27111 | M29W800AB100M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27112 | M29W800AB100M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27113 | M29W800AB100N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27114 | M29W800AB100N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27115 | M29W800AB100N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27116 | M29W800AB100ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27117 | M29W800AB100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27118 | M29W800AB100ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27119 | M29W800AB120M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27120 | M29W800AB120M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27121 | M29W800AB120M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27122 | M29W800AB120N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27123 | M29W800AB120N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27124 | M29W800AB120N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27125 | M29W800AB120ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27126 | M29W800AB120ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27127 | M29W800AB120ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27128 | M29W800AB80M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27129 | M29W800AB80M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27130 | M29W800AB80M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27131 | M29W800AB80N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27132 | M29W800AB80N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27133 | M29W800AB80N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27134 | M29W800AB80ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27135 | M29W800AB80ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27136 | M29W800AB80ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27137 | M29W800AB90M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27138 | M29W800AB90M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27139 | M29W800AB90M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27140 | M29W800AB90N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27141 | M29W800AB90N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27142 | M29W800AB90N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27143 | M29W800AB90ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27144 | M29W800AB90ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27145 | M29W800AB90ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27146 | M29W800AT | 8 MBIT (1MB X8 ODER 512KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
27147 | M29W800AT100M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27148 | M29W800AT100M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27149 | M29W800AT100M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27150 | M29W800AT100N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27151 | M29W800AT100N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27152 | M29W800AT100N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27153 | M29W800AT100ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27154 | M29W800AT100ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27155 | M29W800AT100ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27156 | M29W800AT120M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27157 | M29W800AT120M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27158 | M29W800AT120M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27159 | M29W800AT120N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27160 | M29W800AT120N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27161 | M29W800AT120N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27162 | M29W800AT120ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27163 | M29W800AT120ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27164 | M29W800AT120ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27165 | M29W800AT80M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27166 | M29W800AT80M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27167 | M29W800AT80M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27168 | M29W800AT80N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27169 | M29W800AT80N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27170 | M29W800AT80N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27171 | M29W800AT80ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27172 | M29W800AT80ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27173 | M29W800AT80ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27174 | M29W800AT90M1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27175 | M29W800AT90M5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27176 | M29W800AT90M6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27177 | M29W800AT90N1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27178 | M29W800AT90N5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27179 | M29W800AT90N6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27180 | M29W800AT90ZA1T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27181 | M29W800AT90ZA5T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27182 | M29W800AT90ZA6T | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27183 | M29W800B | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 8 MBIT (1MB X8 ODER 512KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
27184 | M29W800B100M1R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27185 | M29W800B100M1TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27186 | M29W800B100M5R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27187 | M29W800B100M5TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27188 | M29W800B100M6R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27189 | M29W800B100M6TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27190 | M29W800B100N1R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27191 | M29W800B100N1TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27192 | M29W800B100N5R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27193 | M29W800B100N5TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27194 | M29W800B100N6R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27195 | M29W800B100N6TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27196 | M29W800B120M1R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27197 | M29W800B120M1TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27198 | M29W800B120M5R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27199 | M29W800B120M5TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27200 | M29W800B120M6R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
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