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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
4301HCF4555BVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4302HCF4555BEYVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4303HCF4555BM1VERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4304HCF4555M013TRVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4305HCF4556BVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4306HCF4556BEYVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4307HCF4556BM1VERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4308HCF4556M013TRVERDOPPELUNGBINÄRES BIS 1 VON 4 DECODER/DEMULTIPLEXERSSGS Thomson Microelectronics
4309HCF4560BNBCD ADDITIONSMASCHINESGS Thomson Microelectronics
4310HCF4566BINDUSTRIELLER ZEITABLENKUNG-GENERATORSGS Thomson Microelectronics



4311HCF4572BHEXAGON-GATTERSGS Thomson Microelectronics
4312HCF4585BGRÖSSE 4-BIT KOMPARATORSGS Thomson Microelectronics
4313HCF4585BEYGRÖSSE 4-BIT KOMPARATORSGS Thomson Microelectronics
4314HCF4585BM1GRÖSSE 4-BIT KOMPARATORSGS Thomson Microelectronics
4315HCF4585M013TRGRÖSSE 4-BIT KOMPARATORSGS Thomson Microelectronics
4316HCF4724B8 BIT-ANSPRECHBARE VERRIEGELUNGSGS Thomson Microelectronics
4317HCF4724BEY8 BIT-ANSPRECHBARE VERRIEGELUNGSGS Thomson Microelectronics
4318HDP01-0512NFESTPLATTENLAUFWERK-SPG.VERSORGUNGSTEIL-SCHUTZSGS Thomson Microelectronics
4319ICC03-400B2ZÜNDUNGSREGELUNG-STROMKREIS - (ASD)SGS Thomson Microelectronics
4320ICC03-400B2ZÜNDUNGSREGELUNG-STROMKREISSGS Thomson Microelectronics
4321IMS-B300TCPlink EntwicklungssystemSGS Thomson Microelectronics
4322IMSA110BILD-UND SIGNALAUFBEREITUNG SUB?STEMSGS Thomson Microelectronics
4323IMSB300-1TCPLINK ENTWICKLUNGSSYSTEM FÜR TRANSPUTERSSGS Thomson Microelectronics
4324IMSC011-E20SLink-Adapter, 10 oder 20 Mbit / s BetriebsgeschwindigkeitSGS Thomson Microelectronics
4325IMSC011-P20SLink-Adapter, 10 oder 20 Mbit / s BetriebsgeschwindigkeitSGS Thomson Microelectronics
4326IMSC011-W20SLink-Adapter, 10 oder 20 Mbit / s BetriebsgeschwindigkeitSGS Thomson Microelectronics
4327IMST225-F25S25MHz; 40ns; V (dd): 0 bis 7 V; V (in): -0,5 bis + 0,5V; 16-Bit-Transputer. Für Echtzeitverarbeitung, Mikroprozessoranwendungen, Hochgeschwindigkeitsmehrprozessorsysteme, industrual Steuerung, Robotik, usw.SGS Thomson Microelectronics
4328IMST225-G25S25MHz; 40ns; V (dd): 0 bis 7 V; V (in): -0,5 bis + 0,5V; 16-Bit-Transputer. Für Echtzeitverarbeitung, Mikroprozessoranwendungen, Hochgeschwindigkeitsmehrprozessorsysteme, industrual Steuerung, Robotik, usw.SGS Thomson Microelectronics
4329IMST225-J25S25MHz; 40ns; V (dd): 0 bis 7 V; V (in): -0,5 bis + 0,5V; 16-Bit-Transputer. Für Echtzeitverarbeitung, Mikroprozessoranwendungen, Hochgeschwindigkeitsmehrprozessorsysteme, industrual Steuerung, Robotik, usw.SGS Thomson Microelectronics
4330IMST805-F20E32-Bit-Floating-Point-TransputerSGS Thomson Microelectronics
4331IMST805-F25S32-Bit-Floating-Point-TransputerSGS Thomson Microelectronics
4332IMST805-G20E32-Bit-Floating-Point-TransputerSGS Thomson Microelectronics
4333IMST805-G25S32-Bit-Floating-Point-TransputerSGS Thomson Microelectronics
4334IRF520N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4335IRF520N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4336IRF520FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4337IRF520FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4338IRF530N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4339IRF530N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
4340IRF530F1N-Kanal-MOSFET, 100V, 9ASGS Thomson Microelectronics
4341IRF530FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4342IRF530FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
4343IRF530FPN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
4344IRF531N-Kanal-MOSFET, 80V, 14ASGS Thomson Microelectronics
4345IRF531F1N-Kanal-MOSFET, 80V, 9ASGS Thomson Microelectronics
4346IRF532N-Kanal-MOSFET, 100V, 12ASGS Thomson Microelectronics
4347IRF532F1N-Kanal-MOSFET, 100V, 8ASGS Thomson Microelectronics
4348IRF533N-Kanal-MOSFET, 80V, 12ASGS Thomson Microelectronics
4349IRF533F1N-Kanal-MOSFET, 80V, 8ASGS Thomson Microelectronics
4350IRF540N-CHANNEL 100V - 0.065 OHM - 30A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
4351IRF540N - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - TO-220/TO-220FI ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
