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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
27301M29W800T150N1TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27302M29W800T150N5R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27303M29W800T150N5TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27304M29W800T150N6R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27305M29W800T150N6TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27306M29W800T90M1R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27307M29W800T90M1TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27308M29W800T90M5R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27309M29W800T90M5TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27310M29W800T90M6R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics



27311M29W800T90M6TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27312M29W800T90N1R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27313M29W800T90N1TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27314M29W800T90N5R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27315M29W800T90N5TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27316M29W800T90N6R8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27317M29W800T90N6TR8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-GedächtnisST Microelectronics
27318M3004FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLERST Microelectronics
27319M3004LAB1FERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLERST Microelectronics
27320M3004LDFERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLERST Microelectronics
27321M3004LDTFERNBEDIENUNG-ÜBERMITTLERST Microelectronics
27322M30L0R7000B0Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27323M30L0R7000B0ZAQ128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27324M30L0R7000B0ZAQEBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27325M30L0R7000B0ZAQFBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27326M30L0R7000B0ZAQT128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27327M30L0R7000T0128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27328M30L0R7000T0ZAQ128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27329M30L0R7000T0ZAQE128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27330M30L0R7000T0ZAQF128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27331M30L0R7000T0ZAQT128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27332M30L0R7000XX128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8VST Microelectronics
27333M30L0R8000B0Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27334M30L0R8000B0ZAQBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27335M30L0R8000B0ZAQEBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27336M30L0R8000B0ZAQFBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27337M30L0R8000B0ZAQTBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27338M30L0R8000T0Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27339M30L0R8000T0ZAQBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27340M30L0R8000T0ZAQEBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27341M30L0R8000T0ZAQFBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27342M30L0R8000T0ZAQTBlitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27343M30LW128D128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27344M30LW128D110N1T128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27345M30LW128D110N6T128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27346M30LW128D110ZA1T128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27347M30LW128D110ZA6128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27348M30LW128D110ZA6T128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27349M30LW128D110ZE1T128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27350M30LW128D110ZE6T128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27351M30W0R6500T096 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span PaketST Microelectronics
27352M30W0R6500T0ZAQT96 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span PaketST Microelectronics
27353M30W0R7000B1Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27354M30W0R7000B1ZAQFBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8VST Microelectronics
27355M34116PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREISST Microelectronics
27356M34116B1PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREISST Microelectronics
27357M34116C1PCM KONFERENZ-ANRUF-UND TON-ERZEUGUNG STROMKREISST Microelectronics
27358M3488256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIXST Microelectronics
27359M3488B1256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIXST Microelectronics
27360M3488Q1256 X 256 DIFGITAL SCHALTUNG MATRIXST Microelectronics
27361M3493B1Cmos 12 X 8 CROSSPOINTWITH STEUERGEDÄCHTNISST Microelectronics
27362M3493B2CMOS 12X8 SCHIENENKREUZUNG MIT STEUERGEDÄCHTNISST Microelectronics
27363M34A022 KBIT SERIENSMBUS EEPROM FÜR ACR KARTE KONFIGURATIONST Microelectronics
27364M34A02-V2 KBIT SERIENSMBUS EEPROM FÜR ACR KARTE KONFIGURATIONST Microelectronics
27365M34A02DW2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte KonfigurationST Microelectronics
27366M34A02MN2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte KonfigurationST Microelectronics
27367M34A08-VDW6T2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte KonfigurationST Microelectronics
27368M34A08-VMN6T2 Kbit SeriensMBus EEPROM für ACR Karte KonfigurationST Microelectronics
27369M34C003 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGSST Microelectronics
27370M34C00-W3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGSST Microelectronics
27371M34C00-WDW6T3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGSST Microelectronics
27372M34C00-WMN63 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGSST Microelectronics
27373M34C00-WMN6T3 X 128 SERIENI²C BUS EEPROM Des BIT-FÜR EE-TAGSST Microelectronics
27374M34C00DW3 x 128 Bit Serien-IS Bus EEPROM für EeUmbautenST Microelectronics
27375M34C00MN3 x 128 Bit Serien-IS Bus EEPROM für EeUmbautenST Microelectronics
27376M34C022 KBIT SERIE IST Microelectronics
27377M34C02-L2 KBIT SERIE IST Microelectronics
27378M34C02-LBN6T2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27379M34C02-LDW6T2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM SerienanwesenheitST Microelectronics
27380M34C02-LMN6T2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27381M34C02-R2 KBIT SERIE IST Microelectronics
27382M34C02-RDW62 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM SerienanwesenheitST Microelectronics
27383M34C02-RDW6T2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM SerienanwesenheitST Microelectronics
27384M34C02-W2 KBIT SERIE IST Microelectronics
27385M34C02-WBN6T2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27386M34C02-WDW6T2 Kbit Ermitteln Serien-die IS Bus EEPROM Für DIMM SerienanwesenheitST Microelectronics
27387M34C02-WMN6T2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27388M34C02BN2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27389M34C02DW2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27390M34C02MN2 Kbit Serieni.?Bus EEPROM Für DIMM Serienanwesenheit ErmittelnST Microelectronics
27391M34D3264/32 Kbit Serien-IS Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27392M34D32BN64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27393M34D32BNT164/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27394M34D32BNT564/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27395M34D32BNT664/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27396M34D32MN64/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27397M34D32MNT164/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27398M34D32MNT564/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27399M34D32RBNT164/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics
27400M34D32RBNT564/32 Kbit Serieni.?Bus EEPROM mit Kleinteilen schreiben Steuerung auf oberes Viertel des GedächtnissesST Microelectronics



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