20011 | STB6NK60Z | N-CHANNEL 600V 1 ENERGIE MOSFET DES OHM-6A TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20012 | STB7001 | 900 MHZ DREI GEWINN-NIVEAU LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20013 | STB7002 | 1.8 GIGAHERTZ DREI GEWINN-NIVEAU LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20014 | STB7002TR | 1,8 GHZ DREI GAIN LEVEL LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20015 | STB7003 | TRI-BAND GSM/DCS/PCS LNA | SGS Thomson Microelectronics |
20016 | STB70NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.006 W - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20017 | STB70NF02L | N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20018 | STB70NF03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20019 | STB70NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20020 | STB70NF03L-1 | N-CHANNEL 30V - GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET 0.008 OHM--70A TO-220/I2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
20021 | STB70NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20022 | STB70NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20023 | STB70NFS03L | N - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK STripFET Mosfet PLUS SCHOTTKY GLEICHRICHTER | SGS Thomson Microelectronics |
20024 | STB70NFS03L | N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK STRIPFET MOSFET PLUS SCHOTTKY GLEICHRICHTER | SGS Thomson Microelectronics |
20025 | STB7101 | AUSGEDEHNTER BAND0.9/1.9GHZ PRE-POWERVERSTÄRKER | SGS Thomson Microelectronics |
20026 | STB7101TR | 0,9 / 1,9 GHz breitbandig PRE Leistungsverstärker | SGS Thomson Microelectronics |
20027 | STB7102 | 0.5/2.5 GIGAHERTZ UHF NIEDRIGER PUFFER-VERSTÄRKER | SGS Thomson Microelectronics |
20028 | STB7102TR | 0,1 / 2,5 GHz SI MMIC Pufferverstärker | SGS Thomson Microelectronics |
20029 | STB7103 | 0,1 / 2,5 GHz SI MMIC Pufferverstärker | SGS Thomson Microelectronics |
20030 | STB7104 | 0,1 / 2,5 GHz SI MMIC Pufferverstärker | SGS Thomson Microelectronics |
20031 | STB75NE75 | N - FÜHRUNG 75V - 0.01 Ohm - 75A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20032 | STB75NF75 | N-CHANNEL 75V - 0.01 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20033 | STB75NF75-1 | N-CHANNEL 75V - 0.01 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20034 | STB75NF75L | N-CHANNEL 75V - 0.009 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20035 | STB75NF75L-1 | N-CHANNEL 75V - 0.009 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20036 | STB7NA40 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
20037 | STB7NA40 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
20038 | STB7NB40 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20039 | STB7NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 1.0 OMH - 7.2A - I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20040 | STB7NC70Z-1 | N-CHANNEL 700V 1.1OHM 6A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER GESCHÜTZTER POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20041 | STB80NE03L-06 | N - FÜHRUNG 30V - 0.005W - 80A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20042 | STB80NE06-10 | N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20043 | STB80NF03L-04 | N-CHANNEL 30V - 0.0035 Ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20044 | STB80NF03L-04 | N-CHANNEL 30V - 0.0035 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20045 | STB80NF03L-04-1 | N-CHANNEL 30V - 0.0035 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20046 | STB80NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.012 OHM - 80A I2PAK/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20047 | STB80NF10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.014Ohm - 80A I 2 PAK/D 2 PAK NIEDRIGER Qg STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20048 | STB80NF55-06 | N - FÜHRUNG 55V - 0.005 Ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20049 | STB80NF55-06 | N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A D2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20050 | STB80NF55-06 | N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM - 80A TO-262 STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20051 | STB80NF55-06-1 | N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20052 | STB80NF55-06-1 | N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM - 80A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20053 | STB80NF55-08 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20054 | STB80NF55-08 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 8OA D2PAK/I2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20055 | STB80NF55-08-1 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20056 | STB80NF55L-06 | N - FÜHRUNG 55V - 0.005 Ohm - 80A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20057 | STB80NF75L | N-CHANNEL 75V 0.008 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
20058 | STB80NF75L | N-CHANNEL 75V - 0.008 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20059 | STB80NF75L-1 | N-CHANNEL 75V - 0.008 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20060 | STB80PF55 | P-CHANNEL 55V - 0.016 OHM - 80A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20061 | STB85NF3LL | N-CHANNEL 30V 0.006 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-85A D2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
20062 | STB85NF3LL-1 | N-CHANNEL 30V 0.006 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-85A TO-220/I2PAK NIEDRIGER MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20063 | STB85NF55 | N-CHANNEL 55V - 0.0062 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20064 | STB85NF55L | N-CHANNEL 55V - 0.0060 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20065 | STB8NA50 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
20066 | STB8NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
20067 | STB8NC50 | N-CHANNEL 500V 0.7 OHM8A D2PAK POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20068 | STB8NC50-1 | N-CHANNEL 500V - 0.7 OHM - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH II MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20069 | STB8NC70Z-1 | N-CHANNEL 700V 0.90 OHM6.8A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20070 | STB8NS25 | N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
20071 | STB90NF03L | N-CHANNEL 30V 0.0056 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-90A D2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
20072 | STB90NF03L-1 | N-CHANNEL 30V 0.0056 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-90A TO-220/I2PAK NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
20073 | STB9NB50 | N-CHANNEL 500V - 0.75 OHM - 8.6A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20074 | STB9NB50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS Energie INEINANDERGREIFENMOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20075 | STB9NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.7Ohm -9A-I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20076 | STB9NC60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.5Ohm -9A D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20077 | STB9NK50Z | N-CHANNEL 500V 0.72 ENERGIE MOSFET DES OHM-TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
20078 | STBR406 | BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
20079 | STBR408 | BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
20080 | STBR606 | BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
20081 | STBR608 | BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
20082 | STBV32 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20083 | STBV32 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20084 | STBV42 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20085 | STBV45 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20086 | STBV68 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
20087 | STC5NF20V | N-CHANNEL 20V - 0.030 OHM - 5A TSSOP8 2.7V-DRIVE STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20088 | STC6NF30V | N-CHANNEL 30V - 0.020 OHM - 6A TSSOP8 2.5V-DRIVE STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20089 | STD100NH02L | N-Kanal 24V - 0,0042 Ohm - 60A DPAK / IPAK STripFET III-Leistungs-MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20090 | STD10NF06L | N-CHANNEL 60V 0.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
20091 | STD10NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 13A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20092 | STD10PF06 | P - FÜHRUNG 60V - 0.18 Ohm - 10A TO-252 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
20093 | STD10PF06 | P-CHANNEL 60V - 0.18 OHM - 10A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20094 | STD110NH02L | N-Kanal 24V - 0,0044 Ohm - 80A DPAK STripFET III-Leistungs-MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
20095 | STD12N05 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
20096 | STD12N05 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
20097 | STD12N05L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
20098 | STD12N05L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
20099 | STD12N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
20100 | STD12N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
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