4352IRF540FIN - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - TO-220/TO-220FI ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
4353IRF620N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4354IRF620N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4355IRF620FIN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4356IRF620FIN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
4357IRF630N - FÜHRUNG 200V - 0.35W - 9A - TO-220/FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4358IRF630N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4359IRF630FPN-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4360IRF630FPN - FÜHRUNG 200V - 0.35W - 9A - TO-220/FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4361IRF630MN-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
4362IRF630MFPN-CHANNEL 200V 0.35 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-9A TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
4363IRF630SN - FÜHRUNG 200V - 0.35 Ohm -9A-D 2 PAK INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4364IRF634N-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
4365IRF634FPN-CHANNEL 250V 0.38 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-8A TO-220/TO-220FPSGS Thomson Microelectronics
4366IRF640N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4367IRF640N - FÜHRUNG 200V - 0.150Ohm - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4368IRF640FPN - FÜHRUNG 200V - 0.150Ohm - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4369IRF640FPN-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 18A TO-220/TO-220FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4370IRF640SN - FÜHRUNG 200V - 0.150Ohm - 18A TO-263 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFETSGS Thomson Microelectronics
4371IRF720N-Kanal-MOSFET, 400V, 3.3ASGS Thomson Microelectronics
4372IRF720F1N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.5ASGS Thomson Microelectronics
4373IRF721N-Kanal-MOSFET, 350V, 3.3ASGS Thomson Microelectronics
4374IRF721F1N-Kanal-MOSFET, 350V, 2.5ASGS Thomson Microelectronics
4375IRF722N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
4376IRF722F1N-Kanal-MOSFET, 400V, 2ASGS Thomson Microelectronics
4377IRF723N-Kanal-MOSFET, 350V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
4378IRF723F1N-Kanal-MOSFET, 350V, 2ASGS Thomson Microelectronics
4379IRF730N - FÜHRUNG 400V - 0.75 W - 5.5A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4380IRF740N - FÜHRUNG 400V - 0.48 Ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4381IRF740SN - FÜHRUNG 400V - 0.48 Ohm -10 A - D 2 PAK PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4382IRF820N - FÜHRUNG 500V - 2.5 W - 2.5 A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4383IRF820FIN-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 2.2ASGS Thomson Microelectronics
4384IRF821N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.5ASGS Thomson Microelectronics
4385IRF821FIN-Kanal-MOSFET, 450V, 2.0ASGS Thomson Microelectronics
4386IRF822N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 2.8ASGS Thomson Microelectronics
4387IRF822FIN-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 1.9ASGS Thomson Microelectronics
4388IRF823N-Kanal-MOSFET, 450V, 2.2ASGS Thomson Microelectronics
4389IRF823FIN-Kanal-MOSFET, 450V, 1.5ASGS Thomson Microelectronics
4390IRF830N - FÜHRUNG 500V - 1.35W - 4.5A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4391IRF840N - FÜHRUNG 500V - 0.75Ohm - 8A - TO-220 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4392IRF840F1N-Kanal-HEXFET, 500V, 4.5ASGS Thomson Microelectronics
4393IRF841N-Kanal-HEXFET, 450V, 8ASGS Thomson Microelectronics
4394IRF841F1N-Kanal-HEXFET, 450V, 4.5ASGS Thomson Microelectronics
4395IRFBC30N - FÜHRUNG 600V - 1.8 W - 3.6A - TO-220 PowerMESH II MosfetSGS Thomson Microelectronics
4396IRFP250N-CHANNEL 200V 0.073 OHM33A TO-247 POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
4397IRFP450N - FÜHRUNG 500V - 0.33Ohm - 14A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4398IRFP460N - FÜHRUNG 500V - 0.22 Ohm - 20 A - TO-247 PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
4399IRFP460N-CHANNEL 500V - 0.22 OHM - 18.4A - TO-247 POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
4400IRFZ40N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics



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