | 8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
797 | K4F640811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
798 | K4F640811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
799 | K4F640811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
800 | K4F640811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
| | | |