27711 | M36W832BE85ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27712 | M36W832BE85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27713 | M36W832BEZA | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27714 | M36W832TE | 32 MBIT (2MB X16, AUFLADUNG BLOCK) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27715 | M36W832TE-ZAT | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27716 | M36W832TE70ZA1S | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27717 | M36W832TE70ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27718 | M36W832TE70ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27719 | M36W832TE70ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27720 | M36W832TE85ZA1S | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27721 | M36W832TE85ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27722 | M36W832TE85ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27723 | M36W832TE85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27724 | M36W832TEZA | 32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27725 | M36WT864 | 64 Mbit 4Mb x16/mehrfache Bank/gesprengtes grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM/mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27726 | M36WT864B10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27727 | M36WT864B70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27728 | M36WT864B85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27729 | M36WT864BF | 64 MBIT (4MB X16, MEHRFACHE BANK, STOSS) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27730 | M36WT864BFZA | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27731 | M36WT864T10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27732 | M36WT864T70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27733 | M36WT864T85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27734 | M36WT864TF | 64 MBIT (4MB X16, MEHRFACHE BANK, STOSS) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
27735 | M36WT864TFZA | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27736 | M36WT8B10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27737 | M36WT8B70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27738 | M36WT8B85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27739 | M36WV864B10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27740 | M36WV864B70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27741 | M36WV864B85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27742 | M36WV864T10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27743 | M36WV864T70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27744 | M36WV864T85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27745 | M36WV8B10ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27746 | M36WV8B70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27747 | M36WV8B85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
27748 | M39208 | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27749 | M39208-10WNA1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27750 | M39208-10WNA5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27751 | M39208-10WNA6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27752 | M39208-10WNB1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27753 | M39208-10WNB5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27754 | M39208-10WNB6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27755 | M39208-12WNA1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27756 | M39208-12WNA5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27757 | M39208-12WNA6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27758 | M39208-12WNB1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27759 | M39208-12WNB5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27760 | M39208-12WNB6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27761 | M39208-15WNA1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27762 | M39208-15WNA5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27763 | M39208-15WNA6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27764 | M39208-15WNB1T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27765 | M39208-15WNB5T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27766 | M39208-15WNB6T | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27767 | M39208NA | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27768 | M39208NB | Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27769 | M39432-10VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27770 | M39432-10WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27771 | M39432-12VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27772 | M39432-12WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27773 | M39432-15VNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27774 | M39432-15WNC6T | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27775 | M39432NC | Einzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROM | ST Microelectronics |
27776 | M39832 | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27777 | M39832-B12WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27778 | M39832-B12WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27779 | M39832-B15WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27780 | M39832-B15WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27781 | M39832-T12WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27782 | M39832-T12WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27783 | M39832-T15WNE1T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27784 | M39832-T15WNE6T | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27785 | M39832NE | Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM Gedächtnis | ST Microelectronics |
27786 | M40SZ100 | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27787 | M40SZ100W | NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27788 | M40SZ100WMH | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27789 | M40SZ100WMH | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27790 | M40SZ100WMH6 | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27791 | M40SZ100WMH6 | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27792 | M40SZ100WMH6TR | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27793 | M40SZ100WMH6TR | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27794 | M40SZ100WMQ | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27795 | M40SZ100WMQ | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27796 | M40SZ100WMQ6 | NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27797 | M40SZ100WMQ6F | 3 V NVRAM Supervisor für LPSRAM | ST Microelectronics |
27798 | M40SZ100WMQ6TR | NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27799 | M40SZ100WSH | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
27800 | M40SZ100WSH | 5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAM | ST Microelectronics |
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