27311 | M29W800T90M6TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27312 | M29W800T90N1R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27313 | M29W800T90N1TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27314 | M29W800T90N5R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27315 | M29W800T90N5TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27316 | M29W800T90N6R | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27317 | M29W800T90N6TR | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
27318 | M3004 | FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLER | ST Microelectronics |
27319 | M3004LAB1 | FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLER | ST Microelectronics |
27320 | M3004LD | FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLER | ST Microelectronics |
27321 | M3004LDT | FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLER | ST Microelectronics |
27322 | M30L0R7000B0 | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27323 | M30L0R7000B0ZAQ | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27324 | M30L0R7000B0ZAQE | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27325 | M30L0R7000B0ZAQF | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27326 | M30L0R7000B0ZAQT | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27327 | M30L0R7000T0 | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27328 | M30L0R7000T0ZAQ | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27329 | M30L0R7000T0ZAQE | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27330 | M30L0R7000T0ZAQF | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27331 | M30L0R7000T0ZAQT | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27332 | M30L0R7000XX | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
27333 | M30L0R8000B0 | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27334 | M30L0R8000B0ZAQ | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27335 | M30L0R8000B0ZAQE | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27336 | M30L0R8000B0ZAQF | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27337 | M30L0R8000B0ZAQT | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27338 | M30L0R8000T0 | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27339 | M30L0R8000T0ZAQ | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27340 | M30L0R8000T0ZAQE | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27341 | M30L0R8000T0ZAQF | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27342 | M30L0R8000T0ZAQT | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27343 | M30LW128D | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27344 | M30LW128D110N1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27345 | M30LW128D110N6T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27346 | M30LW128D110ZA1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27347 | M30LW128D110ZA6 | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27348 | M30LW128D110ZA6T | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27349 | M30LW128D110ZE1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27350 | M30LW128D110ZE6T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27351 | M30W0R6500T0 | 96 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span Paket | ST Microelectronics |
27352 | M30W0R6500T0ZAQT | 96 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span Paket | ST Microelectronics |
27353 | M30W0R7000B1 | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27354 | M30W0R7000B1ZAQF | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
27355 | M34116 | PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREIS | ST Microelectronics |
27356 | M34116B1 | PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREIS | ST Microelectronics |
27357 | M34116C1 | PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREIS | ST Microelectronics |
27358 | M3488 | 256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIX | ST Microelectronics |
27359 | M3488B1 | 256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIX | ST Microelectronics |
27360 | M3488Q1 | 256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIX | ST Microelectronics |
27361 | M3493B1 | Cmos 12 X 8 CROSSPOINTWITH STEUERGEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
27362 | M3493B2 | CMOS 12X8 SCHIENENKREUZUNG MIT STEUERGEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
27363 | M34A02 | 2 KBIT SERIENSMBUS EEPROM FÜR ACR KARTE KONFIGURATION | ST Microelectronics |
27364 | M34A02-V | 2 KBIT SERIENSMBUS EEPROM FÜR ACR KARTE KONFIGURATION | ST Microelectronics |
27365 | M34A02DW | 2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte Konfiguration | ST Microelectronics |
27366 | M34A02MN | 2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte Konfiguration | ST Microelectronics |
27367 | M34A08-VDW6T | 2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte Konfiguration | ST Microelectronics |
27368 | M34A08-VMN6T | 2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte Konfiguration | ST Microelectronics |
27369 | M34C00 | 3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGS | ST Microelectronics |
27370 | M34C00-W | 3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGS | ST Microelectronics |
27371 | M34C00-WDW6T | 3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGS | ST Microelectronics |
27372 | M34C00-WMN6 | 3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGS | ST Microelectronics |
27373 | M34C00-WMN6T | 3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGS | ST Microelectronics |
27374 | M34C00DW | 3 x 128 Bit Serien-IS Bus EEPROM für EeUmbauten | ST Microelectronics |
27375 | M34C00MN | 3 x 128 Bit Serien-IS Bus EEPROM für EeUmbauten | ST Microelectronics |
27376 | M34C02 | 2 KBIT SERIE I | ST Microelectronics |
27377 | M34C02-L | 2 KBIT SERIE I | ST Microelectronics |
27378 | M34C02-LBN6T | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27379 | M34C02-LDW6T | 2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit | ST Microelectronics |
27380 | M34C02-LMN6T | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27381 | M34C02-R | 2 KBIT SERIE I | ST Microelectronics |
27382 | M34C02-RDW6 | 2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit | ST Microelectronics |
27383 | M34C02-RDW6T | 2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit | ST Microelectronics |
27384 | M34C02-W | 2 KBIT SERIE I | ST Microelectronics |
27385 | M34C02-WBN6T | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27386 | M34C02-WDW6T | 2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit | ST Microelectronics |
27387 | M34C02-WMN6T | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27388 | M34C02BN | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27389 | M34C02DW | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27390 | M34C02MN | 2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit Ermitteln | ST Microelectronics |
27391 | M34D32 | 64/32 Kbit Serien-IS Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27392 | M34D32BN | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27393 | M34D32BNT1 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27394 | M34D32BNT5 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27395 | M34D32BNT6 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27396 | M34D32MN | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27397 | M34D32MNT1 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27398 | M34D32MNT5 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27399 | M34D32RBNT1 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
27400 | M34D32RBNT5 | 64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des Gedächtnisses | ST Microelectronics |
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