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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
26201M29W160DB70N1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26202M29W160DB70N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26203M29W160DB70N6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26204M29W160DB70ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26205M29W160DB70ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26206M29W160DB70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26207M29W160DB70ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26208M29W160DB90M1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26209M29W160DB90M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26210M29W160DB90M6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics



26211M29W160DB90M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26212M29W160DB90N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26213M29W160DB90N1ATBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26214M29W160DB90N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26215M29W160DB90N1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26216M29W160DB90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26217M29W160DB90N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26218M29W160DB90N6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26219M29W160DB90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26220M29W160DB90ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26221M29W160DB90ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26222M29W160DB90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26223M29W160DTBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26224M29W160DT70M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26225M29W160DT70M1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26226M29W160DT70M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26227M29W160DT70M6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26228M29W160DT70N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26229M29W160DT70N1TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26230M29W160DT70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26231M29W160DT70N6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26232M29W160DT70N6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26233M29W160DT70ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26234M29W160DT70ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26235M29W160DT70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26236M29W160DT70ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26237M29W160DT90M1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26238M29W160DT90M1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26239M29W160DT90M6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26240M29W160DT90M6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26241M29W160DT90N1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26242M29W160DT90N1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26243M29W160DT90N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26244M29W160DT90ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26245M29W160DT90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26246M29W160DT90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
26247M29W160DT90ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26248M29W160EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26249M29W160EBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26250M29W160EB70N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26251M29W160EB70N1TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26252M29W160EB70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26253M29W160EB70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26254M29W160EB70N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26255M29W160EB70N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26256M29W160EB70ZA6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26257M29W160EB70ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26258M29W160EB70ZA6FBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26259M29W160EB70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26260M29W160EB90N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26261M29W160EB90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26262M29W160EB90N6ABLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26263M29W160EB90N6ATBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26264M29W160EB90N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26265M29W160EB90N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26266M29W160EB90N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26267M29W160EB90ZA6Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26268M29W160EB90ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26269M29W160EB90ZA6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26270M29W160EB90ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26271M29W160ETBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26272M29W160ET70N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26273M29W160ET70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26274M29W160ET70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26275M29W160ET70N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26276M29W160ET70N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26277M29W160ET70ZA6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26278M29W160ET70ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26279M29W160ET70ZA6FBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26280M29W160ET70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26281M29W160ET90N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26282M29W160ET90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26283M29W160ET90N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26284M29W160ET90N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26285M29W160ET90N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26286M29W160ET90ZA6Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26287M29W160ET90ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26288M29W160ET90ZA6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
26289M29W160ET90ZA6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
26290M29W2002 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26291M29W200BB2 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26292M29W200BB120M1T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26293M29W200BB120M6T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26294M29W200BB120N1T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26295M29W200BB120N6T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26296M29W200BB55M12 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26297M29W200BB55M1T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26298M29W200BB55M6T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
26299M29W200BB55N12 MBIT (256KB X8 ODER 128KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNISST Microelectronics
26300M29W200BB55N1T2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics



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