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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
62401STD100NH03LT4N-CHANNEL 30V - 0.005 OHM - 60A DPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62402STD10N60M2N-Kanal 600 V, 0,55 Ohm typ. 7,5 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62403STD10NF06LN-CHANNEL 60V 0.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
62404STD10NF10N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 13A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62405STD10NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 13A IPAK/DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62406STD10NF30Automotive-N-Kanal 300 V, 0,28 Ohm typ., 10 A MESH OVERLAY (TM) Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
62407STD10NM50NN-Kanal 500 V, 0,53 Ohm, 7 A DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
62408STD10NM60NN-Kanal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, DPAK MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
62409STD10NM60NDN-Kanal 600 V, 0,57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
62410STD10NM65NN-Kanal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A, DPAK zweiten Generation MDmesh (TM) Power MOSFETST Microelectronics



62411STD10P6F6P-Kanal 60 V, 0,13 Ohm typ., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62412STD10PF06P-CHANNEL 60V - 0.18 OHM - 10A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62413STD10PF06-1P-CHANNEL 60V - 0.18 OHM - 10A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62414STD10PF06T4P-CHANNEL 60V - 0.18 OHM - 10A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62415STD110NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0044 OHM - 80A DPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62416STD110NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.0044 OHM - 80A DPAK STRIPFET III ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62417STD11N65M2N-Kanal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62418STD11N65M5N-Kanal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62419STD11NM50NN-Kanal 500 V, 0,4 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in DPAKST Microelectronics
62420STD11NM60NN-Kanal 600 V, 0,37 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
62421STD11NM60NDN-Kanal 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II Power MOSFET DPAKST Microelectronics
62422STD11NM65NN-Kanal 650 V, 0.425 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62423STD120N4F6N-Kanal-40 V, 3,5 mOhm, 80 A, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFETST Microelectronics
62424STD120N4LF6N-Kanal-40 V, 3,1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFETST Microelectronics
62425STD127DT4Hochspannungs schnelle Schalt NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
62426STD12N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62427STD12N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62428STD12N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62429STD12N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62430STD12N10LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62431STD12N65M5N-Kanal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET DPAKST Microelectronics
62432STD12NE06LN-CHANNEL 60V - 0.09 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62433STD12NF06N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62434STD12NF06-1N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62435STD12NF06LN-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62436STD12NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62437STD12NF06LT4N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62438STD12NF06T4N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62439STD12NM50NDN-Kanal 500 V, 0,29 Ohm typ. 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62440STD13003ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
62441STD13003-1ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
62442STD13003T4ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPNST Microelectronics
62443STD13N60M2N-Kanal 600 V, 0,35 Ohm typ. 11 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62444STD13NM60NN-Kanal 600 V, 0,28 Ohm typ. 11 A MDmesh (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62445STD13NM60NDN-Kanal 600 V, 0,32 Ohm typ. 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62446STD150N3LLH6N-Kanal-30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFETST Microelectronics
62447STD150NH02LN-CHANNEL 24V - 0.0033 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFET FÜR DC-DC UMWANDLUNGST Microelectronics
62448STD150NH02L-1N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFETST Microelectronics
62449STD150NH02LT4N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III MOSFETST Microelectronics
62450STD155N3H6N-Kanal-30 V, 2,5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFETST Microelectronics
62451STD155N3LH6N-Kanal-30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62452STD15N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62453STD15N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62454STD15N65M5N-Kanal 650 V, 0.308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62455STD15NF10N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - 23A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62456STD15NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - 23A DPAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62457STD16N50M2N-Kanal 500 V, 0,24 Ohm typ. 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
62458STD16N65M2N-Kanal 650 V, 0,32 Ohm typ. 11 A MDmesh M2 Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62459STD16N65M5N-Kanal 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAKST Microelectronics
62460STD16NE06N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A DPAK/IPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62461STD16NE06-1N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A DPAK/IPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62462STD16NE06LN-CHANNEL 60V - 0.06 OHM - 16A - DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62463STD16NE06L-1N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A - TO-251 - STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62464STD16NE06LT4N-CHANNEL 60V - 0.06 OHM - 16A - DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62465STD16NE06T4N-CHANNEL 60V - 0.07 OHM - 16A DPAK/IPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62466STD16NE10N-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 16A - IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62467STD16NE10LN-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 16A DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62468STD16NE10LT4N-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 16A DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62469STD16NF06N-Kanal 100V - 0.019Y - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAKST Microelectronics
62470STD16NF06LN-CHANNEL 60V - 0.060 U. - 16A DPAK STripFET™ II ENERGIE MosfetST Microelectronics
62471STD16NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II ENERGIE MosfetST Microelectronics
62472STD16NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II ENERGIE MosfetST Microelectronics
62473STD16NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II ENERGIE MosfetST Microelectronics
62474STD16NF06LT4N-CHANNEL 60V - 0.060 U. - 16A DPAK STripFET™ II ENERGIE MosfetST Microelectronics
62475STD16NF06T4N-Kanal 100V - 0.019Y - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAKST Microelectronics
62476STD16NF25N-Kanal 250 V, 0.195 Ohm, 14 A STripFET (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62477STD17N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62478STD17N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62479STD17N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62480STD17N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
62481STD17NE03LN-CHANNEL 30V - 0.034 OHM - 17A DPAK/IPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62482STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038OHM - 17A - DPAK/IPAK STRIPFET¢Â ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62483STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038OHM - 17A - DPAK/IPAK STRIPFET¢Â ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62484STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038OHM - 17A - DPAK/IPAK STRIPFET¢Â ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62485STD17NF03LN-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
62486STD17NF03L-1N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
62487STD17NF03LT4N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
62488STD17NF25N-Kanal 250 V, 0,14 Ohm, 17 A, DPAK STripFET (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
62489STD1802NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
62490STD1802T4NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
62491STD1802T4-ALOW VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsST Microelectronics
62492STD1805NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
62493STD1805T4NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
62494STD18N55M5N-Kanal 550 V, 0.150 Ohm typ., 16 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62495STD18N65M5N-Kanal 650 V, 0.198 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62496STD18NF03LN-Kanal-30 V, 0,038 Ohm typ., 17A STripFET (TM) II Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
62497STD18NF25N-Kanal 250 V, 0,14 Ohm, 17 Eine niedrige Gate-Ladung STripFET (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
62498STD19NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 OHM - 19A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62499STD19NE06LN-CHANNEL 60V - 0.038 OHM - 19A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
62500STD1HN60K3N-Kanal 600 V, 6,4 Ohm typ. 1,2 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics



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