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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
20001STB6LNC60N-CHANNEL 600V 1 OHM5.8A D2PAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20002STB6NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20003STB6NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20004STB6NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20005STB6NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20006STB6NB50N - FÜHRUNG 500V - 1.35 Ohm - 5.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
20007STB6NB90N - FÜHRUNG 900V - 1.7 Ohm - 5.8A - D 2 PAK PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
20008STB6NC60-1N-CHANNEL 600V 1.0 OHM - 6A - TO-220/TO220FP/I2PAK ENERGIE INEINANDERGREIFENCII MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20009STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V 1.5OHM 5.4A TO-220/TO-220FP/I2PAK/ ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20010STB6NC90Z-1N-CHANNEL 900V 1.55 OHM5.4A TO-220/TO-200FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics



20011STB6NK60ZN-CHANNEL 600V 1 ENERGIE MOSFET DES OHM-6A TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20012STB7001900 MHZ DREI GEWINN-NIVEAU LNASGS Thomson Microelectronics
20013STB70021.8 GIGAHERTZ DREI GEWINN-NIVEAU LNASGS Thomson Microelectronics
20014STB7002TR1,8 GHZ DREI GAIN LEVEL LNASGS Thomson Microelectronics
20015STB7003TRI-BAND GSM/DCS/PCS LNASGS Thomson Microelectronics
20016STB70NF02LN-CHANNEL 20V - 0.006 W - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20017STB70NF02LN-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20018STB70NF03LN - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20019STB70NF03LN-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20020STB70NF03L-1N-CHANNEL 30V - GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET 0.008 OHM--70A TO-220/I2PAK NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
20021STB70NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20022STB70NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20023STB70NFS03LN - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 70A D 2 PAK STripFET Mosfet PLUS SCHOTTKY GLEICHRICHTERSGS Thomson Microelectronics
20024STB70NFS03LN-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 70A D2PAK STRIPFET MOSFET PLUS SCHOTTKY GLEICHRICHTERSGS Thomson Microelectronics
20025STB7101AUSGEDEHNTER BAND0.9/1.9GHZ PRE-POWERVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
20026STB7101TR0,9 / 1,9 GHz breitbandig PRE LeistungsverstärkerSGS Thomson Microelectronics
20027STB71020.5/2.5 GIGAHERTZ UHF NIEDRIGER PUFFER-VERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
20028STB7102TR0,1 / 2,5 GHz SI MMIC PufferverstärkerSGS Thomson Microelectronics
20029STB71030,1 / 2,5 GHz SI MMIC PufferverstärkerSGS Thomson Microelectronics
20030STB71040,1 / 2,5 GHz SI MMIC PufferverstärkerSGS Thomson Microelectronics
20031STB75NE75N - FÜHRUNG 75V - 0.01 Ohm - 75A - D 2 PAK STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20032STB75NF75N-CHANNEL 75V - 0.01 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20033STB75NF75-1N-CHANNEL 75V - 0.01 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20034STB75NF75LN-CHANNEL 75V - 0.009 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20035STB75NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.009 OHM - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20036STB7NA40ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20037STB7NA40N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20038STB7NB40N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
20039STB7NB60N - FÜHRUNG 600V - 1.0 OMH - 7.2A - I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
20040STB7NC70Z-1N-CHANNEL 700V 1.1OHM 6A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER GESCHÜTZTER POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20041STB80NE03L-06N - FÜHRUNG 30V - 0.005W - 80A - D 2 PAK STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20042STB80NE06-10N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20043STB80NF03L-04N-CHANNEL 30V - 0.0035 Ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20044STB80NF03L-04N-CHANNEL 30V - 0.0035 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20045STB80NF03L-04-1N-CHANNEL 30V - 0.0035 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20046STB80NF10N-CHANNEL 100V - 0.012 OHM - 80A I2PAK/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20047STB80NF10N - FÜHRUNG 100V - 0.014Ohm - 80A I 2 PAK/D 2 PAK NIEDRIGER Qg STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20048STB80NF55-06N - FÜHRUNG 55V - 0.005 Ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20049STB80NF55-06N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20050STB80NF55-06N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM - 80A TO-262 STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20051STB80NF55-06-1N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20052STB80NF55-06-1N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM - 80A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20053STB80NF55-08N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20054STB80NF55-08N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 8OA D2PAK/I2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20055STB80NF55-08-1N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20056STB80NF55L-06N - FÜHRUNG 55V - 0.005 Ohm - 80A D 2 PAK STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20057STB80NF75LN-CHANNEL 75V 0.008 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20058STB80NF75LN-CHANNEL 75V - 0.008 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20059STB80NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.008 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20060STB80PF55P-CHANNEL 55V - 0.016 OHM - 80A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20061STB85NF3LLN-CHANNEL 30V 0.006 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-85A D2PAK NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
20062STB85NF3LL-1N-CHANNEL 30V 0.006 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-85A TO-220/I2PAK NIEDRIGER MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20063STB85NF55N-CHANNEL 55V - 0.0062 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20064STB85NF55LN-CHANNEL 55V - 0.0060 OHM - 80A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20065STB8NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20066STB8NA50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20067STB8NC50N-CHANNEL 500V 0.7 OHM8A D2PAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20068STB8NC50-1N-CHANNEL 500V - 0.7 OHM - 8A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20069STB8NC70Z-1N-CHANNEL 700V 0.90 OHM6.8A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20070STB8NS25N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20071STB90NF03LN-CHANNEL 30V 0.0056 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-90A D2PAK NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
20072STB90NF03L-1N-CHANNEL 30V 0.0056 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-90A TO-220/I2PAK NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
20073STB9NB50N-CHANNEL 500V - 0.75 OHM - 8.6A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20074STB9NB50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS Energie INEINANDERGREIFENMOSFETSGS Thomson Microelectronics
20075STB9NB60N - FÜHRUNG 600V - 0.7Ohm -9A-I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
20076STB9NC60N - FÜHRUNG 600V - 0.5Ohm -9A D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II MosfetSGS Thomson Microelectronics
20077STB9NK50ZN-CHANNEL 500V 0.72 ENERGIE MOSFET DES OHM-TO-220/TO-220FP/D2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20078STBR406BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZSGS Thomson Microelectronics
20079STBR408BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZSGS Thomson Microelectronics
20080STBR606BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZSGS Thomson Microelectronics
20081STBR608BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZSGS Thomson Microelectronics
20082STBV32ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
20083STBV32ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
20084STBV42ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
20085STBV45ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
20086STBV68ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
20087STC5NF20VN-CHANNEL 20V - 0.030 OHM - 5A TSSOP8 2.7V-DRIVE STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20088STC6NF30VN-CHANNEL 30V - 0.020 OHM - 6A TSSOP8 2.5V-DRIVE STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20089STD100NH02LN-Kanal 24V - 0,0042 Ohm - 60A DPAK / IPAK STripFET III-Leistungs-MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20090STD10NF06LN-CHANNEL 60V 0.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A DPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20091STD10NF10N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 13A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20092STD10PF06P - FÜHRUNG 60V - 0.18 Ohm - 10A TO-252 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
20093STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 OHM - 10A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20094STD110NH02LN-Kanal 24V - 0,0044 Ohm - 80A DPAK STripFET III-Leistungs-MOSFETSGS Thomson Microelectronics
20095STD12N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20096STD12N05N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20097STD12N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20098STD12N05LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
20099STD12N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
20100STD12N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics



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