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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
21901STW26NM60N-CHANNEL 600V 0.125 ENERGIE MOSFET DES OHM-26A TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21902STW33N20N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
21903STW33N20ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21904STW38NB20N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21905STW45NM50N-CHANNEL 500V - 0.07Ohm - 45A TO-247 Mdmesh Energie MosfetSGS Thomson Microelectronics
21906STW45NM50N-CHANNEL 500V 0.08 ENERGIE MOSFET DES OHM-45A TO-247 MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21907STW45NM50N-CHANNEL 500V 0.08OHM 45A TO-247 MDMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21908STW45NM50FDN-CHANNEL 500V 0.09 ENERGIE MOSFET DES OHM-45A TO-247 FDMESHSGS Thomson Microelectronics
21909STW45NM60N-CHANNEL 600V 0.09 ENERGIE MOSFET DES OHM-45A TO-247 MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21910STW50932.7V VERSORGUNGSMATERIAL14-BIT LINEARER CODEC MIT HIGH-PERFORMANCE AUDIOFRONT-ENDSGS Thomson Microelectronics



21911STW50932.7V VERSORGUNGSMATERIAL14-BIT LINEARER CODEC MIT HIGH-PERFORMANCE AUDIOFRONT-ENDSGS Thomson Microelectronics
21912STW509418 BIT 8kHz bis 48kHz LOW POWER-STEREO AUDIO DAC mit integriertem Netzverstärker und Sprach-CodecSGS Thomson Microelectronics
21913STW50N10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21914STW50N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21915STW50NB20N - FÜHRUNG 200V - 0.047W - 50A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21916STW55NE10N - FÜHRUNG 100V - 0.021Ohm - 55A - TO247 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
21917STW5NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
21918STW5NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21919STW5NA90N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
21920STW5NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21921STW5NB100N - FÜHRUNG 1000V - 4W - 4.3A - TO-247, PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21922STW5NB90N - FÜHRUNG 900V - 2.3 Ohm - 5.6A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21923STW60N10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21924STW60N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21925STW60NE10N - FÜHRUNG 100V - 0.016Ohm - 60A TO-247 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
21926STW6NA80N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21927STW6NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21928STW6NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21929STW6NA90N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21930STW6NB100N - FÜHRUNG 1000V - 2.3W - 5.4A - TO-247, PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21931STW6NB90N - FÜHRUNG 900V - 1.7 Ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21932STW6NC90ZN-CHANNEL 900V 2.1OHM 5.2A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21933STW7NA100N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS, ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
21934STW7NA100ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21935STW7NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21936STW7NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21937STW7NA90N - FÜHRUNG 900V - 1.05 Ohm - 7A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
21938STW7NA90ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21939STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 Ohm - 6.5A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21940STW7NC80ZN-CHANNEL 800V 1.5OHM 6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21941STW7NC90ZN-CHANNEL 900V 1.55 OHM6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21942STW80N06-10N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-"ULTRA HOHE DICHTE-" ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21943STW80N06-10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21944STW80NE06-10N-CHANNEL 60V 0.0085 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
21945STW80NE06-10N - FÜHRUNG 60V - 0.0085 Ohm - 80A - TO-247 STripFET?OWER MosfetSGS Thomson Microelectronics
21946STW80NF10N-CHANNEL 100V 0.012 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
21947STW80NF55-06N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
21948STW8NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21949STW8NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21950STW8NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21951STW8NA80N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
21952STW8NB100N - FÜHRUNG 1000V - 1.2W - 8A - TO-247, PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21953STW8NB80N - FÜHRUNG 800V - 1.2 Ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21954STW8NB90N - FÜHRUNG 900V - 1.1 Ohm - 8A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21955STW8NB90N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21956STW8NC70ZN-CHANNEL 700V 1.1 OHM7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21957STW8NC80ZN-CHANNEL 800V 1.3 OHM6.7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21958STW8NC90ZN-CHANNEL 900V 1.1OHM 7.6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21959STW9NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21960STW9NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21961STW9NA80N - FÜHRUNG 800V - 0.85Ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21962STW9NA80ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBARES F PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21963STW9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 Ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21964STW9NB80N-CHANNEL 900V - 0.85 OHM - 9.3A - TO-247 POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21965STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 Ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21966STW9NC70ZN-CHANNEL 700V 0.90 OHM7.5A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21967STX112ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21968STX13003ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
21969STX13005HIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsSGS Thomson Microelectronics
21970STX13005-APHIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsSGS Thomson Microelectronics
21971STX715NPN MITTLERER ENERGIE TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21972STX817PNP MITTLERER ENERGIE TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21973STX83003HIGH VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsSGS Thomson Microelectronics
21974STX93003HIGH VOLTAGE schnell schalt PNP-LeistungstransistorSGS Thomson Microelectronics
21975STY100NS20FDN-CHANNEL 200V 0.022 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-100A ISOTOPSGS Thomson Microelectronics
21976STY140NS10N-CHANNEL 100V - 0.009 OHM - 140A MAX247 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATT-ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
21977STY15NA100N - FÜHRUNG 1000V - 0.65 W - 15A - Max247, MosfetSGS Thomson Microelectronics
21978STY16NA90N - FÜHRUNG 900V - 0.5 Ohm - 16A - EXTREM NIEDRIGER AUFLADUNG ENERGIE Mosfet DES GATTER-Max247SGS Thomson Microelectronics
21979STY25NA60N - FÜHRUNG 600V - 0.225W - 25 A - Max247 EXSTREMELY NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
21980STY30NA50ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21981STY30NA50N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21982STY34NB50N - FÜHRUNG 500V - 0.11Ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21983STY34NB50FN - FÜHRUNG 500V - 0.11Ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
21984STY60NA20N - FÜHRUNG 200V - 0.030W - 60 A - Max247 FASTEN ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
21985STY60NM50N-CHANNEL 500V 0.045 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A MAX247 ZENER-PROTECTED MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21986STY60NM60N-CHANNEL 600V 0.50 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A MAX247 ZENER-PROTECTED MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21987STZT2222MITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21988STZT2222MITTLERE ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21989STZT2222AMITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21990STZT2222AKLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPNSGS Thomson Microelectronics
21991STZT2222AMITTLERE ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21992STZT2907MITTLERE ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21993STZT2907MITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21994STZT2907AMITTLERE ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21995STZT2907AMITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21996STZT5401MITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21997STZTA42MITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21998STZTA92MITTLERER ENDVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
21999STZTA92KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-PNPSGS Thomson Microelectronics
22000T0605MHSENSITIVE GATE TRIACSSGS Thomson Microelectronics



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