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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
27701M36W432TG85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27702M36W432TGZA32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27703M36W432TZA32 Mbit 2Mb x16/Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 4 Mbit 256K x16 SRAM/mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27704M36W832BE32 MBIT (2MB X16, AUFLADUNG BLOCK) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27705M36W832BE70ZA1S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27706M36W832BE70ZA1T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27707M36W832BE70ZA6S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27708M36W832BE70ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27709M36W832BE85ZA1S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27710M36W832BE85ZA1T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics



27711M36W832BE85ZA6S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27712M36W832BE85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27713M36W832BEZA32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27714M36W832TE32 MBIT (2MB X16, AUFLADUNG BLOCK) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27715M36W832TE-ZAT32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27716M36W832TE70ZA1S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27717M36W832TE70ZA1T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27718M36W832TE70ZA6S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27719M36W832TE70ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27720M36W832TE85ZA1S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27721M36W832TE85ZA1T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27722M36W832TE85ZA6S32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27723M36W832TE85ZA6T32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27724M36W832TEZA32 Mbit 2Mb x16, Aufladung Block-Blitz-Gedächtnis und 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27725M36WT86464 Mbit 4Mb x16/mehrfache Bank/gesprengtes grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM/mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27726M36WT864B10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27727M36WT864B70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27728M36WT864B85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27729M36WT864BF64 MBIT (4MB X16, MEHRFACHE BANK, STOSS) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27730M36WT864BFZA64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27731M36WT864T10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27732M36WT864T70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27733M36WT864T85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27734M36WT864TF64 MBIT (4MB X16, MEHRFACHE BANK, STOSS) GRELLES GEDÄCHTNIS UND 8 MBIT (512K X16) SRAM, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKTST Microelectronics
27735M36WT864TFZA64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27736M36WT8B10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27737M36WT8B70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27738M36WT8B85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27739M36WV864B10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27740M36WV864B70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27741M36WV864B85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27742M36WV864T10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27743M36WV864T70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27744M36WV864T85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27745M36WV8B10ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27746M36WV8B70ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27747M36WV8B85ZA6T64 Mbit 4Mb x16, mehrfache Bank, Stoß-grelles Gedächtnis und 8 Mbit 512K x16 SRAM, mehrfaches Datenspeicher-ProduktST Microelectronics
27748M39208Einzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27749M39208-10WNA1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27750M39208-10WNA5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27751M39208-10WNA6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27752M39208-10WNB1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27753M39208-10WNB5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27754M39208-10WNB6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27755M39208-12WNA1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27756M39208-12WNA5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27757M39208-12WNA6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27758M39208-12WNB1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27759M39208-12WNB5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27760M39208-12WNB6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27761M39208-15WNA1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27762M39208-15WNA5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27763M39208-15WNA6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27764M39208-15WNB1TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27765M39208-15WNB5TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27766M39208-15WNB6TEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27767M39208NAEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27768M39208NBEinzelnes Span 2 Mbit Blitz-und 64 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27769M39432-10VNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27770M39432-10WNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27771M39432-12VNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27772M39432-12WNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27773M39432-15VNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27774M39432-15WNC6TEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27775M39432NCEinzelner Span 4 Mbit grelles Gedächtnis und 256 Kbit paralleles EEPROMST Microelectronics
27776M39832Einzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27777M39832-B12WNE1TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27778M39832-B12WNE6TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27779M39832-B15WNE1TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27780M39832-B15WNE6TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27781M39832-T12WNE1TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27782M39832-T12WNE6TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27783M39832-T15WNE1TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27784M39832-T15WNE6TEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27785M39832NEEinzelnes Span 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16 Blitz-und 256 Kbit paralleles EEPROM GedächtnisST Microelectronics
27786M40SZ1005V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27787M40SZ100WNVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27788M40SZ100WMH5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27789M40SZ100WMH5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27790M40SZ100WMH65V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27791M40SZ100WMH65V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27792M40SZ100WMH6TR5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27793M40SZ100WMH6TR5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27794M40SZ100WMQ5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27795M40SZ100WMQ5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27796M40SZ100WMQ6NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27797M40SZ100WMQ6F3 V NVRAM Supervisor für LPSRAMST Microelectronics
27798M40SZ100WMQ6TRNVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27799M40SZ100WSH5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics
27800M40SZ100WSH5V oder 3V NVRAM INSPEKTOR FÜR LPSRAMST Microelectronics



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