| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 201 | 2N3439CSM4 | HOCHSPANNUNG, MITTLERE ENERGIE, NPN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 202 | 2N3439CSM4R | HOCHSPANNUNG, MITTLERE ENERGIE, NPN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 203 | 2N3440 | HOCHSPANNUNGSNPN TRANSISTOREN | SemeLAB |
| 204 | 2N3440CSM4R | HOCHSPANNUNG, MITTLERE ENERGIE, NPN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 205 | 2N3441 | MITTLERER TRANSISTOR DES ENERGIE SILIKON-NPN | SemeLAB |
| 206 | 2N3445 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 207 | 2N3447 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 208 | 2N3501CSM4 | HOCHSPANNUNG, MITTLERE ENERGIE, NPN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 209 | 2N3502 | PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | SemeLAB |
| 210 | 2N3503 | PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | SemeLAB |
| 211 | 2N3504 | PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | SemeLAB |
| 212 | 2N3505 | PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | SemeLAB |
| 213 | 2N3535 | Zweipolige NPNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 214 | 2N3535 | Zweipolige NPNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 215 | 2N3558 | Zweipolige NPNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 216 | 2N3637 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 217 | 2N3637CSM | PNP SILIKON-TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 218 | 2N3665 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 219 | 2N3700DCSM | HOCHSPANNUNG, MITTLERE ENERGIE, NPN VERDOPPELN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 220 | 2N3716 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 221 | 2N3734 | Zweipolige NPN Vorrichtung in aHermetically Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 222 | 2N3738 | SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-NPN | SemeLAB |
| 223 | 2N3739 | SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-NPN | SemeLAB |
| 224 | 2N3767 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 225 | 2N3792 | PNP SILIKON-EPITAXIAL- NIEDRIGE ENERGIE TANSISTORS | SemeLAB |
| 226 | 2N3799 | PNP, NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 227 | 2N3799X | PNP, NIEDRIGER GERÄUSCH-VERSTÄRKER-TRANSISTOR | SemeLAB |
| 228 | 2N3810DCSM | HOHE VERDOPPELUNGTRANSISTOREN Des GEWINN-PNP IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 229 | 2N3904 | UNIVERSELLER NPN TRANSISTOR FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 230 | 2N3904-T18 | VCE 40 V, 0,2 A IC 300 MHz NPN-Bipolartransistor | SemeLAB |
| 231 | 2N3904CSM | UNIVERSELLER NPN TRANSISTOR IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 232 | 2N3918 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 233 | 2N3931 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 234 | 2N4000 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 235 | 2N4001 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 236 | 2N4027 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto18 | SemeLAB |
| 237 | 2N4033 | MITTLERER SPANNUNG SCHNELLSCHALTER | SemeLAB |
| 238 | 2N4033CSM4 | SCHNELLPNP MITTLERER SPANNUNG TRANSISTOR IN Einem KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET | SemeLAB |
| 239 | 2N4104 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 240 | 2N4104 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 241 | 2N4113 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 242 | 2N4113 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 243 | 2N4114 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 244 | 2N4231 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 245 | 2N4232 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 246 | 2N4240 | NPN TRANSISTOR-MITTLERE ENERGIE HOCHSPANNUNG | SemeLAB |
| 247 | 2N4391 | JFET SCHALTUNG N FÜHRUNG ENTLEERUNG | SemeLAB |
| 248 | 2N4392 | JFET SCHALTUNG N FÜHRUNG ENTLEERUNG | SemeLAB |
| 249 | 2N4392CSM | KLEINES SIGNAL N.CHANNEL J.FET IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 250 | 2N4393CSM | KLEINES SIGNAL N.CHANNEL J.FET IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
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